Дифракция обратного рассеяния электронов

Метод сканирующей электронной микроскопии

Картина дифракции обратно рассеянных электронов монокристаллического кремния , полученная при 20 кВ с использованием источника электронов с полевой эмиссией.

Дифракция обратного рассеяния электронов ( EBSD ) — это метод сканирующей электронной микроскопии (SEM), используемый для изучения кристаллографической структуры материалов. EBSD выполняется в сканирующем электронном микроскопе, оснащенном детектором EBSD, включающим по крайней мере фосфоресцирующий экран, компактную линзу и камеру для слабого освещения . В микроскопе падающий пучок электронов попадает на наклонный образец. Когда обратно рассеянные электроны покидают образец, они взаимодействуют с атомами и одновременно упруго дифрагируют и теряют энергию, оставляя образец под различными углами рассеяния, прежде чем достичь фосфоресцирующего экрана, образуя узоры Кикучи (EBSP). Пространственное разрешение EBSD зависит от многих факторов, включая природу изучаемого материала и подготовку образца. Их можно индексировать, чтобы получить информацию о структуре зерна материала , ориентации зерен и фазе в микромасштабе. EBSD используется для исследований примесей и дефектов , пластической деформации и статистического анализа средней разориентации , размера зерна и кристаллографической текстуры. EBSD также можно комбинировать с энергодисперсионной рентгеновской спектроскопией (EDS), катодолюминесценцией (CL) и дисперсионной рентгеновской спектроскопией по длине волны (WDS) для расширенной идентификации фаз и обнаружения материалов.

Изменение и резкость картин обратного рассеяния электронов (EBSP) предоставляют информацию об искажении решетки в дифрагирующем объеме. Резкость картины можно использовать для оценки уровня пластичности. Изменения положения оси зоны EBSP можно использовать для измерения остаточного напряжения и малых поворотов решетки. EBSD также может предоставить информацию о плотности геометрически необходимых дислокаций (GND). Однако искажение решетки измеряется относительно эталонной картины (EBSP ₀ ). Выбор эталонной картины влияет на точность измерения; например, эталонная картина, деформированная при растяжении, напрямую уменьшит величину деформации растяжения, полученную из карты высокого разрешения, при этом косвенно влияя на величину других компонентов и пространственное распределение деформации. Кроме того, выбор EBSP ₀ немного влияет на распределение плотности и величину GND. ^[1]

Формирование и сбор узоров

Геометрия установки и формирование рисунка

Типичная конфигурация оборудования EBSD внутри сканирующего электронного микроскопа с полевой эмиссионной пушкой ^[2]

Для микроскопии дифракции обратного рассеяния электронов плоский полированный кристаллический образец обычно помещается внутрь камеры микроскопа. Образец наклоняется на ~70° от положения плоского образца сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) и на 110° к детектору дифракции обратного рассеяния электронов (EBSD). ^[3] Наклон образца удлиняет объем взаимодействия перпендикулярно оси наклона, позволяя большему количеству электронов покинуть образец, обеспечивая лучший сигнал. ^{[4] [5]} Высокоэнергетический электронный пучок (обычно 20 кВ) фокусируется на небольшом объеме и рассеивается с пространственным разрешением ~20 нм на поверхности образца. ^[6] Пространственное разрешение зависит от энергии пучка, ^[6] угловой ширины, ^[7] объема взаимодействия, ^[8] природы исследуемого материала, ^[6] и, в случае дифракции Кикучи на просвет (TKD), от толщины образца; ^[9] таким образом, увеличение энергии пучка увеличивает объем взаимодействия и уменьшает пространственное разрешение. ^[10]

Детектор EBSD расположен внутри камеры образца СЭМ под углом приблизительно 90° к полюсному наконечнику. Детектор EBSD обычно представляет собой фосфорный экран, который возбуждается обратно рассеянными электронами. ^[11] Экран соединен с линзой, которая фокусирует изображение с фосфорного экрана на прибор с зарядовой связью (ПЗС) или камеру комплементарного металл-оксид-полупроводник (КМОП). ^[12]

В этой конфигурации, когда обратно рассеянные электроны покидают образец, они взаимодействуют с кулоновским потенциалом , а также теряют энергию из-за неупругого рассеяния, что приводит к диапазону углов рассеяния (θ _hkl ). ^{[11] [13]} Обратно рассеянные электроны образуют линии Кикучи – имеющие различную интенсивность – на электронно-чувствительной плоской пленке/экране (обычно фосфоре), собранные в полосу Кикучи. Эти линии Кикучи являются следом гиперболы, образованной пересечением конусов Косселя с плоскостью фосфоресцирующего экрана. Ширина полосы Кикучи связана с углами рассеяния и, таким образом, с расстоянием d _hkl между плоскостями решетки с индексами Миллера h, k и l. ^{[14] [15]} Эти линии и узоры Кикучи были названы в честь Сейши Кикучи , который вместе с Сёдзи Нисикавой был первым, кто заметил эту дифракционную картину в 1928 году с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) ^[16] , которая по геометрии похожа на рентгеновскую картину Косселя. ^{[17] [18]}

Систематически расположенные полосы Кикучи, имеющие диапазон интенсивности по своей ширине, пересекаются вокруг центра областей интереса (ROI), описывая кристаллографию исследуемого объема. ^[19] Эти полосы и их пересечения образуют то, что известно как паттерны Кикучи или паттерны обратного рассеяния электронов (EBSP). Для улучшения контраста фон паттернов корректируется путем удаления анизотропного/неупругого рассеяния с использованием статической коррекции фона или динамической коррекции фона. ^[20]

Монокристалл 4H-SiC , гномически спроецированный EBSP, полученный с использованием (слева) обычной, (в центре) динамической и (справа) комбинированной коррекции фона

Детекторы EBSD

EBSD проводится с использованием SEM, оснащенного детектором EBSD, содержащим как минимум фосфорный экран, компактную линзу и камеру с зарядовой связью (CCD) или камеру на основе комплементарного металл-оксид-полупроводника (CMOS) для слабого освещения. По состоянию на сентябрь 2023 года ^{[обновлять]}коммерчески доступные системы EBSD обычно поставляются с одной из двух различных камер CCD: для быстрых измерений чип CCD имеет собственное разрешение 640×480 пикселей; для более медленных и более чувствительных измерений разрешение чипа CCD может достигать 1600×1200 пикселей. ^{[13] [6]}

Самым большим преимуществом детекторов высокого разрешения является их более высокая чувствительность, и поэтому информация в каждой дифракционной картине может быть проанализирована более подробно. Для измерений текстуры и ориентации дифракционные картины объединяются в бин, чтобы уменьшить их размер и время вычислений. Современные системы EBSD на основе ПЗС могут индексировать картины со скоростью до 1800 картин/секунду. Это позволяет быстро и богато генерировать микроструктурные карты. ^{[14] [21]}

Подготовка образца

Ухудшение структуры из-за отложения углерода в сильно увеличенном месте после 3-часового сбора EBSP вокруг деформационного двойника в ферритной фазе дуплексной нержавеющей стали ^[22]

Образец должен быть устойчив к вакууму. Обычно он монтируется с использованием проводящего состава (например, эпоксидного термореактивного материала, заполненного Cu), что минимизирует дрейф изображения и зарядку образца при облучении электронным пучком. Качество EBSP чувствительно к подготовке поверхности. Обычно образец шлифуется с использованием бумаги SiC от 240 до 4000 грит и полируется с использованием алмазной пасты (от 9 до 1 мкм), а затем в коллоидном кремнии 50 нм . После этого его очищают в этаноле , промывают деионизированной водой и сушат горячим воздухом. За этим может следовать полировка ионным пучком для окончательной подготовки поверхности. ^{[23] [24] [25]}

Внутри СЭМ размер области измерения определяет локальное разрешение и время измерения. ^[26] Обычные настройки для высококачественных EBSP: ток 15 нА, энергия пучка 20 кВ, рабочее расстояние 18 мм, длительное время экспозиции и минимальное биннинг пикселей ПЗС. ^{[27] [28] [29] [30]} Фосфорный экран EBSD установлен на рабочее расстояние 18 мм и размер шага карты менее 0,5 мкм для анализа плотности деформации и дислокаций . ^{[31] [22]}

Разложение газообразных углеводородов, а также углеводородов на поверхности образцов электронным лучом внутри микроскопа приводит к осаждению углерода, ^[32] что ухудшает качество EBSP внутри зондируемой области по сравнению с EBSP за пределами окна сбора данных. Градиент деградации рисунка увеличивается по мере перемещения внутрь зондируемой зоны с очевидным накоплением осажденного углерода. Черные пятна от мгновенного осаждения углерода, вызванного лучом, также подчеркивают немедленное осаждение, даже если агломерация не произошла. ^{[33] [34]}

Разрешение глубины

Объем взаимодействия электронов с веществом и различные типы генерируемых сигналов

Нет единого мнения об определении разрешения по глубине. Например, его можно определить как глубину, на которой генерируется ~92% сигнала ^{[35] [36]} или определить по качеству паттерна ^[37] или оно может быть столь же неоднозначным, как «где получается полезная информация». ^[38] Даже для данного определения разрешение по глубине увеличивается с энергией электронов и уменьшается со средней атомной массой элементов, составляющих исследуемый материал: например, оно было оценено как 40 нм для Si и 10 нм для Ni при энергии 20 кВ. ^[39] Необычно малые значения были зарегистрированы для материалов, структура и состав которых изменяются по толщине. Например, покрытие монокристаллического кремния несколькими нм аморфного хрома снижает разрешение по глубине до нескольких нм при энергии 15 кВ. ^[37] Напротив, Изабелл и Дэвид ^[40] пришли к выводу, что разрешение по глубине в однородных кристаллах может также достигать 1 мкм из-за неупругого рассеяния (включая тангенциальное размытие и эффект каналирования). ^[24]

Недавнее сравнение отчетов о разрешении по глубине EBSD, Коко и др ^{. [24]} показало, что большинство публикаций не представляют обоснования для определения разрешения по глубине, не включая информацию о размере пучка, угле наклона, расстояниях от пучка до образца и от образца до детектора. ^[24] Это критические параметры для определения или моделирования разрешения по глубине. ^[40] Ток пучка, как правило, не считается влияющим на разрешение по глубине в экспериментах или моделировании. Однако он влияет на размер пятна пучка и отношение сигнал/шум , и, следовательно, косвенно, на детали рисунка и его информацию о глубине. ^{[41] [42] [43]}

Моделирование Монте-Карло обеспечивает альтернативный подход к количественной оценке разрешения по глубине для формирования EBSP, которое можно оценить с помощью теории волн Блоха , где обратно рассеянные первичные электроны — после взаимодействия с кристаллической решеткой — покидают поверхность, неся информацию о кристалличности объема, взаимодействующего с электронами. ^[44] Распределение энергии обратно рассеянных электронов (BSE) зависит от характеристик материала и условий пучка. ^[45] Это волновое поле BSE также подвержено влиянию процесса теплового диффузного рассеяния, который вызывает некогерентное и неупругое (потеря энергии) рассеяние — после событий упругой дифракции — которое пока не имеет полного физического описания, которое можно было бы связать с механизмами, составляющими разрешение по глубине EBSP. ^{[46] [47]}

Как эксперимент EBSD, так и моделирование обычно делают два предположения: что поверхность является чистой и имеет однородное разрешение по глубине; однако ни одно из них не является верным для деформированного образца. ^[37]

Ориентация и фазовое картирование

Индексация шаблонов

Формирование конуса Косселя, который пересекается с экраном ПЗС, образуя EBSP, который может быть проиндексирован по методу Браве-Миллера.

Если геометрия установки хорошо описана, можно связать полосы, присутствующие в дифракционной картине, с лежащим в основе кристаллом и кристаллографической ориентацией материала в объеме электронного взаимодействия. Каждая полоса может быть проиндексирована индивидуально индексами Миллера дифракционной плоскости, которая ее сформировала. В большинстве материалов пересекаются только три полосы/плоскости, и они требуются для описания уникального решения для ориентации кристалла (на основе их межплоскостных углов). Большинство коммерческих систем используют справочные таблицы с международными базами данных кристаллов для индексации. Эта ориентация кристалла связывает ориентацию каждой выбранной точки с опорной ориентацией кристалла. ^{[3] [48]}

Индексация часто является первым шагом в процессе EBSD после сбора шаблонов. Это позволяет идентифицировать ориентацию кристалла в одном объеме образца, из которого был собран шаблон. ^{[49] [50]} С помощью программного обеспечения EBSD полосы шаблонов обычно обнаруживаются с помощью математической процедуры с использованием модифицированного преобразования Хафа , в котором каждый пиксель в пространстве Хафа обозначает уникальную линию/полосу в EBSP. Преобразование Хафа позволяет обнаруживать полосы, которые трудно обнаружить с помощью компьютера в исходном EBSP. После обнаружения положений полос можно связать эти положения с базовой ориентацией кристалла, поскольку углы между полосами представляют собой углы между плоскостями решетки. Таким образом, решение по ориентации может быть определено, когда известны положение/углы между тремя полосами. В высокосимметричных материалах для получения и проверки измерения ориентации обычно используется более трех полос. ^[50]

Картина дифракции предварительно обрабатывается для удаления шума, коррекции искажений детектора и нормализации интенсивности. Затем предварительно обработанная картина дифракции сравнивается с библиотекой эталонных картин для изучаемого материала. Эталонные картины генерируются на основе известной кристаллической структуры материала и ориентации кристаллической решетки. Ориентация кристаллической решетки, которая будет генерировать наилучшее соответствие измеренной картине, определяется с помощью различных алгоритмов. Существует три основных метода индексации, которые выполняются большинством коммерческих программ EBSD: триплетное голосование; ^{[51] [52]} минимизация «подгонки» между экспериментальной картиной и вычислительно определенной ориентацией, ^{[53] [54]} и/или усреднение и переиндексация соседних картин, NPAR ^[55] ). Затем индексация дает уникальное решение для ориентации одного кристалла, которая связана с другими ориентациями кристаллов в поле зрения. ^{[56] [57]}

