stringtranslate.com

Носитель заряда

В физике твердого тела носитель заряда — это частица или квазичастица , которая может свободно перемещаться, перенося электрический заряд , особенно частицы, переносящие электрические заряды в электрических проводниках . [1] Примерами являются электроны , ионы и дырки . [2] В проводящей среде электрическое поле может оказывать силу на эти свободные частицы , вызывая результирующее движение частиц через среду; это и есть электрический ток . [3] Электрон и протон являются элементарными носителями заряда , каждый из которых несет один элементарный заряд ( e ) одинаковой величины и противоположного знака .

В проводниках

В проводящих средах частицы служат для переноса заряда: во многих металлах носителями заряда являются электроны . Один или два валентных электрона от каждого атома могут свободно перемещаться в кристаллической структуре металла. [4] Свободные электроны называются электронами проводимости , а облако свободных электронов называется ферми-газом . [5] [6] Многие металлы имеют электронные и дырочные зоны. В некоторых из них основными носителями являются дырки. [ требуется ссылка ]

В электролитах , таких как соленая вода , носителями заряда являются ионы , [6] которые представляют собой атомы или молекулы, которые приобрели или потеряли электроны, поэтому они электрически заряжены. Атомы, которые приобрели электроны, поэтому они отрицательно заряжены, называются анионами , атомы, которые потеряли электроны, поэтому они положительно заряжены, называются катионами . [7] Катионы и анионы диссоциированной жидкости также служат носителями заряда в расплавленных ионных твердых телах (см., например, процесс Холла-Эру для примера электролиза расплавленного ионного твердого тела). Протонные проводники являются электролитическими проводниками, использующими положительные ионы водорода в качестве носителей. [8]

В плазме , электрически заряженном газе, который находится в электрических дугах через воздух, неоновых вывесках , а также на солнце и звездах, электроны и катионы ионизированного газа действуют как носители заряда. [9]

В вакууме свободные электроны могут выступать в качестве носителей заряда. В электронном компоненте, известном как вакуумная трубка (также называемая клапаном ), облако мобильных электронов генерируется нагретым металлическим катодом с помощью процесса, называемого термоэлектронной эмиссией . [10] Когда электрическое поле прикладывается достаточно сильно, чтобы втянуть электроны в пучок, это можно назвать катодным лучом , и это является основой дисплея с электронно-лучевой трубкой, широко используемого в телевизорах и компьютерных мониторах до 2000-х годов. [11]

В полупроводниках , которые являются материалами, используемыми для изготовления электронных компонентов, таких как транзисторы и интегральные схемы , возможны два типа носителей заряда. В полупроводниках p-типа « эффективные частицы », известные как электронные дырки с положительным зарядом, движутся через кристаллическую решетку, создавая электрический ток. «Дырки», по сути, являются электронными вакансиями в электронном населении валентной зоны полупроводника и рассматриваются как носители заряда, поскольку они подвижны, перемещаясь от атомного участка к атомному участку. В полупроводниках n-типа электроны в зоне проводимости движутся через кристалл, что приводит к возникновению электрического тока.

В некоторых проводниках, таких как ионные растворы и плазма, положительные и отрицательные носители заряда сосуществуют, поэтому в этих случаях электрический ток состоит из двух типов носителей, движущихся в противоположных направлениях. В других проводниках, таких как металлы, есть только носители заряда одной полярности, поэтому электрический ток в них просто состоит из носителей заряда, движущихся в одном направлении.

В полупроводниках

В полупроводниках существует два признанных типа носителей заряда . Один из них — электроны , которые несут отрицательный электрический заряд . Кроме того, удобно рассматривать перемещающиеся вакансии в электронной популяции валентной зоны ( дырки ) как второй тип носителей заряда, которые несут положительный заряд, равный по величине заряду электрона. [12]

Генерация и рекомбинация носителей заряда

Когда электрон встречается с дыркой, они рекомбинируют , и эти свободные носители фактически исчезают. [13] Высвобождаемая энергия может быть либо тепловой, нагревающей полупроводник ( термическая рекомбинация , один из источников отработанного тепла в полупроводниках), либо выделяемой в виде фотонов ( оптическая рекомбинация , используемая в светодиодах и полупроводниковых лазерах ). [14] Рекомбинация означает, что электрон, который был возбужден из валентной зоны в зону проводимости, возвращается в пустое состояние в валентной зоне, известное как дырки. Дырки — это пустые состояния, созданные в валентной зоне, когда электрон возбуждается после получения некоторой энергии для прохождения энергетической щели.

Основные и второстепенные операторы

Более распространенные носители заряда называются основными носителями , которые в первую очередь отвечают за перенос тока в полупроводнике. В полупроводниках n-типа это электроны, а в полупроводниках p-типа это дырки. Менее распространенные носители заряда называются неосновными носителями ; в полупроводниках n-типа это дырки, а в полупроводниках p-типа это электроны. [15]

В собственном полупроводнике , который не содержит никаких примесей, концентрации обоих типов носителей идеально равны. Если собственный полупроводник легирован донорной примесью, то основными носителями являются электроны. Если полупроводник легирован акцепторной примесью, то основными носителями являются дырки. [16]

