Вафля (электроника)

Тонкий кусочек полупроводника, используемый для изготовления интегральных схем.

• Вверху слева: полированные кремниевые пластины диаметром 12 и 6 дюймов. Их кристаллографическая ориентация отмечена насечками и плоскими вырезами. Вверху справа: микросхемы СБИС , изготовленные на кремниевой пластине диаметром 12 дюймов (300 мм), перед нарезкой и упаковкой .
• Внизу слева: 3D-рендеринг солнечных пластин на конвейере. Внизу справа: готовые солнечные пластины.

В электронике пластина (также называемая срезом или подложкой ) ^[1] представляет собой тонкий слой полупроводника , такого как кристаллический кремний (c-Si), используемый для изготовления интегральных схем и , в фотоэлектрической технике , для производства солнечных элементов. .

Пластина служит подложкой для микроэлектронных устройств , встроенных в пластину и на нее. Он подвергается множеству процессов микрообработки , таких как легирование , ионная имплантация , травление , осаждение тонких пленок различных материалов и фотолитографическое нанесение рисунка. Наконец, отдельные микросхемы разделяются нарезкой пластин и упаковываются как интегральная схема.

История

В полупроводниковой промышленности термин «пластина» появился в 1950-х годах для описания тонкого круглого слоя полупроводникового материала, обычно германия или кремния. Характерная для этих пластин круглая форма получается из монокристаллических слитков, обычно изготавливаемых методом Чохральского . Кремниевые пластины были впервые представлены в 1940-х годах. ^{[2] [3]}

К 1960 году кремниевые пластины производились в США такими компаниями, как MEMC / SunEdison . В 1965 году американские инженеры Эрик О. Эрнст, Дональд Дж. Херд и Джерард Сили, работая в IBM , подали патент US3423629A ^[4] на первый эпитаксиальный аппарат высокой производительности.

Кремниевые пластины производятся такими компаниями, как Sumco , Shin-Etsu Chemical , ^[5] Hemlock Semiconductor Corporation и Siltronic .

Производство

Формирование

Метод Чохральского

Пластины изготавливаются из высокочистого, ^[6] практически бездефектного монокристаллического материала с чистотой 99,9999999% ( 9N ) или выше. ^[6] Один из процессов формирования кристаллических пластин известен как метод Чохральского , изобретенный польским химиком Яном Чохральским . В этом процессе цилиндрический слиток монокристаллического полупроводника высокой чистоты, такого как кремний или германий , называемый булей , формируется путем вытягивания затравочного кристалла из расплава . ^{[7] [8]} Атомы донорных примесей, таких как бор или фосфор в случае кремния, могут быть добавлены к расплавленному собственному материалу в точных количествах, чтобы легировать кристалл, превращая его таким образом в примесный полупроводник n -типа. или p-типа .

Затем булю разрезают с помощью пилы для пластин (разновидность проволочной пилы ), обрабатывают для улучшения плоскостности, химически травят для удаления повреждений кристаллов в результате обработки и, наконец, полируют для формирования пластин. ^[9] Размер пластин для фотовольтаики составляет 100–200 квадратных мм, толщина – 100–500 мкм. ^[10] В электронике используются пластины диаметром от 100 до 450 мм. Самые большие пластины имеют диаметр 450 мм ^[11] , но еще не получили широкого распространения.

Очистка, текстурирование и травление.

Вафли очищают слабыми кислотами для удаления нежелательных частиц. Существует несколько стандартных процедур очистки, позволяющих убедиться в отсутствии загрязнений на поверхности кремниевой пластины. Одним из наиболее эффективных методов является RCA Clean . При использовании в солнечных элементах пластины текстурируются для создания шероховатой поверхности, что увеличивает площадь поверхности и, следовательно, их эффективность. Образовавшееся PSG ( фосфоросиликатное стекло ) удаляется с края пластины при травлении . ^[12]

Свойства пластины

Стандартные размеры пластин

Кремний

Кремниевые пластины доступны в различных диаметрах от 25,4 мм (1 дюйм) до 300 мм (11,8 дюйма). ^{[13] [14]} Заводы по производству полупроводников , в просторечии называемые фабриками , определяются диаметром пластин, для производства которых они используются. Диаметр постепенно увеличивался для повышения производительности и снижения затрат: на нынешнем современном заводе используется диаметр 300 мм , а предлагается использовать диаметр 450 мм . ^{[15] [16]} Intel , TSMC и Samsung по отдельности проводили исследования по созданию 450-мм « прототипов » (исследовательских) заводов , хотя серьезные препятствия остаются. ^[17]

Пластины диаметром 2 дюйма (51 мм), 4 дюйма (100 мм), 6 дюймов (150 мм) и 8 дюймов (200 мм).