Голосование по триплетам включает в себя идентификацию нескольких «триплетов», связанных с различными решениями по ориентации кристалла; каждая ориентация кристалла, определенная из каждого триплета, получает один голос. Если четыре полосы идентифицируют одну и ту же ориентацию кристалла, то четыре ( четыре выбирают три , т. е. ) голоса будут отданы за это конкретное решение. Таким образом, ориентация кандидата с наибольшим числом голосов будет наиболее вероятным решением для присутствующей базовой ориентации кристалла. Число голосов за выбранное решение по сравнению с общим числом голосов описывает уверенность в базовом решении. Необходимо проявлять осторожность при интерпретации этого «индекса уверенности», поскольку некоторые псевдосимметричные ориентации могут привести к низкой уверенности для одного решения-кандидата по сравнению с другим. ^{[58] [59] [60]} Минимизация соответствия подразумевает начало со всех возможных ориентаций для триплета. Включается больше полос, что уменьшает количество ориентаций-кандидатов. По мере увеличения числа полос число возможных ориентаций в конечном итоге сходится к одному решению. Можно определить «соответствие» между измеренной ориентацией и захваченным рисунком. ^[57] ${\displaystyle C(4,3)}$

В целом, индексация дифракционных картин в EBSD включает в себя сложный набор алгоритмов и вычислений, но имеет важное значение для определения кристаллографической структуры и ориентации материалов с высоким пространственным разрешением. Процесс индексации постоянно развивается, и разрабатываются новые алгоритмы и методы для повышения точности и скорости процесса. После этого рассчитывается индекс достоверности для определения качества результата индексации. Индекс достоверности основан на качестве соответствия между измеренными и эталонными картинами. Кроме того, он учитывает такие факторы, как уровень шума, разрешение детектора и качество образца. ^[50]

Хотя это геометрическое описание, связанное с кинематическим решением с использованием условия Брэгга, является очень мощным и полезным для анализа ориентации и текстуры , оно описывает только геометрию кристаллической решетки. Оно игнорирует многие физические процессы, происходящие в дифрагирующем материале. Для адекватного описания более тонких особенностей в картине рассеяния электронного пучка (EBSP) необходимо использовать многолучевую динамическую модель (например, изменение интенсивности полос в экспериментальной картине не соответствует кинематическому решению, связанному со структурным фактором ). ^{[61] [47]}

Центр узора

Чтобы связать ориентацию кристалла, как и в рентгеновской дифракции (XRD), необходимо знать геометрию системы. В частности, центр паттерна описывает расстояние объема взаимодействия до детектора и местоположение ближайшей точки между люминофором и образцом на экране люминофора. Ранние работы использовали один кристалл известной ориентации, вставленный в камеру SEM, и было известно, что особая особенность EBSP соответствует центру паттерна. Более поздние разработки включали использование различных геометрических соотношений между генерацией EBSP и геометрией камеры (отбрасывание тени и движение люминофора). ^{[62] [57]}

К сожалению, каждый из этих методов громоздок и может быть подвержен некоторым систематическим ошибкам для обычного оператора. Обычно их нельзя легко использовать в современных СЭМ с несколькими назначенными применениями. Таким образом, большинство коммерческих систем EBSD используют алгоритм индексации в сочетании с итеративным перемещением ориентации кристалла и предполагаемым местоположением центра узора. Минимизация соответствия между полосами, расположенными в экспериментальных узорах, и полосами в справочных таблицах имеет тенденцию сходиться к местоположению центра узора с точностью ~0,5–1% от ширины узора. ^{[21] [6]}

Недавняя разработка AstroEBSD ^[63] и PCGlobal ^{[64] , кодов} MATLAB с открытым исходным кодом , повысила точность определения центра шаблона (ЦШ) и, следовательно, упругих деформаций ^[65] с помощью подхода сопоставления шаблонов ^[66] , который моделирует шаблон с помощью EMSoft. ^[67]

EBSD-картирование

Карта индексированных EBSD-ориентаций для мартенсита железа с большеугловыми (>10°) границами

Результаты индексации используются для создания карты кристаллографической ориентации в каждой точке исследуемой поверхности. Таким образом, сканирование электронного луча заданным образом (обычно в квадратной или гексагональной сетке, с поправкой на ракурс изображения из-за наклона образца) приводит к получению множества богатых микроструктурных карт. ^{[68] [69]} Эти карты могут пространственно описывать кристаллическую ориентацию исследуемого материала и могут использоваться для изучения микротекстуры и морфологии образца. Некоторые карты описывают ориентацию зерен, границу и качество дифракционной картины (изображения). Различные статистические инструменты могут измерять среднюю разориентацию , размер зерен и кристаллографическую текстуру. Из этого набора данных можно создать многочисленные карты, диаграммы и графики. ^{[70] [71] [72]} Данные об ориентации можно визуализировать с помощью различных методов, включая цветовое кодирование, контурные линии и полюсные фигуры. ^[73]

Неправильная юстировка микроскопа, смещение изображения, искажение сканирования, которое увеличивается с уменьшением увеличения, шероховатость и загрязнение поверхности образца, сбой индексации границ и качество детектора могут привести к неопределенностям в определении ориентации кристалла. ^[74] Отношение сигнал/шум EBSD зависит от материала и уменьшается при чрезмерной скорости сбора данных и токе пучка, тем самым влияя на угловое разрешение измерения. ^[74]

Измерение деформации

Полное смещение поля , упругая деформация и плотность GND предоставляют количественную информацию об упругом и пластическом поведении материала в микромасштабе. Измерение деформации в микромасштабе требует тщательного рассмотрения других ключевых деталей, помимо изменения длины/формы (например, локальной текстуры, ориентации отдельных зерен ). Эти микромасштабные особенности можно измерить с помощью различных методов, например, сверления отверстий , монохроматической или полихроматической энергодисперсионной рентгеновской дифракции или нейтронной дифракции (ND). EBSD имеет высокое пространственное разрешение и относительно чувствителен и прост в использовании по сравнению с другими методами. ^{[72] [75] [76]} Измерения деформации с использованием EBSD можно выполнять с высоким пространственным разрешением, что позволяет исследователям изучать локальное изменение деформации в материале. ^[14] Эту информацию можно использовать для изучения деформации и механического поведения материалов, ^[77] для разработки моделей поведения материалов при различных условиях нагрузки, а также для оптимизации обработки и производительности материалов. В целом, измерение деформации с помощью EBSD является мощным инструментом для изучения деформации и механического поведения материалов и широко используется в материаловедении и инженерных исследованиях и разработках. ^{[76] [14]}

Предыдущие испытания

Изменение и деградация в картинах обратного рассеяния электронов (EBSP) предоставляют информацию о дифрагирующем объеме. Деградация картины (т. е. качество диффузии) может быть использована для оценки уровня пластичности через качество картины/изображения (IQ), ^[78] , где IQ рассчитывается из суммы пиков, обнаруженных при использовании обычного преобразования Хафа. Уилкинсон ^[79] впервые использовал изменения в положениях линий Кикучи высокого порядка для определения упругих деформаций, хотя и с низкой точностью ^{[примечание 1]} (0,3% до 1%); однако этот подход не может быть использован для характеристики остаточной упругой деформации в металлах, поскольку упругая деформация в пределе текучести обычно составляет около 0,2%. Измерение деформации путем отслеживания изменения линий Кикучи высокого порядка практично, когда деформация мала, поскольку положение полосы чувствительно к изменениям параметров решетки. ^[43] В начале 1990-х годов Троост и др. ^[80] и Уилкинсон и др. ^{[81] [82]} использовали деградацию рисунка и изменение положения оси зоны для измерения остаточных упругих деформаций и небольших поворотов решетки с точностью 0,02%. ^[1]

Дифракция обратного рассеяния электронов высокого разрешения (HR-EBSD)

Схематическое смещение между эталонным и деформированным кристаллами в картине EBSP, проецируемой на фосфоресцирующий экран ^[22]

Кросс-корреляционная, высокоугловая дифракция обратного рассеяния электронов (HR-EBSD) – введенная Уилкинсоном и др. ^{[83] [84]} – это основанная на СЭМ методика для отображения относительных упругих деформаций и вращений, а также оценки геометрически необходимой плотности дислокаций (GND) в кристаллических материалах. Метод HR-EBSD использует кросс-корреляцию изображений для измерения сдвигов узоров между областями интереса (ROI) в различных картинах дифракции обратного рассеяния электронов (EBSP) с точностью до субпикселя. В результате относительное искажение решетки между двумя точками в кристалле можно рассчитать с использованием сдвигов узоров по крайней мере из четырех неколлинеарных ROI . На практике сдвиги узоров измеряются в более чем 20 ROI на EBSP, чтобы найти наилучшее решение для тензора градиента деформации , представляющего относительное искажение решетки . ^{[примечание 2] [86] [84]}

Тензор градиента смещения ( ) (или локальное искажение решетки) связывает измеренные геометрические сдвиги в шаблоне между собранной точкой ( ) и ассоциированным (некопланарным) вектором ( ), а также эталонной точкой ( ) шаблоном и ассоциированным вектором ( ). Таким образом, вектор (сдвига шаблона) ( ) можно записать как в уравнениях ниже, где и являются направлением и смещением в th направлении соответственно. ^[87] ${\displaystyle \beta }$ ${\displaystyle {\widehat {p}}}$ ${\displaystyle {\widehat {r}}}$ ${\displaystyle p}$ ${\displaystyle r}$ ${\displaystyle q}$ ${\displaystyle x_{i}}$ ${\displaystyle u_{i}}$ ${\displaystyle i}$

${\displaystyle q=\beta r-(\beta r.{\widehat {r}}){\widehat {r}}}$

${\displaystyle \beta ={\begin{pmatrix}{\partial u_{1} \over x_{1}}&{\partial u_{1} \over x_{2}}&{\partial u_{1} \over x_{3}}\\{\partial u_{2} \over x_{1}}&{\partial u_{2} \over x_{2}}&{\partial u_{2} \over x_{3}}\\{\partial u_{3} \over x_{1}}&{\partial u_{3} \over x_{2}}&{\partial u_{3} \over x_{3}}\end{pmatrix}},\qquad r={\begin{pmatrix}{r_{1}}\\{r_{2}}\\{r_{3}}\\\end{pmatrix}}}$

Сдвиги измеряются в плоскости люминофора (детектора) ( ), и соотношение упрощается; таким образом, восемь из девяти компонентов тензора градиента смещения могут быть вычислены путем измерения сдвига в четырех отдельных, широко разнесенных областях на EBSP. ^{[84] [87]} Затем этот сдвиг корректируется в соответствии с рамкой образца (перевернутой вокруг оси Y), поскольку EBSP записывается на экране люминофора и инвертируется как в зеркале. Затем они корректируются вокруг оси X на 24° (т. е. наклон образца 20° плюс наклон камеры ≈4° и предполагается отсутствие углового эффекта от движения луча ^[21] ). Используя теорию бесконечно малых деформаций, градиент деформации затем разделяется на упругую деформацию (симметричная часть, где ), и повороты решетки (асимметричная часть, где ), . ^[84] ${\displaystyle \beta _{3}r_{3}=0}$ ${\displaystyle ij=ji}$ ${\displaystyle e_{ij}}$ ${\displaystyle ii=jj=0}$ ${\displaystyle \omega _{ij}}$

${\displaystyle e_{ij}={1 \over {2}}(\beta _{ij}+\beta _{ij}^{r}),\qquad \omega _{ij}={1 \over {2}}(\beta _{ij}-\beta _{ij}^{r})}$

Эти измерения не дают информации о тензорах объемной/гидростатической деформации. Налагая граничное условие, что напряжение, нормальное к поверхности ( ), равно нулю (т.е. поверхность без натяжения ^[88] ), и используя закон Гука с анизотропными упругими константами жесткости, можно оценить недостающую девятую степень свободы в этой ограниченной задаче минимизации с помощью нелинейного решателя. ^[84] ${\displaystyle \sigma _{33}}$

${\displaystyle \sigma _{33}=C_{33kl}e_{kl}=0}$

Где — кристаллический анизотропный тензор жесткости. Эти два уравнения решаются для пересчета уточненной упругой девиаторной деформации ( ), включая отсутствующий девятый (сферический) тензор деформации. Альтернативный подход, который учитывает полную, можно найти в. ^[88] ${\displaystyle C}$ ${\displaystyle \varepsilon _{kl}}$ ${\displaystyle \beta }$

${\displaystyle e_{ij}={\begin{pmatrix}{e_{11}}\\{e_{22}}\\{e_{33}}\\{e_{12}+e_{21}}\\{e_{13}+e_{31}}\\{e_{23}+e_{32}}\\\end{pmatrix}},\qquad {\begin{pmatrix}{k_{1}}\\{k_{2}}\\{k_{3}}\\\end{pmatrix}}={\begin{pmatrix}{e_{11}-e_{33}}\\{e_{22}-e_{33}}\\{e_{12}C_{3312}+e_{13}C_{3313}+e_{23}C_{3323}}\\\end{pmatrix}}}$

${\displaystyle \varepsilon _{33}={k_{1}C_{1133}+k_{2}C{2233}+k_{3} \over C_{1133}+C_{2233}+C_{3333}},\qquad \therefore \varepsilon _{kl}={\begin{pmatrix}{k_{1}+\varepsilon _{33}}\\{k_{2}+\varepsilon _{33}}\\{\varepsilon _{33}}\\{2e_{12}}\\{2e_{13}}\\{2e_{23}}\\\end{pmatrix}}}$

