Саймон Сзе

Taiwanese-American electrical engineer (1936–2023)

Саймон Мин Сзе , или Ши Мин ( китайский :施敏; пиньинь : Ши Мин ; 21 марта 1936 — 6 ноября 2023), был тайваньско-американским инженером-электриком . Он наиболее известен изобретением МОП-транзистора с плавающим затвором совместно с корейским инженером-электриком Давоном Кангом в 1967 году.

ранняя жизнь и образование

Саймон Мин Сзе родился в Нанкине , Цзянсу , и вырос на Тайване . После окончания Национального Тайваньского университета в 1957 году он получил степень магистра Вашингтонского университета в 1960 году и докторскую степень Стэнфордского университета в 1963 году.

Карьера и исследования

Сзе работал в Bell Labs до 1990 года, после чего вернулся на Тайвань и поступил на факультет Национального университета Цзяодун . ^[1] Он хорошо известен своими работами в области физики и технологии полупроводников , включая изобретение в 1967 году (совместно с Давоном Кангом ) транзистора с плавающим затвором , ^[2] который сейчас широко используется в энергонезависимых полупроводниковых запоминающих устройствах . Он написал и отредактировал множество книг, в том числе «Физику полупроводниковых приборов» , один из наиболее цитируемых текстов в своей области.

Смерть

Саймон Сзе умер 6 ноября 2023 года в возрасте 87 лет. ^[3]

Признание

• 1977: член IEEE ^[4]
• 1991: Премия Джей Джей Эберса ^[5]
• 1994: Академик Академии Синика , Тайвань ^[6]
• 1995: Член Национальной инженерной академии США ^[7].
• 1998: Иностранный член Китайской инженерной академии , Китай.
• 2010: Штатный профессор Национального университета Цзяодун , Тайвань.
• 2014: Почетный профессор кафедры Тайваньского национального университета науки и технологий , Тайвань.
• 2017: Почетный член IEEE
• 2021: Премия науки будущего, Китай ^[8]

Библиография

• Физика полупроводниковых приборов , С.М. Зе. Нью-Йорк: Уайли, 1969, ISBN  0-471-84290-7 ; 2-е изд., 1981 г., ISBN 0-471-05661-8 ; 3-е изд., совместно с Квоком К. Нг, 2006 г., ISBN 0-471-14323-5 .  
• Энергонезависимая память: материалы, устройства и приложения , двухтомный набор, Цеунг-Юэн Ценг и Саймон М. Сзе. Лос-Анджелес: Американское научное издательство, 2012; ISBN 1-58883-250-3 . 
• Полупроводниковые приборы: физика и техника , С.М. Зе. Нью-Йорк: Уайли, 1985; 2-е изд., 2001 г., ISBN 0-471-33372-7 ; 3-е изд., 2012 г., ISBN 978-0470-53794-7 .  
• Технология СБИС , изд. С.М. Зе. Нью-Йорк: МакГроу-Хилл, 1983, ISBN 0-07-062686-3 ; 2-е изд., 1988 г., ISBN 0-07-062735-5 .  
• Современная физика полупроводниковых приборов , под ред. С.М. Зе. Нью-Йорк: John Wiley & Sons, Inc., 1998, ISBN 0-471-15237-4 . 

Рекомендации

1. "Памяти академика Симона Михайловича Се". Национальный университет Ян Мин Цзяотун. 14 ноября 2023 г. Проверено 19 декабря 2023 г.
2. Д. Канг и С.М. Зе, Плавающий затвор и его применение в устройствах памяти, Технический журнал Bell System , 46 , № 4 (1967), стр. 1288–1295.
3. «Некролог Саймона Се (1936–2023) - Уолнат-Крик, Калифорния - Хроники Сан-Франциско» . Legacy.com . Проверено 8 ноября 2023 г.
4. Цай, И-Чиа; Мадьари-Кёпе, Бланка; Ли, Имин; Самукава, Сейджи; Ниси, Ёсио; Сзе, Саймон М. (2019). «Контактная технология трехслойного черного фосфора со скандием и золотом». Журнал IEEE Общества электронных устройств . 7 : 322–328. дои : 10.1109/JEDS.2019.2897167 .
5. Премия Джей Джей Эберса Общества электронных устройств , веб-страница IEEE, по состоянию на 11 ноября 2007 г.
6. "Саймон М. Сзе". Академия Синика . Проверено 19 декабря 2023 г.
7. "Доктор Саймон М. Сзе" . Национальная инженерная академия США . Проверено 19 декабря 2023 г.
8. Доктор Саймон Мин Сзе выигрывает премию науки будущего.