Пластины, выращенные с использованием материалов, отличных от кремния, будут иметь другую толщину, чем кремниевая пластина того же диаметра. Толщина пластины определяется механической прочностью используемого материала; пластина должна быть достаточно толстой, чтобы выдерживать собственный вес и не растрескиваться при обращении. Толщина в таблице относится к моменту внедрения этого процесса и в настоящее время не обязательно верна, например, процесс IBM BiCMOS7WL используется на 8-дюймовых пластинах, но их толщина составляет всего 200 мкм. Вес пластины увеличивается вместе с ее толщиной и диаметром. ^{[ нужна цитата ]}

Историческое увеличение размера пластины

На одном этапе изготовления пластины , таком как этап травления, можно производить больше чипов, пропорционально увеличению площади пластины, при этом стоимость единичного этапа изготовления пластины растет медленнее, чем площадь пластины. Это было основой затрат на увеличение размера пластин. Переход на пластины диаметром 300 мм с пластин диаметром 200 мм начался в начале 2000 года и снизил цену за кристалл примерно на 30–40%. ^[21] Пластины большего диаметра позволяют использовать больше кристаллов на пластину.

Фотоэлектрический

Размер пластины M1 (156,75 мм) находится в процессе прекращения использования в Китае с 2020 года. Появились различные нестандартные размеры пластин, поэтому усилия по полному принятию стандарта M10 (182 мм) продолжаются. Как и в случае с другими процессами производства полупроводников, снижение затрат было основным движущим фактором этой попытки увеличения размеров, несмотря на различия в процессах производства различных типов устройств. ^{[ нужна цитата ]}

Кристаллическая ориентация

Алмазная кубическая кристаллическая структура кремниевой элементарной ячейки

Плоские можно использовать для обозначения легирования и кристаллографической ориентации. Красный цвет представляет собой удаленный материал.

Пластины выращиваются из кристалла, имеющего регулярную кристаллическую структуру , причем кремний имеет кубическую структуру алмаза с шагом решетки 5,430710 Å (0,5430710 нм). ^[22] При разрезании на пластины поверхность выравнивается в одном из нескольких относительных направлений, известных как ориентации кристаллов. Ориентация определяется индексом Миллера , причем наиболее распространенными для кремния являются грани (100) или (111). ^[22] Ориентация важна, поскольку многие структурные и электронные свойства монокристалла сильно анизотропны . Глубина имплантации ионов зависит от ориентации кристалла пластины, поскольку каждое направление предлагает разные пути для транспортировки. ^[23]

Раскол пластины обычно происходит только в нескольких четко определенных направлениях. Надрезы на пластине по плоскостям спайности позволяют легко разрезать ее на отдельные чипы (« матрицы »), так что миллиарды отдельных элементов схемы на средней пластине можно разделить на множество отдельных схем. ^{[ нужна цитата ]}

Кристаллографические ориентировочные насечки

Пластины диаметром менее 200 мм имеют лыски , вырезанные на одной или нескольких сторонах, указывающие кристаллографические плоскости пластины (обычно грань {110}). В пластинах более раннего поколения пара лысок под разными углами дополнительно передала тип легирования (условные обозначения см. на рисунке). На пластинах диаметром 200 мм и более используется одна небольшая выемка для обозначения ориентации пластины без визуальной индикации типа легирования. Пластины диаметром 450 мм не имеют надрезов, их ориентация зависит от структуры, нанесенной лазером на поверхность пластины. ^[24]

Легирование примесями

Кремниевые пластины , как правило, не представляют собой 100% чистый кремний, а вместо этого формируются с начальной концентрацией легирующих примесей от 10 ¹³ до 10 ¹⁶ атомов на см ³ бора , фосфора , мышьяка или сурьмы , которые добавляются в расплав и определяют пластину как либо объемный n-типа, либо p-типа. ^[25] Однако по сравнению с атомной плотностью монокристаллического кремния, равной 5×10 ²² атомов на см ³ , это по-прежнему дает чистоту более 99,9999%. Пластины также могут быть первоначально снабжены некоторой концентрацией межузельного кислорода. Загрязнение углеродом и металлами сведено к минимуму. ^{[26] Концентрация} переходных металлов , в частности, должна быть ниже частей на миллиард для электронных приложений. ^[27]