Наконец, тензоры напряжений и деформаций связаны с помощью тензора анизотропной жесткости кристалла ( ) и с помощью соглашения Эйнштейна о суммировании с симметрией тензоров напряжений ( ). ^[86] ${\displaystyle C_{klij}}$ ${\displaystyle \sigma _{ij}=\sigma _{ji}}$

${\displaystyle \sigma _{ij}=C_{ijkl}\varepsilon _{kl}}$

Качество полученных данных можно оценить, взяв геометрическое среднее всех корреляционных интенсивностей/пиков ROI. Значение ниже 0,25 должно указывать на проблемы с качеством EBSP. ^[87] Кроме того, геометрически необходимую плотность дислокаций (GND) можно оценить из измеренных HR-EBSD вращений решетки, связав ось вращения и угол между соседними точками карты с типами и плотностями дислокаций в материале с помощью тензора Ная. ^{[31] [89] [90]}

Точность и развитие

Метод HR-EBSD может достигать точности ±10−4 ^в компонентах тензоров градиента смещения (т. е. изменений деформации решетки и вращения решетки в радианах) путем измерения смещений осей зон в пределах изображения узора с разрешением ±0,05 пикселей. ^{[84] [91]} Он был ограничен небольшими деформациями и вращениями (>1,5°), пока Бриттон и Уилкинсон ^[86] и Морис и др. ^[92] не подняли предел вращения до ~11°, используя технику повторного отображения, которая пересчитывала деформацию после преобразования узоров с матрицей вращения ( ), рассчитанной из первой итерации кросс-корреляции. ^[1] ${\displaystyle R}$

${\displaystyle R={\begin{pmatrix}\cos \omega _{12}&\sin \omega _{12}&0\\-\sin \omega _{12}&\cos \omega _{12}&0\\0&0&1\end{pmatrix}}{\begin{pmatrix}1&0&0\\0&\cos \omega _{23}&\sin \omega _{23}\\0&-\sin \omega _{23}&\cos \omega _{23}\end{pmatrix}}{\begin{pmatrix}\cos \omega _{31}&0&-\sin \omega _{31}\\0&1&0\\\sin \omega _{31}&0&\cos \omega _{31}\end{pmatrix}}}$

(a) Изображение во вторичных электронах (SE) для индентирования на монокристалле (001). (b) Компоненты напряжения и вращения HR-EBSD, а также геометрически необходимая плотность дислокаций ( ). Местоположение EBSP ₀ выделено звездочкой на . Размер шага составляет 250 нм ^[93] ${\displaystyle \rho _{GND}}$ ${\displaystyle \sigma _{yz}}$

Однако дальнейшее вращение решетки, обычно вызванное сильными пластическими деформациями, приводило к ошибкам в расчетах упругой деформации. Чтобы решить эту проблему, Рагглз и др. ^[94] улучшили точность HR-EBSD даже при 12° вращения решетки, используя обратный композиционный метод Гаусса–Ньютона (ICGN) вместо кросс-корреляции. Для моделируемых шаблонов Вермей и Хофнагельс ^[95] также разработали метод, который обеспечивает точность ±10−5 ^в компонентах градиента смещения, используя структуру полномасштабной интегрированной цифровой корреляции изображений (IDIC) вместо деления EBSP на небольшие области интереса. Шаблоны в IDIC корректируются по искажениям, чтобы исключить необходимость повторного картирования до ~14°. ^{[96] [97]}

Эти измерения не дают информации о гидростатических или объемных деформациях , ^{[86] [84],} поскольку не происходит никаких изменений в ориентации плоскостей решетки (кристаллографических направлениях), а только изменения в положении и ширине полос Кикучи. ^{[99] [100]}

Проблема эталонного образца

В анализе HR-EBSD поле искажения решетки рассчитывается относительно опорного шаблона или точки (EBSP ₀ ) на зерно на карте и зависит от искажения решетки в этой точке. Поле искажения решетки в каждом зерне измеряется относительно этой точки; поэтому абсолютное искажение решетки в опорной точке (относительно недеформированного кристалла) исключается из карт упругой деформации и вращения HR-EBSD. ^{[98] [101]} Эта «проблема опорного шаблона» похожа на «проблему d ₀ » в рентгеновской дифракции, ^{[14] [102]} и влияет на номинальную величину полей напряжений HR-EBSD. Однако выбор опорного шаблона (EBSP ₀ ) играет ключевую роль, поскольку сильно деформированный EBSP ₀ добавляет искажения фантомной решетки к значениям карты, тем самым снижая точность измерений. ^[98]

Коэффициенты линейной корреляции между локальными условиями в точке EBSP0 и усредненными условиями в зерне для ферритной (Fe-α) и аустенитной (Fe-γ) фазы стареющего упрочненного DSS и кремния (Si). Анализ учитывает средний детерминант тензора градиента деформации ( ), максимальную главную деформацию в плоскости ( ), величину вращения ( ), высоту пика корреляции (PH), среднюю угловую ошибку (MAE) и плотность GND. ^[1] ${\displaystyle A^{0}}$ ${\displaystyle \epsilon _{MAX}}$ ${\displaystyle \omega _{T}={\sqrt {(}}\omega _{32}^{2}+\omega _{13}^{2}+\omega _{21}^{2})}$

Локальное искажение решетки в EBSP ₀ влияет на результирующую карту HR-EBSD, например, деформированный при растяжении эталонный образец напрямую уменьшит величину деформации растяжения карты HR-EBSD, косвенно влияя на величину другого компонента и пространственное распределение деформации. Кроме того, выбор EBSP ₀ немного влияет на распределение и величину плотности GND, а выбор эталонного образца с более высокой плотностью GND снижает качество кросс-корреляции, изменяет пространственное распределение и вызывает больше ошибок, чем выбор эталонного образца с высоким искажением решетки. Кроме того, нет очевидной связи между IQ EBSP ₀ и локальным искажением решетки EBSP _0. ^[1]

Использование моделированных эталонных образцов для измерения абсолютной деформации по-прежнему является активной областью исследований ^{[61] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109]} и тщательного изучения ^{[98] [109] [110] [111] [112] [113],} поскольку трудности возникают из-за изменения неупругого рассеяния электронов с глубиной, что ограничивает точность моделей динамической дифракции, и неточного определения центра образца, что приводит к фантомным компонентам деформации, которые отменяются при использовании экспериментально полученных эталонных образцов. Другие методы предполагали, что абсолютная деформация при EBSP ₀ может быть определена с использованием моделирования конечно-элементной пластичности кристалла (CPFE), которое затем может быть объединено с данными HR-EBSD (например, с использованием линейного метода «дополнения» ^{[114] [115]} или интегрирования смещения ^[93] ) для расчета абсолютных искажений решетки.

Кроме того, оценка плотности GND номинально нечувствительна к выбору EBSP _{0 (или пренебрежимо мало зависит от него} ^{[116] [117]} ) , поскольку для расчета плотности GND используются только различия между соседними точками в картах вращения решетки. ^{[118] [119]} Однако это предполагает, что абсолютное искажение решетки EBSP ₀ изменяет только компоненты карты относительного вращения решетки на постоянную величину, которая исчезает во время производных операций, т. е. распределение искажения решетки нечувствительно к выбору EBSP _0. ^{[101] [1]}

Выбор эталонного образца

Критерием выбора EBSP ₀ может быть один или несколько из следующих критериев:

• Выбор из точек с низкой плотностью GND или низкой средней разориентацией ядра (KAM) на основе измеренных Хафом локальных разориентаций зерен; ^[120]
• Выбор из точек с высоким качеством изображения (IQ), которые могут иметь низкую плотность дефектов в пределах своего объема электронного взаимодействия, поэтому предполагается, что это область с низкой деформацией поликристаллического материала. ^{[99] [121]} Однако IQ не несет четкого физического смысла, ^[122] и величины измеренного относительного искажения решетки нечувствительны к IQ EBSP ₀ ; ^{[101] [1]}
• EBSP ₀ также можно вручную выбрать, чтобы он находился вдали от потенциальных концентраций напряжений, таких как границы зерен, включения или трещины, используя субъективные критерии; ^[101]
• Выбор EBSP ₀ после изучения эмпирической связи между параметром кросс-корреляции и угловой ошибкой, используемой в итеративном алгоритме для определения оптимального эталонного шаблона, который максимизирует точность HR-EBSD. ^[1]

Эти критерии предполагают, что эти параметры могут указывать на условия деформации в контрольной точке, что может обеспечить точные измерения до 3,2×10−4 ^{упругой} деформации. ^[91] Однако экспериментальные измерения указывают на неточность HR-EBSD в определении распределения и величины компонентов деформации сдвига вне плоскости. ^{[123] [124]}

Приложения

EBSD используется в широком спектре приложений, включая материаловедение и инженерию, ^[14] геологию, ^[125] и биологические исследования. ^{[126] [127]} В материаловедении и инженерии EBSD используется для изучения микроструктуры металлов, керамики и полимеров, а также для разработки моделей поведения материалов . ^[128] В геологии EBSD используется для изучения кристаллографической структуры минералов и горных пород. В биологических исследованиях EBSD используется для изучения микроструктуры биологических тканей и исследования структуры биологических материалов, таких как кости и зубы. ^[129]

Визуализация рассеянных электронов

Детекторы EBSD могут иметь диоды прямого рассеяния электронов (FSD) внизу, в середине (MSD) и в верхней части детектора. Визуализация прямого рассеяния электронов (FSE) включает сбор электронов, рассеянных под малыми углами от поверхности образца, что дает информацию о топографии и составе поверхности. ^{[130] [131]} Сигнал FSE также чувствителен к кристаллографической ориентации образца. Анализируя интенсивность и контрастность сигнала FSE, исследователи могут определить кристаллографическую ориентацию каждого пикселя на изображении. ^[132]

Сигнал FSE обычно собирается одновременно с сигналом BSE в анализе EBSD. Сигнал BSE чувствителен к среднему атомному номеру образца и используется для создания изображения топографии и состава поверхности. Сигнал FSE накладывается на изображение BSE для предоставления информации о кристаллографической ориентации. ^{[132] [130]}

Генерация изображений имеет большую свободу при использовании детектора EBSD в качестве устройства формирования изображений. Изображение, созданное с использованием комбинации диодов, называется виртуальным или VFSD. Можно получать изображения со скоростью, схожей с медленной сканирующей визуализацией в SEM, путем чрезмерного биннинга EBSD CCD-камеры. Можно подавить или изолировать интересующий контраст, создавая составные изображения из одновременно полученных изображений, что предлагает широкий диапазон комбинаций для оценки различных характеристик микроструктуры. Тем не менее, изображения VFSD не включают количественную информацию, присущую традиционным картам EBSD; они просто предлагают представления микроструктуры. ^{[130] [131]}

Интегрированное отображение EBSD/EDS

Когда может быть достигнут одновременный сбор EDS/EBSD, возможности обоих методов могут быть улучшены. ^[133] Существуют приложения, в которых химия или фаза образца не могут быть дифференцированы только с помощью EDS из-за схожего состава, а структура не может быть решена только с помощью EBSD из-за неоднозначных структурных решений. ^{[134] [135]} Для выполнения интегрированного картирования область анализа сканируется, и в каждой точке сохраняются пики Хафа и подсчеты интересующих областей EDS. Положения фаз определяются на рентгеновских картах, а измеренные интенсивности EDS каждого элемента приводятся в диаграммах. Диапазоны химической интенсивности устанавливаются для каждой фазы для выбора зерен. ^[136] Затем все шаблоны повторно индексируются в автономном режиме. Записанный химический состав определяет, какой файл фазы/кристаллической структуры используется для индексации каждой точки. Каждый шаблон индексируется только одной фазой, и генерируются карты, отображающие выделенные фазы. Объемы взаимодействия для EDS и EBSD существенно различаются (порядка микрометров по сравнению с десятками нанометров ), и форма этих объемов при использовании сильно наклоненного образца может иметь последствия для алгоритмов фазовой дискриминации. ^{[48] [137]}

EBSD, при использовании вместе с другими методами в SEM, такими как катодолюминесценция (CL), ^[138] волновая дисперсионная рентгеновская спектроскопия (WDS) ^[139] и/или EDS, может обеспечить более глубокое понимание свойств образца и улучшить идентификацию фаз. ^{[140] [141]} Например, минералы кальцит ( известняк ) и арагонит ( ракушка ) имеют одинаковый химический состав – карбонат кальция (CaCO3 ₎ , поэтому EDS/WDS не может различить их, но они имеют разные микрокристаллические структуры, поэтому EBSD может различать их. ^{[142] [143]}

Интегрированное отображение EBSD/DIC

EBSD и цифровая корреляция изображений (DIC) могут использоваться вместе для анализа микроструктуры и деформационного поведения материалов. DIC — это метод, который использует методы цифровой обработки изображений для измерения полей деформации и напряжения в материалах. ^[144] Объединяя EBSD и DIC, исследователи могут одновременно получать как кристаллографическую, так и механическую информацию о материале. ^[145] Это позволяет более полно понять взаимосвязь между микроструктурой и механическим поведением, что особенно полезно в таких областях, как материаловедение и инженерия. ^[146]

DIC может идентифицировать области локализации деформации в материале, в то время как EBSD может предоставить информацию о микроструктуре в этих областях. Объединяя эти методы, исследователи могут получить представление о механизмах, ответственных за наблюдаемую локализацию деформации. ^[147] Например, EBSD может использоваться для определения ориентации зерен и разориентаций границ до и после деформации. Напротив, DIC может использоваться для измерения полей деформации в материале во время деформации. ^{[148] [149]} Или EBSD может использоваться для определения активации различных систем скольжения во время деформации, в то время как DIC может использоваться для измерения связанных полей деформации. ^[150] Сопоставляя эти данные, исследователи могут лучше понять роль различных механизмов деформации в механическом поведении материала. ^[151]

В целом, сочетание EBSD и DIC обеспечивает мощный инструмент для исследования микроструктуры и деформационного поведения материалов. Этот подход может быть применен к широкому спектру материалов и условий деформации и имеет потенциал для получения информации о фундаментальных механизмах, лежащих в основе механического поведения. ^{[149] [152]}

