Б. Джаянт Балига

Индийский инженер-электрик

Бантвал Джаянт Балига (родился 28 апреля 1948 года в Ченнаи ) — индийский инженер-электрик, наиболее известный своими работами в области силовых полупроводниковых приборов и, в частности, изобретением биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT). ^{[1] [2]}(1948-04-28)

В 1993 году Балига был избран членом Национальной инженерной академии за вклад в разработку силовых полупроводниковых устройств, который привел к появлению технологий интеллектуального питания.

ранняя жизнь и образование

Балига вырос в Джалахалли , небольшой деревне недалеко от Бангалора , Индия . Его отец, Бантвал Виттал Манджунатх Балига, был одним из первых инженеров-электриков Индии до обретения независимости и президентом-основателем индийского отделения Института радиоинженеров , который позже стал IEEE в Индии. Отец Балиги сыграл ключевую роль в создании индийского телевидения и электронной промышленности. ^{[1] [3]} В детстве его очень вдохновлял отец. Балига вспоминает, как во время учебы в старшей школе читал материалы IEEE, которые его отец принес домой. Окончил среднюю школу в 1963 году. ^[4]

Джаянт учился в школе для мальчиков епископа Коттона в Бангалоре. Он получил степень бакалавра технических наук в области электротехники в Индийском технологическом институте в Мадрасе в 1969 году, а также степень магистра (1971) и доктора философии (1974) в области электротехники в Политехническом институте Ренсселера . ^[1]

Карьера

Он проработал 15 лет в Центре исследований и разработок General Electric в Скенектади, штат Нью-Йорк , затем в 1988 году поступил в Университет штата Северная Каролина в качестве профессора. В 1997 году ему было присвоено звание заслуженного профессора университета. Его изобретение - биполярный транзистор с изолированным затвором , который сочетает в себе науки двух направлений: электротехнику и электротехнику. Это привело к экономии затрат для потребителей более чем на 15 триллионов долларов и формирует основу для интеллектуальных сетей. Балига тогда работал в академической сфере. Он также основал три компании, производившие продукцию на основе полупроводниковых технологий. ^{[3] [5] [6]}

Признание

• Балига является членом Национальной инженерной академии (1993 г.) и Европейской академии наук (2005 г.), а также членом IEEE (1983 г.). ^[7]
• Он получил премию IEEE Ньюэлла в 1991 году, мемориальную премию IEEE Морриса Н. Либмана в 1993 году , премию IEEE JJ Ebers в 1998 году и медаль Ламме IEEE в 1999 году . ^[8]
• Ему принадлежит 120 патентов США. ^[9]
• В 1997 году журнал Scientific American включил его в число «восьми героев полупроводниковой революции», отмечая 50-летие изобретения транзистора. ^{[9] [10]}
• В 2011 году президент США Барак Обама наградил его Национальной медалью технологий и инноваций — высшей наградой для инженеров США . ^{[3] [11]}
• В 2014 году он был награжден Почетной медалью IEEE «За изобретение, внедрение и коммерциализацию силовых полупроводниковых устройств, приносящих широкую пользу обществу». ^[12]
• В 2015 году он получил премию «Глобальная энергия» за изобретение, разработку и коммерциализацию биполярного транзистора с изолированным затвором, который является одной из наиболее важных инноваций в области контроля и распределения энергии. ^{[5] [6] [13]}
• В 2016 году Балига был занесен в Национальный зал славы изобретателей . ^{[14] [2]}
• Он был главным гостем 53-го созыва ИИТ Мадраса , состоявшегося 22 июля 2016 года. На церемонии ему было присвоено звание доктора наук (Honoris Causa). ^[15]

Библиография

Рекомендации

1. Эдвардс, Джон (22 ноября 2010 г.). «Б. Джаянт Балига: Проектирование биполярного транзистора с изолированным затвором». Электронный дизайн . Проверено 16 января 2017 г.
2. «Призывник NIHF Бантвал Джаянт Балига изобрел технологию IGBT» . Национальный зал славы изобретателей . Проверено 17 августа 2019 г.
3. Prasad, Шишир (25 февраля 2012 г.). «Изобретение Джаянта Балиги позволяет экономить электроэнергию». Форбс Индия . Проверено 16 января 2017 г.
4. "Устная история: Б. Джаянт Балига".
5. Десикан, Шубашри (21 августа 2016 г.). «Человек с огромным «отрицательным» углеродным следом». Индус . Проверено 16 января 2017 г.
6. Пулаккат, Хари (28 июля 2016 г.). «Познакомьтесь с Джаянтом Балигой — изобретателем IGBT, который пытается уничтожить собственное изобретение». Экономические времена . Проверено 16 января 2017 г.
7. "Товарищ по классу 1983 года" . ИИЭЭ . Проверено 25 января 2012 г.
8. «Обладатели медали Ламме IEEE» (PDF) . ИИЭЭ . Проверено 25 января 2012 г.
9. "Доктор Джаянт Балига". Государственный университет Северной Каролины . Проверено 16 января 2017 г.
10. Зорпетт, Гленн (1997). Ренни, Джон (ред.). «Пятьдесят лет героев и прозрений». Научный американец . 8 (1): 7. ISSN  1048-0943 . Проверено 16 января 2017 г. И, возможно, еще не рано выявить нескольких новых кандидатов на статус героя — таких людей, как волшебник квантовых ям Федерико Капассо из Lucent Technologies (в которую входит Bell Labs) и Б. Джаянт Балига, изобретатель IGBT, который описывает его транзистор в этом выпуске
11. Президент Обама чествует лучших ученых и новаторов страны, 27 сентября 2011 г., Белый дом, канцелярия пресс-секретаря, whitehouse.gov.
12. «Получатели медалей и наград IEEE 2014» . ИИЭЭ . Архивировано из оригинала 24 февраля 2014 года . Проверено 14 февраля 2014 г.
13. «2015». Глобальная энергетическая ассоциация . Проверено 16 января 2017 г.
14. Аллен, Фредерик Э. (6 мая 2016 г.). «Человек с самым большим в мире отрицательным углеродным следом и еще 15 удостоенных награды гениев». Форбс . Проверено 16 января 2017 г.
15. "ИИТ Мадрас 53-го созыва" . Архивировано из оригинала 26 декабря 2016 года . Проверено 21 июля 2016 г.

дальнейшее чтение

• Биография СКГУ
• Путеводитель по документам Б. Джаянта Балиги за 1984–2002 гг.
• Интервью ApnaTriangle.com с доктором Джаянтом Балигой. Архивировано 3 февраля 2015 г. в Wayback Machine.