пластины 450 мм

Проблемы

Несмотря на возможное повышение производительности, существует значительное сопротивление переходу на 450 мм из-за опасений по поводу недостаточной окупаемости инвестиций. ^[21] Существуют также проблемы, связанные с увеличением отклонений между кристаллами/от края до края и дополнительными дефектами краев. Ожидается, что пластины диаметром 450 мм будут стоить в 4 раза дороже, чем пластины диаметром 300 мм, а затраты на оборудование вырастут на 20–50%. ^[28] Более дорогостоящее оборудование для производства полупроводников для пластин большего размера увеличивает стоимость фабрик диаметром 450 мм (предприятий или заводов по производству полупроводников). Литограф Крис Мак заявил в 2012 году, что общая цена за кристалл для пластин диаметром 450 мм снизится всего на 10–20% по сравнению с пластинами диаметром 300 мм, поскольку более 50% общих затрат на обработку пластин связано с литографией. Переход на более крупные пластины диаметром 450 мм снизит цену за кристалл только для таких технологических операций, как травление, где стоимость зависит от количества пластин, а не от их площади. ^{[ нужна цитата ]} Стоимость таких процессов, как литография, пропорциональна площади пластины, и пластины большего размера не уменьшат вклад литографии в стоимость штампа. ^[29]

Компания Nikon планировала поставить 450-мм литографическое оборудование в 2015 году, а массовое производство - в 2017 году. ^{[30] [31]} В ноябре 2013 года ASML приостановила разработку 450-мм литографического оборудования, сославшись на неопределенные сроки спроса со стороны производителей микросхем. ^[32]

В 2012 году группа, состоящая из компаний штата Нью-Йорк ( SUNY Poly / Колледж наномасштабной науки и техники (CNSE)), компаний Intel, TSMC, Samsung, IBM, Globalfoundries и Nikon, сформировала государственно-частное партнерство под названием Global 450mm Consortium (G450C). , аналогично SEMATECH ), который составил пятилетний план (истекающий в 2016 году) по разработке «рентабельной инфраструктуры для производства пластин, прототипов оборудования и инструментов, обеспечивающих скоординированный переход отрасли на уровень пластин 450 мм». ^{[33] [34]} В середине 2014 года CNSE объявила, что представит первые полностью текстурированные 450-миллиметровые пластины на выставке SEMICON West. ^[35] В начале 2017 года компания G450C начала сворачивать свою деятельность по исследованию пластин диаметром 450 мм по неизвестным причинам. ^{[36] [37] [38]} Различные источники предполагают, что распад группы произошел после обвинений в фальсификациях на торгах , выдвинутых против Алена Э. Калойероса , который в то время был исполнительным директором SUNY Poly. ^{[38] [37] [39]} Осознание в отрасли того факта, что оптимизация производства на 300 мм обходится дешевле, чем дорогостоящий переход на 450 мм, возможно, также сыграло свою роль. ^[38]

Сроки строительства 450 мм не установлены. В 2012 году ожидалось, что производство 450 мм начнется в 2017 году, но этого так и не произошло. ^{[40] [41]} Марк Дуркан, тогдашний генеральный директор Micron Technology , заявил в феврале 2014 года, что он ожидает, что внедрение 450 мм будет отложено на неопределенный срок или прекращено. «Я не уверен, что 450 мм когда-либо появится, но в той степени, в которой это произойдет, это далеко в будущем. У Micron нет особой необходимости, по крайней мере, в течение следующих пяти лет, тратить много денег за 450 мм». ^[42]

«Чтобы это произошло, необходимо вложить много инвестиций в сообщество производителей оборудования. И ценность в конечном итоге – чтобы клиенты покупали это оборудование – я думаю, сомнительна». ^[43] По состоянию на март 2014 года корпорация Intel ожидала развертывания 450 мм к 2020 году (к концу этого десятилетия). ^[44] Марк ЛаПедус из semiengineering.com сообщил в середине 2014 года, что производители микросхем отложили внедрение 450 мм «на обозримое будущее». Согласно этому отчету, некоторые наблюдатели ожидали, что это произойдет с 2018 по 2020 год, в то время как Дж. Дэн Хатчесон, исполнительный директор VLSI Research, не ожидал, что 450-миллиметровые заводы будут запущены в производство до 2020-2025 годов. ^[45]

Переход к 300-мм пластинам потребовал серьезных изменений: полностью автоматизированные заводы , использующие пластины диаметром 300 мм, по сравнению с едва автоматизированными заводами для пластин диаметром 200 мм, отчасти потому, что FOUP для пластин диаметром 300 мм весит около 7,5 кг ^[46] при загрузке 25 пластин диаметром 300 мм. где SMIF весит около 4,8 кг ^{[47] [48] [18]} при загрузке 25 пластин диаметром 200 мм, что требует вдвое больше физической силы от заводских рабочих и увеличивает утомляемость. 300-мм FOUP имеют ручки, поэтому их можно перемещать вручную. ФОУП диаметром 450 мм весят 45 кг ^[49] при загрузке 25 пластин диаметром 450 мм, поэтому для ручного перемещения ФОУП необходимы краны ^[50] , а в ФОУП больше нет ручек. FOUP перемещаются с помощью систем обработки материалов от Muratec или Daifuku . Эти крупные инвестиции были предприняты во время экономического спада , последовавшего за пузырем доткомов , что привело к огромному сопротивлению повышению уровня до 450 мм к первоначальному сроку. При выходе на 450 мм слитки кристаллов станут в 3 раза тяжелее (общая масса — тонна), остывать будут в 2–4 раза дольше, а время процесса увеличится вдвое. ^[51] В целом, разработка пластин диаметром 450 мм требует значительных инженерных разработок, времени и затрат.