3D EBSD

3D EBSD карта для WC -6% Co с 62 срезами размером 10×10×3 мм и разрешением 50 нм в направлениях x, y и z ^[153]

3D EBSD объединяет EBSD с методами последовательного секционирования для создания трехмерной карты кристаллографической структуры материала. ^[154] Метод включает последовательное секционирование образца на тонкие срезы, а затем использование EBSD для картирования кристаллографической ориентации каждого среза. ^[155] Полученные карты ориентации затем объединяются для создания трехмерной карты кристаллографической структуры материала. Серийное секционирование может быть выполнено с использованием различных методов, включая механическую полировку , ^[156] фрезерование сфокусированным ионным пучком (FIB) ^[157] или ультрамикротомию . ^[158] Выбор метода секционирования зависит от размера и формы образца, его химического состава, реакционной способности и механических свойств, а также желаемого разрешения и точности трехмерной карты. ^[159]

3D EBSD имеет несколько преимуществ по сравнению с традиционным 2D EBSD. Во-первых, он обеспечивает полную картину кристаллографической структуры материала, что позволяет проводить более точный и подробный анализ микроструктуры. ^[160] Во-вторых, его можно использовать для изучения сложных микроструктур, таких как те, которые встречаются в композитных материалах или многофазных сплавах. В-третьих, его можно использовать для изучения эволюции микроструктуры с течением времени, например, во время деформации ^[161] или термической обработки. ^[162]

Однако 3D EBSD также имеет некоторые ограничения. Он требует обширного сбора и обработки данных, правильного выравнивания между срезами и может быть трудоемким и вычислительно интенсивным. ^[163] Кроме того, качество 3D-карты зависит от качества отдельных EBSD-карт, на которые могут влиять такие факторы, как подготовка образца, параметры сбора данных и методы анализа. ^{[154] [164]} В целом, 3D EBSD является мощным методом изучения кристаллографической структуры материалов в трех измерениях и широко используется в материаловедении и инженерных исследованиях и разработках. ^{[165] [149]}

Примечания

1. На этой странице термины «погрешность» и «точность» используются в соответствии с определениями, данными в руководстве Международного бюро мер и весов (BIPM) по неопределенности измерений. На практике «погрешность», «точность» и «неопределенность», а также «истинное значение» и «наилучшее предположение» являются синонимами. Точность — это дисперсия (или стандартное отклонение) между всеми оценочными величинами. Смещение — это разница между средним значением измеренных значений и независимо измеренным «наилучшим предположением». Точность — это сочетание смещения и точности. ^[1]
2. Деформация, искажение и деформация могут относиться к нескольким величинам в различных областях. Здесь они используются следующим образом. Механически нагруженный объект изменяет форму в ответ на приложенную нагрузку; при измерении в механической испытательной рамке это называется (полной) инженерной деформацией . Пластическая деформация — это изменение формы, которое сохраняется после снятия макроскопической нагрузки. В микромасштабе пластическая деформация в большинстве кристаллических материалов обеспечивается скольжением дислокаций и деформационным двойникованием . Однако дислокации также генерируются в материале по мере развития пластической деформации, и дислокации с похожим кристаллографическим характером и знаком, которые оказываются рядом друг с другом в материале (например, выстраиваются в полосе скольжения), можно охарактеризовать как GND. Увеличение пластической деформации в поликристалле также упруго искажает кристаллическую решетку, чтобы вместить дефекты кристалла (например, ядра дислокаций), группы дефектов (например, стенки ячеек дислокаций) и сохранить совместимость на границах зерен поликристалла . Это искажение решетки может быть выражено как тензор градиента деформации , который может быть разложен на компоненты упругой деформации (симметричные) и вращения решетки (антисимметричные). ^[85] В этой статье «искажение решетки» относится к компонентам упругой деформации, полученным из тензоров градиента деформации, упругой деформации и вращения решетки.