Неосновные носители играют важную роль в биполярных транзисторах и солнечных элементах . [17] Их роль в полевых транзисторах (FET) немного сложнее: например, MOSFET имеет области p-типа и n-типа. Действие транзистора включает основные носители областей истока и стока , но эти носители пересекают тело противоположного типа, где они являются неосновными носителями. Однако пересекающие носители значительно превосходят по численности свой противоположный тип в области переноса (фактически, носители противоположного типа удаляются приложенным электрическим полем, которое создает инверсионный слой ), поэтому традиционно принимается обозначение истока и стока для носителей, и FET называются устройствами «основных носителей». [18]

Концентрация свободных носителей

Концентрация свободных носителей — это концентрация свободных носителей в легированном полупроводнике . Она похожа на концентрацию носителей в металле и для целей расчета токов или скоростей дрейфа может использоваться таким же образом. Свободные носители — это электроны ( дырки ), которые были введены в зону проводимости ( валентную зону ) путем легирования. Поэтому они не будут действовать как двойные носители, оставляя дырки (электроны) в другой зоне. Другими словами, носители заряда — это частицы, которые могут свободно перемещаться, перенося заряд. Концентрация свободных носителей легированных полупроводников показывает характерную температурную зависимость. [19]

В сверхпроводниках

Сверхпроводники имеют нулевое электрическое сопротивление и поэтому способны проводить ток бесконечно. Этот тип проводимости возможен благодаря образованию куперовских пар . В настоящее время сверхпроводники могут быть получены только при очень низких температурах, например, с помощью криогенного охлаждения. До сих пор достижение сверхпроводимости при комнатной температуре остается сложной задачей; это все еще область текущих исследований и экспериментов. Создание сверхпроводника, функционирующего при температуре окружающей среды, стало бы важным технологическим прорывом, который потенциально мог бы способствовать гораздо более высокой энергоэффективности в распределении электроэнергии по сетям.

В квантовых ситуациях

При исключительных обстоятельствах позитроны , мюоны , антимюоны, тау и антитау потенциально также могут переносить электрический заряд. Теоретически это возможно, однако очень короткое время жизни этих заряженных частиц сделало бы такой ток очень сложным для поддержания на текущем уровне технологий. Возможно, этот тип тока можно было бы создать искусственно, или он мог бы возникнуть в природе в течение очень коротких промежутков времени.

В плазме

Плазма состоит из ионизированного газа. Электрический заряд может вызывать образование электромагнитных полей в плазме, что может приводить к образованию токов или даже множественных токов. Это явление используется в ядерных реакторах. Оно также встречается в природе в космосе в виде струй, туманных ветров или космических нитей, переносящих заряженные частицы. Это космическое явление называется током Биркеланда . Рассматриваемая в общем виде, электропроводность плазмы является предметом физики плазмы .

Смотрите также

Ссылки

  1. ^ Дхаран, Гокул; Стенхаус, Кайлин; Донев, Джейсон (11 мая 2018 г.). «Энергетическое образование — носитель заряда» . Получено 30 апреля 2021 г.
  2. ^ "Носитель заряда". Большая Советская Энциклопедия 3-е издание. (1970-1979) .
  3. ^ Nave, R. "Микроскопический вид электрического тока" . Получено 30 апреля 2021 г.
  4. ^ Nave, R. "Conductors and Insulators" . Получено 30 апреля 2021 г. .
  5. ^ Фицпатрик, Ричард (2 февраля 2002 г.). "Электроны проводимости в металле" . Получено 30 апреля 2021 г.
  6. ^ ab "Проводники-Изоляторы-Полупроводники" . Получено 30 апреля 2021 г.
  7. ^ Стюард, Карен (15 августа 2019 г.). «Катион против аниона: определение, диаграмма и периодическая таблица» . Получено 30 апреля 2021 г.
  8. ^ Рамеш Суввада (1996). "Лекция 12: Протонная проводимость, стехиометрия". Иллинойсский университет в Урбане–Шампейне . Архивировано из оригинала 15 мая 2021 г. Получено 30 апреля 2021 г.
  9. ^ Соучек, Павел (24 октября 2011 г.). "Плазменная проводимость и диффузия" (PDF) . Получено 30 апреля 2021 г. .
  10. ^ Альба, Майкл (19 января 2018 г.). "Вакуумные трубки: мир до транзисторов" . Получено 30 апреля 2020 г.
  11. ^ "Катодные лучи | Введение в химию" . Получено 30 апреля 2021 г. .
  12. ^ Nave, R. "Intrinsic Semiconductors" . Получено 1 мая 2021 г. .
  13. ^ Van Zeghbroeck, B. (2011). "Рекомбинация и генерация носителей". Архивировано из оригинала 1 мая 2021 г. Получено 1 мая 2021 г.
  14. ^ del Alamo, Jesús (12 февраля 2007 г.). "Лекция 4 - Генерация и рекомбинация носителей" (PDF) . MIT Open CourseWare, Массачусетский технологический институт. стр. 3 . Получено 2 мая 2021 г. .
  15. ^ "Основные и неосновные носители заряда" . Получено 2 мая 2021 г.
  16. ^ Nave, R. "Легированные полупроводники" . Получено 1 мая 2021 г.
  17. ^ Смит, Дж. С. "Лекция 21: BJT" (PDF) . Получено 2 мая 2021 г.
  18. ^ Тулбуре, Дэн (22 февраля 2007 г.). «Назад к основам мощных МОП-транзисторов». EE Times . Получено 2 мая 2021 г.
  19. ^ Van Zeghbroeck, B. (2011). "Carrier density" . Получено 28 июля 2022 г. .