Саймон Сзе

Тайваньско-американский инженер-электрик (1936–2023)

Саймон Минь Сзе , или Ши Минь ( китайский :施敏; пиньинь : Shī Mǐn ; 21 марта 1936 – 6 ноября 2023), был тайваньско-американским инженером-электриком . Он наиболее известен тем, что изобрел МОП-транзистор с плавающим затвором совместно с корейским инженером-электриком Давоном Кангом в 1967 году.

Ранняя жизнь и образование

Саймон Минь Сзе родился в Нанкине , провинция Цзянсу , и вырос на Тайване . После окончания Национального тайваньского университета в 1957 году он получил степень магистра в Вашингтонском университете в 1960 году и докторскую степень в Стэнфордском университете в 1963 году.

Карьера и исследования

Sze работал в Bell Labs до 1990 года, после чего вернулся на Тайвань и присоединился к факультету Национального университета Цзяотун . ^[1] Он хорошо известен своими работами в области физики и технологии полупроводников , включая изобретение в 1967 году (совместно с Давоном Кангом ) транзистора с плавающим затвором , ^[2] который теперь широко используется в энергонезависимых полупроводниковых запоминающих устройствах . Он написал и отредактировал множество книг, включая Physics of Semiconductor Devices , один из самых цитируемых текстов в своей области.

Смерть

Саймон Сзе умер 6 ноября 2023 года в возрасте 87 лет. ^[3]

Признание

• 1977: Член IEEE ^[4]
• 1991: Премия Дж. Дж. Эберса ^[5]
• 1994: Академик Академии Синика , Тайвань ^[6]
• 1995: Член Национальной инженерной академии США ^[7]
• 1998: Иностранный член Китайской инженерной академии , Китай
• 2010: штатный профессор кафедры, Национальный университет Цзяотун , Тайвань
• 2014: Почетный профессор кафедры Национального тайваньского университета науки и технологий , Тайвань
• 2017: Почетный член IEEE
• 2021: Премия за будущую науку, Китай ^[8]

Библиография

• Физика полупроводниковых приборов , SM Sze. Нью-Йорк: Wiley, 1969, ISBN  0-471-84290-7 ; 2-е изд., 1981, ISBN 0-471-05661-8 ; 3-е изд., совместно с Квок К. Нг, 2006, ISBN 0-471-14323-5 .  
• Энергонезависимые воспоминания: материалы, устройства и приложения. Двухтомник, Цеунг-Юэнь Ценг и Саймон М. Сзе. Лос-Анджелес: American Scientific Publishers, 2012; ISBN 1-58883-250-3 . 
• Полупроводниковые приборы: физика и технология , SM Sze. Нью-Йорк: Wiley, 1985; 2-е изд., 2001, ISBN 0-471-33372-7 ; 3-е изд., 2012, ISBN 978-0470-53794-7 .  
• Технология СБИС , под ред. С.М. Зе. Нью-Йорк: МакГроу-Хилл, 1983, ISBN 0-07-062686-3 ; 2-е изд., 1988 г., ISBN 0-07-062735-5 .  
• Современная физика полупроводниковых приборов , ред. SM Sze. Нью-Йорк: John Wiley & Sons, Inc., 1998, ISBN 0-471-15237-4 . 

Ссылки

1. «В память об академике Саймоне М. Цзе». Национальный университет Ян Мин Цзяотун. 14 ноября 2023 г. Получено 19 декабря 2023 г.
2. Д. Канг и С. М. Сзе, Плавающий затвор и его применение в запоминающих устройствах, The Bell System Technical Journal , 46 , № 4 (1967), стр. 1288–1295.
3. "Некролог Саймона Сзе (1936–2023) - Уолнат-Крик, Калифорния - San Francisco Chronicle". Legacy.com . Получено 8 ноября 2023 г. .
4. Цай, И-Чиа; Мадьари-Кёпе, Бланка; Ли, Имин; Самукава, Сейджи; Ниси, Ёсио; Сзе, Саймон М. (2019). «Контактная инженерия трехслойного черного фосфора со скандием и золотом». Журнал IEEE Общества электронных устройств . 7 : 322–328. дои : 10.1109/JEDS.2019.2897167 .
5. Премия Дж. Дж. Эберса от Electron Devices Society , веб-страница на сайте IEEE, дата обращения 11-I-2007.
6. "Simon M. Sze". Academia Sinica . Получено 19 декабря 2023 г.
7. "Dr. Simon M. Sze". Национальная инженерная академия США . Получено 19 декабря 2023 г.
8. Доктор Саймон Минь Сзе стал лауреатом премии Future Science Prize