Ссылки

1. Koko, Abdalrhaman; Tong, Vivian; Wilkinson, Angus J. ; Marrow, T. James (2023). "Итеративный метод выбора эталонного образца в дифракции обратного рассеяния электронов высокого разрешения (HR-EBSD)". Ультрамикроскопия . 248 : 113705. arXiv : 2206.10242 . doi :10.1016/j.ultramic.2023.113705. PMID  36871367. S2CID  249889699. В данной статье использован текст из этого источника, доступный по лицензии CC BY 4.0.
2. Веспуччи, С.; Винкельманн, А.; Нареш-Кумар, Г.; Мингард, КП; Манеуски, Д.; Эдвардс, П. Р.; Дэй, А. П.; О'Ши, В.; Трейгер-Коуэн, К. (2015). "Цифровая прямая электронная визуализация энергетически отфильтрованных электронных дифракционных картин обратного рассеяния". Physical Review B. 92 ( 20): 205301. Bibcode : 2015PhRvB..92t5301V. doi : 10.1103/PhysRevB.92.205301 .
3. Randle, Valerie (сентябрь 2009 г.). «Дифракция обратного рассеяния электронов: стратегии надежного получения и обработки данных». Materials Characterization . 60 (9): 913–922. doi :10.1016/j.matchar.2009.05.011.
4. Голдштейн, Джозеф И.; Ньюбери, Дейл Э.; Майкл, Джозеф Р.; Ричи, Николас В. М.; Скотт, Джон Генри Дж.; Джой, Дэвид К. (2018), «Обратнорассеянные электроны», Сканирующая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ , Нью-Йорк, Нью-Йорк: Springer New York, стр. 15–28, doi : 10.1007/978-1-4939-6676-9_2, ISBN 978-1-4939-6674-5
5. Винкельманн, Аймо; Нолце, Герт (2010). «Анализ инверсии контраста полосы Кикучи в картинах дифракции обратного рассеяния электронов на кремнии». Ультрамикроскопия . 110 (3): 190–194. doi :10.1016/j.ultramic.2009.11.008. PMID  20005045.
6. Шварцер, Роберт А.; Филд, Дэвид П.; Адамс, Брент Л.; Кумар, Мукул; Шварц, Адам Дж. (2009), Шварц, Адам Дж.; Кумар, Мукул; Адамс, Брент Л.; Филд, Дэвид П. (ред.), «Современное состояние дифракции обратного рассеяния электронов и перспективные разработки», Дифракция обратного рассеяния электронов в материаловедении , Бостон, Массачусетс: Springer US, стр. 1–20, doi : 10.1007/978-0-387-88136-2_1, ISBN 978-0-387-88136-2, ОСТИ  964094
7. Venables, JA; Harland, CJ (1973). «Картины обратного рассеяния электронов — новый метод получения кристаллографической информации в сканирующем электронном микроскопе». The Philosophical Magazine . 27 (5): 1193–1200. Bibcode : 1973PMag...27.1193V. doi : 10.1080/14786437308225827.
8. Чен, Дельфийский; Куо, Цзюй-Чао; Ву, Вэнь-Туань (2011). «Влияние микроскопических параметров на пространственное разрешение EBSD». Ультрамикроскопия . 111 (9): 1488–1494. doi :10.1016/j.ultramic.2011.06.007. PMID  21930021.
9. разрешения EBSD». Микроскопия и микроанализ . 11. doi : 10.1017/s1431927605506445 . S2CID  138097039.
10. Дил, Эндрю; Тао, Сяодун; Идс, Элвин (2005). «EBSD-геометрия в СЭМ: моделирование и представление». Анализ поверхности и интерфейса . 37 (11): 1017–1020. doi : 10.1002/sia.2115 . S2CID  122757345.
11. Randle, Valerie (2000), Schwartz, Adam J.; Kumar, Mukul; Adams, Brent L. (ред.), "Теоретическая основа для дифракции обратного рассеяния электронов", Electron Backscatter Diffraction in Materials Science , Boston, MA: Springer US, стр. 19–30, doi :10.1007/978-1-4757-3205-4_2, ISBN 978-1-4757-3205-4
12. Goulden, J.; Trimby, P.; Bewick, A. (1 августа 2018 г.). «Преимущества и применение детектора EBSD на основе КМОП». Микроскопия и микроанализ . 24 (S1): 1128–1129. Bibcode : 2018MiMic..24S1128G. doi : 10.1017/s1431927618006128 . S2CID  139967518.
13. Eades, Alwyn; Deal, Andrew; Bhattacharyya, Abhishek; Hooghan, Tejpal (2009), Schwartz, Adam J.; Kumar, Mukul; Adams, Brent L.; Field, David P. (ред.), "Energy Filtering in EBSD", Electron Backscatter Diffraction in Materials Science , Boston, MA, стр. 53–63, doi :10.1007/978-0-387-88136-2_4, ISBN 978-0-387-88136-2
14. Уилкинсон, Ангус Дж.; Бриттон, Т. Бен. (2012). «Напряжения, плоскости и EBSD в материаловедении». Materials Today . 15 (9): 366–376. doi : 10.1016/S1369-7021(12)70163-3 .
15. Sawatzki, Simon; Woodcock, Thomas G.; Güth, Konrad; Müller, Karl-Hartmut; Gutfleisch, Oliver (2015). «Расчет остаточной намагниченности и степени текстуры из гистограмм ориентации EBSD и кривых качания XRD в спеченных магнитах Nd–Fe–B». Журнал магнетизма и магнитных материалов . 382 : 219–224. Bibcode : 2015JMMM..382..219S. doi : 10.1016/j.jmmm.2015.01.046.
16. Nishikawa, S.; Kikuchi, S. (июнь 1928). «Дифракция катодных лучей на слюде». Nature . 121 (3061): 1019–1020. Bibcode :1928Natur.121.1019N. doi :10.1038/1211019a0. ISSN  0028-0836.
17. Tixier, R.; Waché, C. (1970). "Kossel patterns". Журнал прикладной кристаллографии . 3 (6): 466–485. Bibcode : 1970JApCr...3..466T. doi : 10.1107/S0021889870006726.
18. Мейтленд, Тим; Сицман, Скотт (2007), Чжоу, Вейли; Ван, Чжун Линь (ред.), «Детектор обратного рассеяния и EBSD в характеристике наноматериалов», Сканирующая микроскопия для нанотехнологий: методы и приложения , Нью-Йорк, Нью-Йорк: Springer, стр. 41–75, doi :10.1007/978-0-387-39620-0_2, ISBN 978-0-387-39620-0
19. Alam, MN; Blackman, M.; Pashley, DW (1954). «Высокоугловые узоры Кикучи». Труды Лондонского королевского общества. Серия A. Математические и физические науки . 221 (1145): 224–242. Bibcode : 1954RSPSA.221..224A. doi : 10.1098/rspa.1954.0017. S2CID  97131764.
20. Дингли, DJ; Райт, SI; Новелл, MM (август 2005 г.). «Динамическая фоновая коррекция дифракционных картин обратного рассеяния электронов». Микроскопия и микроанализ . 11 (S02). doi : 10.1017/S1431927605506676 . S2CID  137658758.
21. Бриттон, ТБ; Цзян, Дж.; Го, Ю.; Вилальта-Клементе, А.; Уоллис, Д.; Хансен, Л.Н.; Винкельманн, А.; Уилкинсон, Эй Джей (2016). «Учебное пособие: Ориентация кристаллов и EBSD — или куда вверх?». Характеристика материалов . 117 : 113–126. дои : 10.1016/j.matchar.2016.04.008 . hdl : 10044/1/31250 . S2CID  138070296.
22. Koko, A. Mohamed (2022). In situ full-field characterization of strain conversions (deformation twins, slip strips and cracks) (PhD thesis). Оксфордский университет. Архивировано из оригинала 1 февраля 2023 г. В данной статье использован текст из этого источника, доступный по лицензии CC BY 4.0.
23. Ноуэлл, Мэтью М.; Витт, Рональд А.; Тру, Брайан В. (2005). «Подготовка образцов EBSD: методы, советы и рекомендации». Микроскопия сегодня . 13 (4): 44–49. doi : 10.1017/s1551929500053669 . S2CID  139585885.
24. Koko, Abdalrhaman; Elmukashfi, Elsiddig; Becker, Thorsten H.; Karamched, Phani S.; Wilkinson, Angus J.; Marrow, T. James (2022). "In situ характеристика полей деформации внутризеренных полос скольжения в феррите с помощью высокоразрешающей дифракции обратного рассеяния электронов". Acta Materialia . 239 : 118284. Bibcode :2022AcMat.23918284K. doi : 10.1016/j.actamat.2022.118284 . S2CID  251783802. В данной статье использован текст из этого источника, доступный по лицензии CC BY 4.0.
25. "Методы подготовки образцов для анализа EBSD (дифракция обратного рассеяния электронов)". AZoNano.com . 15 ноября 2013 г. Архивировано из оригинала 2 марта 2023 г.
26. Уильямс, Б. Дэвид (2009). Просвечивающая электронная микроскопия: учебник по материаловедению . Plenum Press. стр. 11. ISBN 978-0-387-76501-3. OCLC  633626308.
27. Бриттон, ТБ; Цзян, Дж.; Клаф, Р.; Тарлтон, Э.; Киркланд, А.И.; Уилкинсон, А.Дж. (2013). «Оценка точности измерений деформации с использованием дифракции обратного рассеяния электронов – Часть 2: Экспериментальная демонстрация». Ультрамикроскопия . 135 : 136–141. doi :10.1016/j.ultramic.2013.08.006. PMID  24034981.
28. Jiang, J.; Britton, TB; Wilkinson, AJ (2013). «Эволюция распределений плотности дислокаций в меди во время деформации растяжения». Acta Materialia . 61 (19): 7227–7239. Bibcode :2013AcMat..61.7227J. doi : 10.1016/j.actamat.2013.08.027 .
29. Абдолванд, Хамидреза; Уилкинсон, Ангус Дж. (2016). «О влиянии переориентации и сдвига при формировании двойников: сравнение экспериментов по дифракции обратного рассеяния электронов с высоким разрешением и модели конечных элементов пластичности кристаллов». Международный журнал пластичности . 84 : 160–182. doi : 10.1016/j.ijplas.2016.05.006 . S2CID  139049848.
30. Коко, Абдалраман; Беккер, Торстен Х.; Элмукашфи, Элсиддиг; Пуньо, Никола М.; Уилкинсон, Ангус Дж.; Марроу, Т. Джеймс (2023). "HR-EBSD анализ роста стабильных трещин in situ в микронном масштабе". Журнал механики и физики твердого тела . 172 : 105173. arXiv : 2206.10243 . Bibcode : 2023JMPSo.17205173K. doi : 10.1016/j.jmps.2022.105173. S2CID  249889649.
31. Wilkinson, Angus J.; Randman, David (2010). «Определение полей упругой деформации и геометрически необходимых распределений дислокаций вблизи наноиндентов с использованием дифракции обратного рассеяния электронов» (PDF) . Philosophical Magazine . 90 (9): 1159–1177. Bibcode :2010PMag...90.1159W. doi :10.1080/14786430903304145. S2CID  121903030. Архивировано (PDF) из оригинала 3 марта 2023 г. . Получено 20 марта 2023 г. .
32. Гриффитс, А. Дж. В.; Вальтер, Т. (2010). «Количественная оценка загрязнения углеродом при облучении электронным пучком в сканирующем просвечивающем электронном микроскопе и его подавление плазменной очисткой». Journal of Physics: Conference Series . 241 (1): 012017. Bibcode : 2010JPhCS.241a2017G. doi : 10.1088/1742-6596/241/1/012017 . S2CID  250689401.
33. Koko, Abdalrhaman; Elmukashfi, Elsiddig; Dragnevski, Kalin; Wilkinson, Angus J.; Marrow, Thomas James (2021). "J-интегральный анализ полей упругой деформации ферритовых деформационных двойников с использованием дифракции обратного рассеяния электронов". Acta Materialia . 218 : 117203. Bibcode :2021AcMat.21817203K. doi :10.1016/j.actamat.2021.117203. Архивировано из оригинала 5 июля 2022 г. . Получено 20 марта 2023 г. .
34. Бахманн, Ф.; Хильшер, Ральф; Шебен, Хельмут (2010). «Анализ текстур с помощью MTEX ​​– бесплатный и открытый исходный программный инструментарий». Явления твердого тела . 160 : 63–68. doi :10.4028/www.scientific.net/SSP.160.63. S2CID  136017346.
35. Powell, CJ; Jablonski, A. (2011). «Поверхностная чувствительность оже-электронной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии». Журнал анализа поверхности . 17 (3): 170–176. doi : 10.1384/jsa.17.170 .
36. Piňos, J.; Mikmeková, Š.; Frank, L. (2017). «Об информационной глубине визуализации обратно рассеянных электронов». Журнал микроскопии . 266 (3): 335–342. doi :10.1111/jmi.12542. PMID  28248420. S2CID  35266526.
37. Zaefferer, S. (2007). «О механизмах формирования, пространственном разрешении и интенсивности паттернов обратного рассеяния Кикучи». Ультрамикроскопия . 107 (2): 254–266. doi :10.1016/j.ultramic.2006.08.007. PMID  17055170.
38. Seah, MP (2001). «Краткое изложение стандарта ISO/TC 201: VIII, ISO 18115:2001 — Химический анализ поверхности — Словарь». Анализ поверхности и интерфейса . 31 (11): 1048–1049. doi :10.1002/sia.1139. S2CID  97982609.
39. Дингли, Д. (2004). «Прогрессивные шаги в развитии электронной дифракции обратного рассеяния и микроскопии ориентационной визуализации: EBSD и OIM». Журнал микроскопии . 213 (3): 214–224. doi :10.1111/j.0022-2720.2004.01321.x. PMID  15009688. S2CID  41385346.
40. Isabell, Thomas C.; Dravid, Vinayak P. (1 июня 1997 г.). «Разрешение и чувствительность дифракции обратно рассеянных электронов в холодном полевом эмиссионном пистолете SEM». Ультрамикроскопия . Frontiers in Electron Microscopy in Materials Science. 67 (1): 59–68. doi :10.1016/S0304-3991(97)00003-X.
41. Хамфрис, Ф. Дж. (2004). «Характеристика мелкомасштабных микроструктур с помощью дифракции обратного рассеяния электронов (EBSD)». Scripta Materialia . Набор точек зрения № 35. Металлы и сплавы со структурным масштабом от микрометра до атомных размеров. 51 (8): 771–776. doi :10.1016/j.scriptamat.2004.05.016.
42. Goldstein, Joseph I.; Newbury, Dale E.; Michael, Joseph R.; Ritchie, Nicholas WM; Scott, John Henry J.; Joy, David C. (2018), Goldstein, Joseph I.; Newbury, Dale E.; Michael, Joseph R.; Ritchie, Nicholas WM (ред.), «Видимость особенностей на изображениях, полученных с помощью СЭМ», Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis , New York, New York: Springer, стр. 123–131, doi : 10.1007/978-1-4939-6676-9_8 , ISBN 978-1-4939-6676-9
43. Zhu, Chaoyi; De Graef, Marc (2020). "Моделирование паттернов EBSD для объема взаимодействия, содержащего дефекты решетки". Ультрамикроскопия . 218 : 113088. doi : 10.1016/j.ultramic.2020.113088 . PMID  32784084. S2CID  221123906.
44. Ren, SX; Kenik, EA; Alexander, KB (1997). «Моделирование Монте-Карло пространственного разрешения для дифракции обратно рассеянных электронов (EBSD) с применением к двухфазным материалам». Микроскопия и микроанализ . 3 (S2): 575–576. Bibcode : 1997MiMic...3S.575R. doi : 10.1017/S1431927600009764. S2CID  137029133. Архивировано из оригинала 25 марта 2023 г. . Получено 20 марта 2023 г. .
45. Бродуш, Николас; Демерс, Хендрикс; Говен, Рейнальд (2018). «Получение изображений с помощью коммерческой камеры с дифракцией обратного рассеяния электронов (EBSD) в сканирующем электронном микроскопе: обзор». Journal of Imaging . 4 (7): 88. doi : 10.3390/jimaging4070088 .
46. Мичиёси, Танака (1988). Электронная дифракция сходящегося пучка (PDF) . Jeol. OCLC  312738225. Архивировано (PDF) из оригинала 20 марта 2023 г. . Получено 20 марта 2023 г. .
47. Winkelmann, Aimo (2009), Schwartz, Adam J.; Kumar, Mukul; Adams, Brent L.; Field, David P. (ред.), "Динамическое моделирование картин дифракции обратного рассеяния электронов", Electron Backscatter Diffraction in Materials Science , Boston, MA: Springer US, стр. 21–33, doi :10.1007/978-0-387-88136-2_2, ISBN 978-0-387-88136-2, S2CID  122806598
48. El-Dasher, Bassem; Deal, Andrew (2009), Schwartz, Adam J.; Kumar, Mukul; Adams, Brent L.; Field, David P. (ред.), «Применение дифракции обратного рассеяния электронов для идентификации фаз», Electron Backscatter Diffraction in Materials Science , Boston, MA: Springer US, стр. 81–95, doi : 10.1007/978-0-387-88136-2_6, ISBN 978-0-387-88136-2, заархивировано из оригинала 25 марта 2023 г. , извлечено 20 марта 2023 г.
49. «Новая технология обеспечивает детальное представление кристаллической структуры металлов». Новости MIT | Массачусетский технологический институт . 6 июля 2016 г. Архивировано из оригинала 2 марта 2023 г.
50. Дифракция обратного рассеяния электронов в материаловедении (2-е изд.). Springer Science+Business Media. 2009. стр. 1. ISBN 978-0-387-88135-5.
51. Райт, Стюарт И.; Чжао, Цзюнь-Ву; Адамс, Брент Л. (1991). «Автоматизированное определение ориентации решетки с помощью дифракционных картин Кикучи, рассеянных электронами». Текстура, напряжение и микроструктура . 13 (2–3): 123–131. doi : 10.1155/TSM.13.123 .
52. Райт, Стюарт И.; Адамс, Брент Л.; Кунце, Карстен (1993). «Применение новой автоматической методики измерения ориентации решетки к поликристаллическому алюминию». Materials Science and Engineering: A . 160 (2): 229–240. doi :10.1016/0921-5093(93)90452-K.
53. Лассен, Нильс Хр. Кригер (1992). «Автоматическое определение ориентации кристаллов с помощью EBSP». Micron and Microscopica Acta . 23 (1): 191–192. doi :10.1016/0739-6260(92)90133-X.
54. Кригер Лассен, NC; Юул Йенсен, Dorte; Кондрадсен, K. (1994). «Автоматическое распознавание деформированных и рекристаллизованных областей в частично рекристаллизованных образцах с использованием моделей обратного рассеяния электронов». Materials Science Forum . 157–162: 149–158. doi :10.4028/www.scientific.net/msf.157-162.149. S2CID  137129038.
55. Райт, Стюарт И.; Новелл, Мэтью М.; Линдеман, Скотт П.; Камю, Патрик П.; Де Греф, Марк; Джексон, Майкл А. (2015). «Введение и сравнение новых методов постобработки EBSD». Ультрамикроскопия . 159 : 81–94. doi : 10.1016/j.ultramic.2015.08.001 . PMID  26342553.
56. Рэндл, Валери (2009). «Дифракция обратного рассеяния электронов: стратегии надежного получения и обработки данных». Характеристика материалов . 60 (9): 913–922. doi :10.1016/j.matchar.2009.05.011.
57. Lassen, Niels Christian Krieger (1994). Автоматизированное определение ориентаций кристаллов по образцам обратного рассеяния электронов (PDF) (диссертация на соискание ученой степени доктора философии). Технический университет Дании. Архивировано (PDF) из оригинала 8 марта 2022 г.
58. Sitzman, Scott; Schmidt, Niels-Henrik; Palomares-Garcia, Alberto; Munoz-Moreno, Rocio; Goulden, Jenny (2015). «Addressing Pseudo-Symmetric Misindexing in EBSD Analysis of γ-TiAl with High Accuracy Band Detection». Микроскопия и микроанализ . 21 (S3): 2037–2038. Bibcode : 2015MiMic..21S2037S. doi : 10.1017/s143192761501096x . S2CID  51964340.
