Дов Фроман ( иврит : דב פרוהמן, также Дов Фроман-Бенчковский ; родился 28 марта 1939 года) — израильский инженер-электрик и руководитель бизнеса . Бывший вице-президент корпорации Intel , изобретатель стираемой программируемой постоянной памяти ( EPROM ), основатель и первый генеральный менеджер Intel Israel. Он также является автором (совместно с Робертом Говардом) книги Leadership the Hard Way ( Jossey-Bass , 2008). [1]
Дов Фроман родился в марте 1939 года в Амстердаме , за пять месяцев до начала Второй мировой войны . Его родителями были Авраам и Фейга Фроман, польские евреи, которые эмигрировали в Нидерланды в начале 1930-х годов, чтобы избежать растущего антисемитизма в Польше . В 1942 году, после немецкого вторжения в страны Бенилюкса и по мере ужесточения нацистского контроля над еврейской общиной Голландии, его родители решили отдать своего ребенка знакомым в голландском сопротивлении , которые поместили его к Ван Тилборгам, ортодоксальной христианской семье фермеров, которая жила в деревне Шпранг-Капелле в регионе Северный Брабант недалеко от бельгийской границы. Ван Тилборги прятали Фромана на протяжении всей войны. Его родители были убиты во время Холокоста . [2]
Найденный родственниками в Израиле после войны, Фроман провел несколько лет в приютах для еврейских детей, родители которых погибли на войне, прежде чем эмигрировать в Израиль в 1949 году, после основания еврейского государства. Усыновленный родственниками, он вырос в Тель-Авиве и служил в израильской армии. В 1959 году он поступил в Технион - Израильский технологический институт, чтобы изучать электротехнику. После окончания Техниона в 1963 году Фроман отправился в Соединенные Штаты, чтобы учиться в магистратуре и докторантуре Калифорнийского университета в Беркли . Получив степень магистра в 1965 году, он устроился на работу в научно-исследовательские лаборатории Fairchild Semiconductor .
В 1969 году, получив докторскую степень , он последовал за бывшими менеджерами Fairchild Гордоном Муром , Робертом Нойсом и Эндрю Гроувом в корпорацию Intel, которую они основали годом ранее. [3]
Именно во время устранения неисправности в раннем продукте Intel Фроман в 1970 году разработал концепцию EPROM, первой энергонезависимой полупроводниковой памяти, которая была как стираемой, так и легко перепрограммируемой. В то время существовало два типа полупроводниковой памяти. Микросхемы оперативной памяти (ОЗУ) было легко программировать, но чип терял свой заряд (и информацию, закодированную на чипе), когда его источник питания был выключен. На отраслевом языке микросхемы ОЗУ были энергозависимыми . Микросхемы постоянной памяти (ПЗУ), напротив, были энергонезависимыми — то есть информация, закодированная на чипе, была фиксированной и неизменной. Но процесс программирования памяти ПЗУ был трудоемким и громоздким. Обычно данные приходилось «вжигать» на заводе: физически внедрять в чип с помощью процесса, называемого «маскированием», на выполнение которого обычно уходило несколько недель. И после программирования данные в чипе ПЗУ не могли быть изменены.
EPROM был энергонезависимым и перепрограммируемым. Он был катализатором инноваций и разработок, которые привели к технологии флэш-памяти . EPROM также был ключевым новшеством в индустрии персональных компьютеров. Основатель Intel Гордон Мур назвал его «таким же важным в развитии индустрии микрокомпьютеров, как и сам микропроцессор ». [4] Он оставался самым прибыльным продуктом Intel вплоть до 1980-х годов.
После изобретения EPROM Фроман покинул Intel, чтобы преподавать электротехнику в Университете науки и технологий в Кумаси , Гана . Он вернулся в Intel в 1973 году, но его долгосрочным видением было возвращение в Израиль, чтобы создать там центр высокотехнологичных исследований. [5] В 1974 году он помог Intel основать небольшой центр проектирования микросхем в Хайфе — первый центр Intel за пределами Соединенных Штатов. По возвращении в Израиль Фроман преподавал в Школе прикладных наук Еврейского университета в Иерусалиме и параллельно работал консультантом Intel. В 1985 году, после переговоров с израильским правительством о создании завода по производству полупроводников в Иерусалиме , первого завода Intel за пределами Соединенных Штатов, он покинул Еврейский университет, чтобы стать генеральным директором Intel Israel.
В 1991 году, во время Первой войны в Персидском заливе , когда Ирак атаковал Израиль ракетами Scud , Фроман сохранил Intel Israel открытым, несмотря на рекомендации Управления гражданской обороны Израиля закрыть все несущественные предприятия. В результате Intel Israel был одним из немногих предприятий и единственным производственным предприятием в стране, которое оставалось открытым на протяжении всей войны. Фроман описал свой опыт во время войны в статье в Harvard Business Review . [6] В 1995 году он возглавил усилия Intel по созданию второго полупроводникового завода в Израиле, в городе Кирьят-Гат на юге Израиля на краю пустыни Негев .
Сегодня Intel Israel является штаб-квартирой корпорации для глобальных исследований и разработок в области беспроводных технологий. Она разработала технологию мобильных вычислений Centrino , которая используется в ноутбуках и передовых микропроцессорных продуктах. [7] Это также крупный центр по производству микросхем. В 2008 году компания открыла вторую фабрику по производству полупроводников в Кирьят-Гате — инвестиции в размере 3,5 млрд долларов США, с семью тысячами сотрудников. В 2007 году экспорт Intel Israel составил 1,4 млрд долларов США и составил примерно 8,5 процента от общего экспорта электронной и информационной промышленности Израиля.
Фроман ушел из Intel в 2001 году.
Он также является членом Израильской академии наук и гуманитарных наук .