59. Lenthe, W.; Singh, S.; De Graef, M. (2019). «Прогнозирование потенциальных проблем псевдосимметрии при индексации картин дифракции обратного рассеяния электронов». Журнал прикладной кристаллографии . 52 (5): 1157–1168. Bibcode : 2019JApCr..52.1157L. doi : 10.1107/S1600576719011233. OSTI  1575873. S2CID  204108200.
60. Дингли, Дэвид Дж.; Райт, СИ (2009), Шварц, Адам Дж.; Кумар, Мукул; Адамс, Брент Л.; Филд, Дэвид П. (ред.), «Идентификация фаз через определение симметрии в EBSD-паттернах», Electron Backscatter Diffraction in Materials Science , Бостон, Массачусетс: Springer US, стр. 97–107, doi :10.1007/978-0-387-88136-2_7, ISBN 978-0-387-88136-2
61. Winkelmann, Aimo; Trager-Cowan, Carol; Sweeney, Francis; Day, Austin P.; Parbrook, Peter (2007). «Многолучевое динамическое моделирование дифракционных картин обратного рассеяния электронов». Ультрамикроскопия . 107 (4): 414–421. doi :10.1016/j.ultramic.2006.10.006. PMID  17126489.
62. Бриттон, ТБ; Тонг, ВС; Хики, Дж.; Фоден, А.; Уилкинсон, А.Дж. (2018). «AstroEBSD: исследование нового пространства в индексации паттернов с помощью методов, запущенных из астрономического подхода». Журнал прикладной кристаллографии . 51 (6): 1525–1534. arXiv : 1804.02602 . Bibcode : 2018JApCr..51.1525B. doi : 10.1107/S1600576718010373. S2CID  51687153.
63. Бриттон, Томас Бенджамин; Тонг, Вивиан С.; Хики, Джим; Фоден, Алекс; Уилкинсон, Ангус Дж. (2018). «AstroEBSD: исследование нового пространства в индексации паттернов с помощью методов, запущенных из астрономического подхода». Журнал прикладной кристаллографии . 51 (6): 1525–1534. arXiv : 1804.02602 . Bibcode : 2018JApCr..51.1525B. doi : 10.1107/S1600576718010373. S2CID  51687153.
64. Панг, Эдвард Л.; Ларсен, Питер М.; Шух, Кристофер А. (2020). «Глобальная оптимизация для точного определения центров паттернов EBSD». Ультрамикроскопия . 209 : 112876. arXiv : 1908.10692 . doi : 10.1016/j.ultramic.2019.112876. PMID  31707232. S2CID  201651309.
65. Танака, Томохито; Уилкинсон, Ангус Дж. (1 июля 2019 г.). «Анализ сопоставления образцов дифракционных картин обратного рассеяния электронов для определения центра образца, ориентации кристалла и абсолютной упругой деформации – оценка точности и прецизионности». Ультрамикроскопия . 202 : 87–99. arXiv : 1904.06891 . doi : 10.1016/j.ultramic.2019.04.006. PMID  31005023. S2CID  119294636.
66. Foden, A.; Collins, DM; Wilkinson, AJ; Britton, TB (2019). «Индексирование картин дифракции обратного рассеяния электронов с использованием подхода с уточненным соответствием шаблону». Ультрамикроскопия . 207 : 112845. arXiv : 1807.11313 . doi : 10.1016/j.ultramic.2019.112845. PMID  31586829. S2CID  203307560.
67. Джексон, MA; Паскаль, E.; Де Греф, M. (2019). «Словарная индексация картин дифракции обратного рассеяния электронов: практическое руководство». Интеграция инноваций в области материалов и производства . 8 (2): 226–246. doi :10.1007/s40192-019-00137-4. S2CID  182073071.
68. Дингли, DJ; Рэндл, V. (1992). «Определение микротекстуры методом дифракции обратного рассеяния электронов». Журнал материаловедения . 27 (17): 4545–4566. Bibcode : 1992JMatS..27.4545D. doi : 10.1007/BF01165988. S2CID  137281137.
69. Адамс, Брент Л. (1997). «Ориентационная микроскопия изображений: новые и будущие приложения». Ультрамикроскопия . Frontiers in Electron Microscopy in Materials Science. 67 (1): 11–17. doi :10.1016/S0304-3991(96)00103-9.
70. Хильшер, Ральф; Бартель, Феликс; Бриттон, Томас Бенджамин (2019). «Взгляд на хрустальные шары: анализ картины дифракции обратного рассеяния электронов и кросс-корреляция на сфере». Ультрамикроскопия . 207 : 112836. arXiv : 1810.03211 . doi : 10.1016/j.ultramic.2019.112836. PMID  31539865. S2CID  202711517.
71. Хильшер, Р.; Зильберманн, К. Б.; Шмидл, Э.; Илеманн, Йорн (2019). «Устранение шума в картах ориентации кристаллов». Журнал прикладной кристаллографии . 52 (5): 984–996. Bibcode : 2019JApCr..52..984H. doi : 10.1107/s1600576719009075. S2CID  202068671.
72. Адамс, Брент Л.; Райт, Стюарт И.; Кунце, Карстен (1993). «Ориентационная визуализация: возникновение новой микроскопии». Metallurgical Transactions A. 24 ( 4): 819–831. Bibcode : 1993MTA....24..819A. doi : 10.1007/BF02656503. S2CID  137379846.
73. Рэндл, Валери; Энглер, Олаф (2000). Введение в анализ текстуры: макротекстура, микротекстура и картирование ориентации (Цифровая печать, 2003 г.). Бока-Ратон: CRC Press . ISBN 978-9056992248.
74. Prior (1999). «Проблемы определения осей разориентации для малых угловых разориентаций с использованием дифракции обратно рассеянных электронов в СЭМ». Журнал микроскопии . 195 (3): 217–225. doi :10.1046/j.1365-2818.1999.00572.x. PMID  10460687. S2CID  10144078.
75. Хамфрис, Ф. Дж. (2001). «Обзор характеристик зерен и субзерен с помощью дифракции обратного рассеяния электронов». Журнал материаловедения . 36 (16): 3833–3854. doi :10.1023/A:1017973432592. S2CID  135659350.
76. Wilkinson, Angus J.; Hirsch, Peter B. (1997). «Методы на основе электронной дифракции в сканирующей электронной микроскопии объемных материалов». Micron . 28 (4): 279–308. arXiv : 1904.05550 . doi :10.1016/S0968-4328(97)00032-2. S2CID  118944816.
77. Ши, Цивэй; Ру, Стефан; Латурт, Феликс; Хильд, Франсуа (2019). «Оценка упругой деформации с помощью интегрированной корреляции изображений на картинах дифракции электронов». Ультрамикроскопия . 199 : 16–33. doi : 10.1016/j.ultramic.2019.02.001 . PMID  30738984. S2CID  73418370.
78. Lassen, NC Krieger; Jensen, Dorte Juul; Condradsen, K. (1994). «Автоматическое распознавание деформированных и рекристаллизованных областей в частично рекристаллизованных образцах с использованием картин обратного рассеяния электронов». Materials Science Forum . 157–162: 149–158. doi :10.4028/www.scientific.net/MSF.157-162.149. S2CID  137129038. Архивировано из оригинала 2 марта 2023 г. . Получено 2 марта 2023 г. .
79. Wilkinson, AJ (1 января 1997 г.). «Методы определения упругих деформаций по дифракции обратного рассеяния электронов и схемам каналирования электронов». Materials Science and Technology . 13 (1): 79–84. Bibcode : 1997MatST..13...79W. doi : 10.1179/mst.1997.13.1.79.
80. Troost, KZ; van der Sluis, P.; Gravesteijn, DJ (1993). «Определение упругой деформации на микроуровне методом дифракции Кикучи обратного рассеяния в сканирующем электронном микроскопе». Applied Physics Letters . 62 (10): 1110–1112. Bibcode : 1993ApPhL..62.1110T. doi : 10.1063/1.108758.
81. Уилкинсон, А. Дж.; Дингли, Д. Дж. (1991). «Количественные исследования деформации с использованием моделей обратного рассеяния электронов». Acta Metallurgica et Materialia . 39 (12): 3047–3055. doi :10.1016/0956-7151(91)90037-2.
82. Уилкинсон, Ангус Дж. (1996). «Измерение упругих деформаций и малых вращений решетки с использованием дифракции обратного рассеяния электронов». Ультрамикроскопия . 62 (4): 237–247. doi :10.1016/0304-3991(95)00152-2. PMID  22666906.
83. Wilkinson, AJ; Meaden, G.; Dingley, DJ (1 ноября 2006 г.). «Высокоразрешающее картирование деформаций и вращений с использованием дифракции обратного рассеяния электронов». Materials Science and Technology . 22 (11): 1271–1278. Bibcode : 2006MatST..22.1271W. doi : 10.1179/174328406X130966. S2CID  135875163. Архивировано из оригинала 25 марта 2023 г. Получено 20 марта 2023 г.
84. Уилкинсон, Ангус Дж.; Миден, Грэм; Дингли, Дэвид Дж. (2006). «Измерение упругой деформации с высоким разрешением по дифракционным картинам обратного рассеяния электронов: новые уровни чувствительности». Ультрамикроскопия . 106 (4): 307–313. doi :10.1016/j.ultramic.2005.10.001. PMID  16324788.
85. Барабаш, Розалия; Айс, Джин (2013). Градиенты деформации и дислокации из дифракции . doi :10.1142/p897. ISBN 978-1-908979-62-9.
86. Бриттон, TB; Уилкинсон, AJ (2012). «Измерения дифракции обратного рассеяния электронов высокого разрешения для определения изменений упругой деформации при наличии больших поворотов решетки». Ультрамикроскопия . 114 : 82–95. doi :10.1016/j.ultramic.2012.01.004. PMID  22366635.
87. Wilkinson, Angus J.; Dingley, David J.; Meaden, Graham (2009), Schwartz, Adam J.; Kumar, Mukul; Adams, Brent L.; Field, David P. (ред.), «Картирование деформации с использованием дифракции обратного рассеяния электронов», Electron Backscatter Diffraction in Materials Science , Boston, MA: Springer US, стр. 231–249, doi :10.1007/978-0-387-88136-2_17, ISBN 978-0-387-88136-2
88. Hardin, TJ; Ruggles, TJ; Koch, DP; Niezgoda, SR; Fullwood, DT; Homer, ER (2015). «Анализ предположения об отсутствии трения в измерениях EBSD с высоким разрешением: ПРЕДПОЛОЖЕНИЕ ОБ ОТСУТСТВИИ ТЯГИ HR-EBSD». Журнал микроскопии . 260 (1): 73–85. doi :10.1111/jmi.12268. PMID  26138919. S2CID  25692536.
89. Pantleon, W. (1 июня 2008 г.). «Определение геометрически необходимого содержания дислокаций с помощью обычной дифракции обратного рассеяния электронов». Scripta Materialia . 58 (11): 994–997. doi :10.1016/j.scriptamat.2008.01.050.
90. Брюэр, Люк Н.; Филд, Дэвид П.; Мерриман, Колин К. (2009), Шварц, Адам Дж.; Кумар, Мукул; Адамс, Брент Л.; Филд, Дэвид П. (ред.), «Картирование и оценка пластической деформации с использованием EBSD», Дифракция обратного рассеяния электронов в материаловедении , Бостон, Массачусетс: Springer US, стр. 251–262, doi :10.1007/978-0-387-88136-2_18, ISBN 978-0-387-88136-2
91. Plancher, E.; Petit, J.; Maurice, C.; Favier, V.; Saintoyant, L.; Loisnard, D.; Rupin, N.; Marijon, J.-B.; Ulrich, O.; Bornert, M.; Micha, J.-S.; Robach, O.; Castelnau, O. (1 марта 2016 г.). "О точности измерений поля упругой деформации с помощью микродифракции Лауэ и высокоразрешающей EBSD: эксперимент по перекрестной проверке" (PDF) . Experimental Mechanics . 56 (3): 483–492. doi :10.1007/s11340-015-0114-1. S2CID  255157494. Архивировано (PDF) из оригинала 13 марта 2020 г. . Получено 20 марта 2023 г.
92. Морис, Клэр; Драйвер, Джулиан Х.; Фортунье, Роланд (2012). «О решении зависимости градиента ориентации высокого углового разрешения EBSD». Ультрамикроскопия . 113 : 171–181. doi :10.1016/j.ultramic.2011.10.013.
93. Koko, Abdalrhaman; Marrow, James; Elmukashfi, Elsiddig (12 июня 2022 г.). «Вычислительный метод определения поля упругого смещения с использованием измеренного поля упругой деформации». arXiv : 2107.10330 [cond-mat.mtrl-sci]. В данной статье использован текст из этого источника, доступный по лицензии CC BY 4.0.
94. Рагглз, Т. Дж.; Бомарито, Г. Ф.; Цю, Р. Л.; Хоххальтер, Дж. Д. (1 декабря 2018 г.). «Новые уровни производительности EBSD с высоким угловым разрешением с помощью обратной композиционной корреляции цифровых изображений на основе Гаусса–Ньютона». Ультрамикроскопия . 195 : 85–92. doi : 10.1016/j.ultramic.2018.08.020. PMC 7780544. PMID  30216795 . 
95. Vermeij, T.; Hoefnagels, JPM (2018). "A conformal full-field integrated DIC framework for HR-EBSD" (PDF) . Ультрамикроскопия . 191 : 44–50. doi :10.1016/j.ultramic.2018.05.001. PMID  29772417. S2CID  21685690. Архивировано (PDF) из оригинала 16 июля 2021 г. . Получено 20 марта 2023 г. .
96. Эрну, Клеман; Босир, Бенуа; Фунденбергер, Жан-Жак; Топин, Винсент; Бузи, Эммануэль (2021). «Комплексная коррекция оптических искажений для глобальных методик HR-EBSD». Ультрамикроскопия . 221 : 113158. doi : 10.1016/j.ultramic.2020.113158 . PMID  33338818. S2CID  228997006.
97. Ши, Цивэй; Луанар, Доминик; Дэн, Чэнъи; Чжан, Фэнго; Чжун, Хунжу; Ли, Хань; Ли, Юда; Чэнь, Чжэ; Ван, Хаовэй; Ру, Стефан (2021). "Калибровка ориентации кристалла и центра узора EBSD с использованием интегрированной цифровой корреляции изображений" (PDF) . Характеристика материалов . 178 : 111206. doi :10.1016/j.matchar.2021.111206. S2CID  236241507. Архивировано (PDF) из оригинала 25 марта 2023 г. . Получено 20 марта 2023 г. .
98. Морис, Клэр; Фортунье, Роланд; Драйвер, Джулиан; Дэй, Остин; Мингард, Кен; Миден, Грэм (2010). "Комментарии к статье "Моделирование дифракции по закону Брэгга для анализа дифракции обратного рассеяния электронов" Джоша Качера, Колина Лэндона, Брента Л. Адамса и Дэвида Фуллвуда". Ультрамикроскопия . 110 (7): 758–759. doi :10.1016/j.ultramic.2010.02.003. PMID  20223590.
99. Райт, Стюарт И.; Новелл, Мэтью М. (2006). «Картирование качества изображения EBSD». Микроскопия и микроанализ . 12 (1): 72–84. Bibcode : 2006MiMic..12...72W. doi : 10.1017/s1431927606060090 . PMID  17481343. S2CID  35055001.
100. Цзян, Цзюнь; Чжан, Тяньтянь; Данн, Фионн ПЭ; Бриттон, Т. Бен (2016). «Совместимость деформаций в монокристаллическом суперсплаве Ni». Труды Королевского общества A: Математические, физические и инженерные науки . 472 (2185): 20150690. Bibcode : 2016RSPSA.47250690J. doi : 10.1098/rspa.2015.0690. PMC 4786046. PMID  26997901 . 
101. Миками, Йошики; Ода, Казуо; Камая, Масаюки; Мочизуки, Масахито (2015). «Влияние выбора опорной точки на микроскопическое измерение напряжения с использованием EBSD». Materials Science and Engineering: A . 647 : 256–264. doi :10.1016/j.msea.2015.09.004.
102. Koko, A.; Earp, P.; Wigger, T.; Tong, J.; Marrow, TJ (2020). "J-интегральный анализ: сравнительное исследование EDXD и DIC для усталостной трещины". International Journal of Fatigue . 134 : 105474. doi : 10.1016/j.ijfatigue.2020.105474. S2CID  214391445. Архивировано из оригинала 27 января 2021 г. Получено 20 марта 2023 г.
103. Кэчер, Джош; Лэндон, Колин; Адамс, Брент Л.; Фуллвуд, Дэвид (1 августа 2009 г.). «Моделирование дифракции по закону Брэгга для анализа дифракции обратного рассеяния электронов». Ультрамикроскопия . 109 (9): 1148–1156. doi :10.1016/j.ultramic.2009.04.007. PMID  19520512.
104. Винкельманн, А.; Нольце, Г.; Вос, М.; Сальват-Пужоль, Ф.; Вернер, В. С. М. (2016). «Физические имитационные модели для EBSD: достижения и проблемы». Серия конференций IOP: Материаловедение и инженерия . 109 (1): 012018. arXiv : 1505.07982 . Bibcode : 2016MS&E..109a2018W. doi : 10.1088/1757-899x/109/1/012018. S2CID  38586851.
105. Алькорта, Джон; Мартельер, Матье; Жак, Паскаль Ж. (2017). «Улучшенная процедура моделирования HR-EBSD с использованием методов DIC на основе градиента изображения». Ультрамикроскопия . 182 : 17–27. doi :10.1016/j.ultramic.2017.06.015. PMID  28644960.
106. Winkelmann, Aimo; Nolze, Gert; Cios, Grzegorz; Tokarski, Tomasz; Bała, Piotr; Hourahine, Ben; Trager-Cowan, Carol (ноябрь 2021 г.). "Kikuchi pattern simulations of backscattered and passed electrons" (PDF) . Journal of Microscopy . 284 (2): 157–184. doi :10.1111/jmi.13051. PMID  34275156. S2CID  236091618. Архивировано (PDF) из оригинала 25 марта 2023 г. . Получено 20 марта 2023 г. .
107. Винкельманн, А. (2010). «Принципы моделирования паттерна Кикучи с разрешением по глубине для дифракции обратного рассеяния электронов: МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАТТЕРНА КИКУЧИ ДЛЯ EBSD». Журнал микроскопии . 239 (1): 32–45. doi :10.1111/j.1365-2818.2009.03353.x. PMID  20579267. S2CID  23590722.
108. Vermeij, Tijmen; De Graef, Marc; Hoefnagels, Johan (15 марта 2019 г.). «Демонстрация потенциала точной абсолютной корреляции напряжений и ориентации зерен с использованием дифракции обратного рассеяния электронов». Scripta Materialia . 162 : 266–271. arXiv : 1807.03908 . doi :10.1016/j.scriptamat.2018.11.030. S2CID  54575778.
109. Tanaka, Tomohito; Wilkinson, Angus J. (1 июля 2019 г.). «Анализ сопоставления образцов дифракционных картин обратного рассеяния электронов для определения центра образца, ориентации кристалла и абсолютной упругой деформации – оценка точности и прецизионности». Ультрамикроскопия . 202 : 87–99. arXiv : 1904.06891 . doi : 10.1016/j.ultramic.2019.04.006. PMID  31005023. S2CID  119294636.
110. Кэчер, Джош; Бейсингер, Джей; Адамс, Брент Л.; Фуллвуд, Дэвид Т. (1 июня 2010 г.). "Ответ на комментарий Мориса и др. в ответ на "Моделирование дифракции по закону Брэгга для анализа дифракции обратного рассеяния электронов"". Ультрамикроскопия . 110 (7): 760–762. doi :10.1016/j.ultramic.2010.02.004. PMID  20189305.
111. Бриттон, ТБ; Морис, К.; Фортунье, Р.; Драйвер, Дж. Х.; Дэй, А. П.; Миден, Г.; Дингли, Д. Д.; Мингард, К.; Уилкинсон, А. Дж. (2010). «Факторы, влияющие на точность дифракции обратного рассеяния электронов высокого разрешения при использовании смоделированных шаблонов». Ультрамикроскопия . 110 (12): 1443–1453. doi :10.1016/j.ultramic.2010.08.001. PMID  20888125.
112. Alkorta, Jon (1 августа 2013 г.). «Ограничения моделирования на основе EBSD высокого разрешения». Ультрамикроскопия . 131 : 33–38. doi :10.1016/j.ultramic.2013.03.020. PMID  23676453.
113. Джексон, Брайан Э.; Кристенсен, Джордан Дж.; Сингх, Саранш; Де Грэф, Марк; Фуллвуд, Дэвид Т.; Гомер, Эрик Р.; Вагонер, Роберт Х. (август 2016 г.). «Характеристики динамически моделируемых эталонных образцов для дифракции обратного рассеяния электронов с кросс-корреляцией». Микроскопия и микроанализ . 22 (4): 789–802. Bibcode : 2016MiMic..22..789J. doi : 10.1017/S143192761601148X. PMID  27509538. S2CID  24482631.
114. Чжан, Тяньтянь; Коллинз, Дэвид М.; Данн, Фионн П.Е.; Шоллок, Барбара А. (2014). «Пластичность кристаллов и анализ дифракции обратного рассеяния электронов высокого разрешения при деформациях и вращениях поликристаллического суперсплава Ni полного поля под тепловой нагрузкой». Acta Materialia . 80 : 25–38. doi :10.1016/j.actamat.2014.07.036. hdl : 10044/1/25979 .
115. Го, И; Зонг, Цуй; Бриттон, ТБ (2021). «Развитие локальной пластичности вокруг пустот во время деформации растяжения». Материаловедение и инженерия: A . 814 : 141227. arXiv : 2007.11890 . doi :10.1016/j.msea.2021.141227. S2CID  234850241.
116. Jiang, J.; Britton, TB; Wilkinson, AJ (1 ноября 2013 г.). «Эволюция распределения плотности дислокаций в меди во время деформации растяжения». Acta Materialia . 61 (19): 7227–7239. Bibcode :2013AcMat..61.7227J. doi : 10.1016/j.actamat.2013.08.027 .
117. Бриттон, ТБ; Хики, Дж. Л. Р. (2018). «Понимание деформации с помощью дифракции обратного рассеяния электронов с высоким угловым разрешением (HR-EBSD)». Серия конференций IOP: Материаловедение и инженерия . 304 (1): 012003. arXiv : 1710.00728 . Bibcode : 2018MS&E..304a2003B. doi : 10.1088/1757-899x/304/1/012003. S2CID  54529072.
118. Калачка, Сильвия; Данхази, Золтан; Зилахи, Дьюла; Медер, Ксавьер; Михлер, Иоганн; Испановити, Петер Душан; Грома, Иштван (2020). «Исследование геометрически необходимых дислокационных структур в сжатых микростолбиках меди с помощью трехмерного HR-EBSD». Материаловедение и инженерия: А. 770 : 138499. arXiv : 1906.06980 . doi : 10.1016/j.msea.2019.138499. S2CID  189928469. Архивировано из оригинала 17 июля 2020 года . Проверено 20 марта 2023 г.
119. Уоллис, Дэвид; Хансен, Ларс Н.; Бриттон, Т. Бен; Уилкинсон, Ангус Дж. (2017). «Взаимодействия дислокаций в оливине, выявленные с помощью HR-EBSD: взаимодействия дислокаций в оливине». Журнал геофизических исследований: Solid Earth . 122 (10): 7659–7678. doi :10.1002/2017JB014513. hdl : 10044/1/50615 . S2CID  134570945.
120. Мусса, C; Бернацки, M; Беснард, R; Боццоло, N (2015). «О количественном EBSD-анализе субструктур деформации и восстановления в чистом тантале». Серия конференций IOP: Материаловедение и инженерия . 89 (1): 012038. Bibcode : 2015MS&E...89a2038M. doi : 10.1088/1757-899x/89/1/012038 . S2CID  53137730.
121. Райт, Стюарт И.; Мэтью, М. Новелл; Дэвид, П. Филд. (2011). «Обзор анализа деформации с использованием дифракции обратного рассеяния электронов». Микроскопия и микроанализ . 17. 17 (3): 316–329. Bibcode :2011MiMic..17..316W. doi :10.1017/S1431927611000055. PMID  21418731. S2CID  26116915.
122. Тао, Сяодун; Идс, Элвин (2002). «Альтернативы картированию качества изображения (IQ) в EBSD». Микроскопия и микроанализ . 8 (S02): 692–693. Bibcode : 2002MiMic...8S.692T. doi : 10.1017/s1431927602106465 . S2CID  138999871.
123. Маклин, Марк Дж.; Осборн, Уильям А. (2018). «Картирование упругой деформации in-situ во время микромеханических испытаний с использованием EBSD». Ультрамикроскопия . 185 : 21–26. doi :10.1016/j.ultramic.2017.11.007. PMID  29161620.
124. Юй, Хунбин; Лю, Цзюньлян; Карамчед, Фани; Уилкинсон, Ангус Дж.; Хофманн, Феликс (2019). «Картирование полного тензора деформации решетки одиночной дислокации с помощью высокоугловой трансмиссионной дифракции Кикучи (HR-TKD)». Scripta Materialia . 164 : 36–41. arXiv : 1808.10055 . doi : 10.1016/j.scriptamat.2018.12.039 . S2CID  119075799.
125. Прайор, Дэвид Дж.; Мариани, Элизабетта; Уилер, Джон (2009), «EBSD в науках о Земле: приложения, общепринятая практика и проблемы», Electron Backscatter Diffraction in Materials Science , Бостон, Массачусетс: Springer US, стр. 345–360, doi :10.1007/978-0-387-88136-2_26, ISBN 978-0-387-88135-5
126. Чой, Сын; Хан, Сокён; Ли, Юн-Нам (2019). Рахман, Имран (ред.). «Анализ дифракции обратного рассеяния электронов (EBSD) яичной скорлупы манираптора с важными последствиями для микроструктурных и тафономических интерпретаций». Палеонтология . 62 (5): 777–803. Bibcode : 2019Palgy..62..777C. doi : 10.1111/pala.12427. S2CID  182770470.
127. Вулф, Кеннеди; Смит, Эбигейл М.; Тримби, Патрик; Бирн, Мария (1 августа 2013 г.). «Микроструктура раковины бумажного наутилуса ( Argonauta nodosa ) и новое применение дифракции обратного рассеяния электронов (EBSD) для устранения последствий закисления океана». Морская биология . 160 (8): 2271–2278. Bibcode : 2013MarBi.160.2271W. doi : 10.1007/s00227-012-2032-4. S2CID  253745873.
128. Piazolo, S.; Jessell, MW; Prior, DJ; Bons, PD (2004). «Интеграция экспериментальных in-situ EBSD наблюдений и численного моделирования: новый метод анализа микроструктурных процессов». Журнал микроскопии . 213 (3): 273–284. doi :10.1111/j.0022-2720.2004.01304.x. PMID  15009695. S2CID  24037204.
129. Коблишка-Венева, Анжела; Коблишка, Михаэль Р.; Шмаух, Йорг; Ханниг, Маттиас (2018). «Человеческая зубная эмаль: шедевр натуральной нанотехнологии, исследованный с помощью TEM и t-EBSD». Nano Research . 11 (7): 3911–3921. doi :10.1007/s12274-018-1968-1. S2CID  139757769.
130. Райт, Стюарт И.; Новелл, Мэтью М.; де Кло, Рене; Камю, Патрик; Рэмптон, Трэвис (2015). «Электронная визуализация с помощью детектора EBSD». Ультрамикроскопия . 148 : 132–145. doi : 10.1016/j.ultramic.2014.10.002 . PMID  25461590.
131. Schwarzer, Robert A; Hjelen, Jarle (9 января 2015 г.). «Визуализация обратно рассеянных электронов с помощью детектора EBSD». Microscopy Today . 23 (1): 12–17. doi : 10.1017/S1551929514001333 . S2CID  138740715.
132. Tong, Vivian S.; Knowles, Alexander J.; Dye, David; Britton, T. Ben (1 января 2019 г.). «Картирование дифракции обратного рассеяния электронов: рисование по номерам». Характеристика материалов . 147 : 271–279. arXiv : 1809.07283 . doi : 10.1016/j.matchar.2018.11.014. S2CID  119328762.
133. "Распознавание фаз с похожими кристаллическими структурами с использованием дифракции обратного рассеяния электронов (EBSD) и энергодисперсионной рентгеновской спектрометрии (EDS)". AZoNano.com . 2015. Архивировано из оригинала 2 марта 2023 г.
134. Nolze, G.; Geist, V.; Neumann, R. Saliwan; Buchheim, M. (2005). «Исследование ориентационных соотношений с помощью EBSD и EDS на примере железного метеорита Уотсон». Crystal Research and Technology . 40 (8): 791–804. Bibcode : 2005CryRT..40..791N. doi : 10.1002/crat.200410434 . S2CID  96785527.
135. «Раскрытие крошечных дефектов, из-за которых материалы выходят из строя». Physics World . 29 ноября 2022 г. Архивировано из оригинала 3 марта 2023 г.
136. Келл, Дж.; Тайрер, Дж. Р.; Хиггинсон, Р. Л.; Томсон, Р. К. (2005). «Микроструктурная характеристика автогенных лазерных сварных швов на нержавеющей стали 316L с использованием EBSD и EDS». Журнал микроскопии . 217 (2): 167–173. doi :10.1111/j.1365-2818.2005.01447.x. PMID  15683414. S2CID  12285114.
137. West, GD; Thomson, RC (2009). «Комбинированная EBSD/EDS томография в двухлучевом FIB/FEG-SEM». Журнал микроскопии . 233 (3): 442–450. doi :10.1111/j.1365-2818.2009.03138.x. PMID  19250465. S2CID  42955621.
138. Moser, DE; Cupelli, CL; Barker, IR; Flowers, RM; Bowman, JR; Wooden, J.; Hart, JR (2011). Davis, William J. (ред.). "Новые явления удара циркона и их использование для датирования и реконструкции крупных ударных структур, выявленных с помощью электронного нанолуча (EBSD, CL, EDS) и изотопного анализа U–Pb и (U–Th)/He купола ВредефортаЭта статья является одной из серии статей, опубликованных в этом специальном выпуске на тему геохронологии в честь Тома Крога". Canadian Journal of Earth Sciences . 48 (2): 117–139. Bibcode :2011CaJES..48..117D. doi :10.1139/E11-011.
139. Laigo, J.; Christien, F.; Le Gall, R.; Tancret, F.; Furtado, J. (2008). "SEM, EDS, EPMA-WDS и EBSD-характеристика карбидов в жаропрочных сплавах типа HP". Materials Characterization . 59 (11): 1580–1586. doi :10.1016/j.matchar.2008.02.001.
140. "Микромасштабный анализ литийсодержащих соединений и сплавов". AZoM.com . 18 января 2023 г. Архивировано из оригинала 17 февраля 2023 г.
141. Вишневский, Вольфганг; Шванчарек, Петер; Прнова, Анна; Парховянский, Милан; Галусек, Душан (2020). «Кристаллизация микросфер Y2O3–Al2O3, проанализированная методом дифракции обратного рассеяния электронов (EBSD)». Scientific Reports . 10 (1): 11122. Bibcode :2020NatSR..1011122W. doi :10.1038/s41598-020-67816-7. PMC 7338460 . PMID  32632218. 
142. Офуджи, Хироаки; Ямамото, Масаси (2015). «Количественное определение легких элементов с помощью EDS-покрытия поверхности». Журнал минералогических и петрологических наук . 110 (4): 189–195. Bibcode : 2015JMPeS.110..189O. doi : 10.2465/jmps.141126 . S2CID  93672390.
143. Фрам, Эллери (2014), «Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ): применение в археологии», Энциклопедия глобальной археологии , Нью-Йорк, Нью-Йорк: Springer New York, стр. 6487–6495, doi :10.1007/978-1-4419-0465-2_341, ISBN 978-1-4419-0426-3
144. Stinville, JC; Callahan, PG; Charpagne, MA; Echlin, MP; Valle, V.; Pollock, TM (2020). «Прямые измерения необратимости скольжения в суперсплаве на основе никеля с использованием корреляции цифровых изображений высокого разрешения». Acta Materialia . 186 : 172–189. Bibcode : 2020AcMat.186..172S. doi : 10.1016/j.actamat.2019.12.009 . OSTI  1803462. S2CID  213631580.
145. Charpagne, Marie-Agathe; Strub, Florian; Pollock, Tresa M. (2019). «Точная реконструкция наборов данных EBSD с помощью подхода к мультимодальным данным с использованием эволюционного алгоритма». Характеристика материалов . 150 : 184–198. arXiv : 1903.02988 . doi : 10.1016/j.matchar.2019.01.033. S2CID  71144677.
146. Чжао, Чонг; Стюарт, Дэвид; Цзян, Джун; Данн, Фионн ПЭ (2018). «Сравнительная оценка деформации твердосплавного покрытия на основе железа и кобальта с использованием HR-EBSD и HR-DIC». Acta Materialia . 159 : 173–186. Bibcode : 2018AcMat.159..173Z. doi : 10.1016/j.actamat.2018.08.021. hdl : 10044/1/68967 . S2CID  139436094.
147. Ороско-Кабальеро, Альберто; Джексон, Томас; да Фонсека, Жоау Кинта (2021). «Корреляционное исследование локализации деформации при нагружении дробеструйного суперсплава на основе никеля RR1000 с помощью цифровых изображений высокого разрешения» (PDF) . Акта Материалия . 220 : 117306. Бибкод : 2021AcMat.22017306O. doi :10.1016/j.actamat.2021.117306. S2CID  240539022. Архивировано (PDF) из оригинала 25 марта 2023 года . Проверено 20 марта 2023 г.
148. Ye, Zhenhua; Li, Chuanwei; Zheng, Mengyao; Zhang, Xinyu; Yang, Xudong; Gu, Jianfeng (2022). "Исследование механизма деформации и разрушения на основе in situ EBSD/DIC в высокоэнтропийных сплавах FeCoNiV с ГЦК- и L12-структурой". International Journal of Plasticity . 152 : 103247. doi : 10.1016/j.ijplas.2022.103247. S2CID  246553822.
149. Хестроффер, Джонатан М.; Стинвиль, Жан-Шарль; Шарпань, Мари-Агата; Миллер, Мэтью П.; Поллок, Треса М.; Байерляйн, Ирен Дж. (2023). «Поведение локализации скольжения на тройных стыках в суперсплавах на основе никеля». Акта Материалия . 249 : 118801. Бибкод : 2023AcMat.24918801H. doi :10.1016/j.actamat.2023.118801. S2CID  257216017.
150. Sperry, Ryan; Han, Songyang; Chen, Zhe; Daly, Samantha H .; Crimp, Martin A.; Fullwood, David T. (2021). "Сравнение EBSD, DIC, AFM и ECCI для идентификации активной системы скольжения в деформированном Ti-7Al". Характеристика материалов . 173 : 110941. doi : 10.1016/j.matchar.2021.110941 . S2CID  233839426.
151. Гао, Вэньцзе; Лу, Цзюнься; Чжоу, Цзяньли; Лю, Линъэнь; Ван, Джин; Чжан, Юэфэй; Чжан, Цзе (2022). «Влияние размера зерна на деформацию и разрушение Inconel718: исследование SEM-EBSD-DIC на месте». Материаловедение и инженерия: А. 861 : 144361. doi : 10.1016/j.msea.2022.144361. S2CID  253797056.
152. Ди Джоаккино, Фабио; Кинта да Фонсека, Жуан (2015). «Экспериментальное исследование поликристаллической пластичности аустенитной нержавеющей стали». Международный журнал пластичности . 74 : 92–109. doi : 10.1016/j.ijplas.2015.05.012 .
153. Мингард, КП; Робак, Б.; Джонс, Х.Г.; Стюарт, М.; Кокс, Д.; Джи, МГ (2018). «Визуализация и измерение микроструктур твердых сплавов в 3D». Международный журнал огнеупорных металлов и твердых материалов . 71 : 285–291. doi :10.1016/j.ijrmhm.2017.11.023.
154. Lin, FX; Godfrey, A.; Jensen, D. Juul; Winther, G. (2010). "3D EBSD характеристика деформационных структур в алюминии коммерческой чистоты". Materials Characterization . 61 (11): 1203–1210. doi :10.1016/j.matchar.2010.07.013.
155. Хорашадизаде, А.; Раабе, Д.; Зафферер, С.; Рорер, Г.С.; Роллетт, А.Д.; Виннинг, М. (2011). «Пятипараметрический анализ границ зерен с помощью 3D EBSD ультрамелкозернистого сплава CuZr, обработанного равноканальным угловым прессованием». Advanced Engineering Materials . 13 (4): 237–244. doi :10.1002/adem.201000259. S2CID  18389821.
156. Tsai, Shao-Pu; Konijnenberg, Peter J.; Gonzalez, Ivan; Hartke, Samuel; Griffiths, Thomas A.; Herbig, Michael; Kawano-Miyata, Kaori; Taniyama, Akira; Sano, Naoyuki; Zaefferer, Stefan (2022). "Разработка новой, полностью автоматизированной системы для трехмерного картирования микроструктуры большого объема на основе дифракции обратного рассеяния электронов (EBSD) с использованием последовательного секционирования путем механической полировки и ее применение для анализа специальных границ в нержавеющей стали 316L". Review of Scientific Instruments . 93 (9): 093707. Bibcode : 2022RScI...93i3707T. doi : 10.1063/5.0087945 . PMID  36182491. S2CID  252628156.
157. Zaafarani, N.; Raabe, D.; Singh, RN; Roters, F.; Zaefferer, S. (2006). «Трехмерное исследование текстуры и микроструктуры под наноиндентом в монокристалле Cu с использованием 3D EBSD и моделирования конечно-элементной пластичности кристалла». Acta Materialia . 54 (7): 1863–1876. Bibcode :2006AcMat..54.1863Z. doi :10.1016/j.actamat.2005.12.014. hdl : 11858/00-001M-0000-0019-5A14-4 .
158. Хашимото, Теруо; Томпсон, Джордж Э.; Чжоу, Сяоронг; Уизерс, Филип Дж. (2016). «3D-визуализация с помощью последовательной сканирующей электронной микроскопии лицевых поверхностей блоков для материаловедения с использованием ультрамикротомии». Ультрамикроскопия . 163 : 6–18. doi : 10.1016/j.ultramic.2016.01.005 . PMID  26855205.
159. ДеМотт, Райан; Хагдади, Нима; Конг, Чарли; Гандомкар, Зиба; Кенни, Мэтью; Коллинз, Питер; Примиг, Софи (2021). "3D-характеристика дифракции обратного рассеяния электронов тонких микроструктур α-титана: методы сбора, реконструкции и анализа". Ультрамикроскопия . 230 : 113394. doi : 10.1016/j.ultramic.2021.113394 . PMID  34614440. S2CID  238422160.
160. Konrad, J.; Zaefferer, S.; Raabe, D. (2006). «Исследование градиентов ориентации вокруг твердой частицы Лавеса в теплокатаном сплаве на основе Fe3Al с использованием трехмерной техники EBSD-FIB». Acta Materialia . 54 (5): 1369–1380. Bibcode :2006AcMat..54.1369K. doi : 10.1016/j.actamat.2005.11.015 .
161. Калькагнотто, Мэрион; Понж, Дирк; Демир, Эральп; Раабе, Дирк (2010). «Градиенты ориентации и геометрически необходимые дислокации в сверхмелкозернистых двухфазных сталях, изученные с помощью 2D и 3D EBSD». Materials Science and Engineering: A . 527 (10): 2738–2746. doi :10.1016/j.msea.2010.01.004.
162. Gholinia, A.; Brough, I.; Humphreys, J.; McDonald, D.; Bate, P. (2010). «Исследование динамической рекристаллизации бронзы Cu–Sn с использованием 3D EBSD». Materials Science and Technology . 26 (6): 685–690. Bibcode : 2010MatST..26..685G. doi : 10.1179/026708309X12547309760966. S2CID  137530768.
163. Пиргази, Хади (2019). «О выравнивании данных 3D EBSD, собранных методом последовательного секционирования». Характеристика материалов . 152 : 223–229. doi :10.1016/j.matchar.2019.04.026. S2CID  149835216.
164. Winiarski, B.; Gholinia, A.; Mingard, K.; Gee, M.; Thompson, G.; Withers, PJ (2021). «Коррекция артефактов, связанных с большой площадью EBSD». Ультрамикроскопия . 226 : 113315. doi : 10.1016/j.ultramic.2021.113315 . PMID  34049196. S2CID  235241941.
165. Конийненберг, П.Дж.; Цефферер, С.; Раабе, Д. (2015). «Оценка геометрически необходимых уровней дислокаций, полученных с помощью 3D EBSD». Акта Материалия . 99 : 402–414. Бибкод : 2015AcMat..99..402K. doi :10.1016/j.actamat.2015.06.051.

Дальнейшее чтение

• «Дифракция обратно рассеянных электронов (EBSD)». DoITPoMS .
• Britton, T. Ben ; Jiang, Jun; Guo, Y.; Vilalta-Clemente, A.; Wallis, D.; Hansen, LN; Winkelmann, A.; Wilkinson, AJ (июль 2016 г.). «Учебное пособие: Ориентации кристаллов и EBSD — или какой путь вверх?». Характеристика материалов . 117 : 113–126. doi : 10.1016/j.matchar.2016.04.008 . hdl : 10044/1/31250 . S2CID  138070296.
• Charpagne, Marie-Agathe; Strub, Florian; Pollock, Tresa M. (апрель 2019 г.). «Точная реконструкция наборов данных EBSD с помощью подхода к мультимодальным данным с использованием эволюционного алгоритма». Характеристика материалов . 150 : 184–198. arXiv : 1903.02988 . doi : 10.1016/j.matchar.2019.01.033. S2CID  71144677.
• Джексон, МА; Паскаль, Э.; Де Греф, М. (2019). «Словарная индексация дифракционных картин обратного рассеяния электронов: практическое руководство». Интеграция инноваций в области материалов и производства . 8 (2): 226–246. doi :10.1007/s40192-019-00137-4. S2CID  182073071.
• Рэндл, Валери (сентябрь 2009 г.). «Дифракция обратного рассеяния электронов: стратегии надежного получения и обработки данных». Характеристика материалов . 60 (90): 913–922. doi :10.1016/j.matchar.2009.05.011.
• Шварц, Адам Дж.; Кумар, Мукул; Адамс, Брент Л.; Филд, Дэвид П., ред. (2009). Дифракция обратного рассеяния электронов в материаловедении (2-е изд.). Нью-Йорк, Нью-Йорк: Springer New York, Нью-Йорк (опубликовано 12 августа 2009 г.). doi :10.1007/978-0-387-88136-2. ISBN 978-0-387-88135-5.
• Зафферер, С.; Раабе, Д .; А., Хорашадизаде. «Томографическая ориентационная микроскопия (3D EBSD) на сталях с использованием совместной техники FIB SEM». Институт исследований железа Общества Макса Планка .

Внешние ссылки

Коды

• Де Греф, М. (июль 2017 г.). "EMsoft (симуляция EBSP)". GitHub .
• Анес, Хакон (2020). "kikuchipy (обработка, моделирование, анализ шаблонов EBSD с помощью Python)". kikuchipy .
• Хильшер, Шебен (2008). «MTEX (EBSD-анализ)». МТЕХ .
• Рагглз, Т.Дж.; Бомарито, Г.Ф.; Цю, Р.Л.; Хоххальтер, Дж.Д. (1 декабря 2018 г.). «OpenXY (HR-EBSD)». GitHub .
• Тонг, Вивиан; Бриттон, Бен (июль 2017 г.). «TrueEBSD: исправление пространственных искажений в картах дифракции обратного рассеяния электронов». Ультрамикроскопия . 221 : 113130. arXiv : 1909.00347 . doi :10.1016/j.ultramic.2020.113130. PMID  33290982. S2CID  202538027.

Видео

• Бриттон, Бен (11 января 2021 г.). Введение в EBSD: Раздел 1 — Что может рассказать вам EBSD?. YouTube.
• Ноуэлл, Мэтт (22 февраля 2022 г.). Узнайте, как я готовлю образцы для анализа EBSD. EDAX (YouTube).
• Райт, Стюарт (31 января 2022 г.). EBSD-анализ деформированных микроструктур. EDAX (YouTube).
• Объяснение дифракции обратного рассеяния электронов: QUANTAX EBSD. Bruker Nano Analytics (YouTube). 1 сентября 2020 г.