Аналитическая оценка количества штампов

Чтобы минимизировать стоимость кристалла , производители стремятся максимально увеличить количество кристаллов, которые можно изготовить из одной пластины; матрицы всегда имеют квадратную или прямоугольную форму из-за ограничений, связанных с нарезкой пластин . В общем, это сложная в вычислительном отношении проблема, не имеющая аналитического решения, зависящая как от площади штампов, так и от их соотношения сторон (квадратного или прямоугольного), а также других факторов, таких как ширина разметочной линии или полосы пиления, а также дополнительное пространство. заняты выравнивающими и тестовыми структурами . Обратите внимание, что формулы валового штампа на пластину ( DPW ) учитывают только площадь пластины, которая теряется, поскольку ее нельзя использовать для изготовления физически полных штампов; В расчетах валового DPW не учитываются потери урожайности из-за дефектов или параметрических проблем. ^{[ нужна цитата ]}

Карта пластины, показывающая штампы с полным рисунком и штампы с частичным рисунком, которые не полностью лежат внутри пластины.

Тем не менее, количество брутто-DPW можно оценить, начиная с аппроксимации первого порядка или минимальной функции отношения площади пластины к кристаллу:

${\displaystyle DPW=\left\lfloor {\frac {\pi r^{2}}{S}}\right\rfloor =\left\lfloor {\frac {\pi d^{2}}{4S}}\right\rfloor }$,

где

• ${\displaystyle d}$диаметр пластины (обычно в мм)
• ${\displaystyle S}$размер каждой матрицы (мм ² ), включая ширину разметочной линии (или, в случае полосы пиления, пропил плюс допуск).

Эта формула просто утверждает, что количество кристаллов, которые могут поместиться на пластине, не может превышать площадь пластины, деленную на площадь каждого отдельного кристалла. Он всегда будет переоценивать истинную общую DPW в лучшем случае, поскольку она включает в себя площадь кристаллов с частичным рисунком, которые не полностью лежат на поверхности пластины (см. Рисунок). Эти кристаллы с частичным рисунком не представляют собой полноценные микросхемы , поэтому их нельзя продавать как функциональные части. ^{[ нужна цитата ]}

Уточнения этой простой формулы обычно добавляют коррекцию края, чтобы учесть частичные размеры кристалла на краю, что, как правило, будет более значительным, когда площадь кристалла велика по сравнению с общей площадью пластины. В другом предельном случае (бесконечно малые матрицы или бесконечно большие пластины) коррекция края незначительна. ^{[ нужна цитата ]}

Поправочный коэффициент или поправочный член обычно принимает одну из форм, приведенных Де Фрисом: ^[52]

${\displaystyle DPW={\frac {\displaystyle \pi d^{2}}{4S}}-{\frac {\displaystyle \pi d}{\sqrt {2S}}}}$(отношение площадей – окружность/(длина диагонали штампа))

или (отношение площадей, масштабированное экспоненциальным коэффициентом) ${\displaystyle DPW=\left({\frac {\displaystyle \pi d^{2}}{4S}}\right)\exp(-2{\sqrt {S}}/d)}$

или (отношение площадей, масштабированное полиномиальным коэффициентом). ${\displaystyle DPW={\frac {\displaystyle \pi d^{2}}{4S}}\left(1-{\frac {\displaystyle 2{\sqrt {S}}}{d}}\right)^{2}}$

Исследования, сравнивающие эти аналитические формулы с результатами прямых вычислений, показывают, что формулы можно сделать более точными в практических диапазонах размеров матрицы и соотношений сторон, регулируя коэффициенты поправок до значений выше или ниже единицы и заменяя линейные Размер матрицы с (средняя длина стороны) в случае матриц с большим удлинением: ^[52] ${\displaystyle {\sqrt {S}}}$ ${\displaystyle (H+W)/2}$

${\displaystyle DPW={\frac {\displaystyle \pi d^{2}}{4S}}-0.58^{*}{\frac {\displaystyle \pi d}{\sqrt {S}}}}$

или ${\displaystyle DPW=\left({\frac {\displaystyle \pi d^{2}}{4S}}\right)\exp(-2.32^{*}{\sqrt {S}}/d)}$

или . ${\displaystyle DPW={\frac {\displaystyle \pi d^{2}}{4S}}\left(1-{\frac {\displaystyle 1.16^{*}{\sqrt {S}}}{d}}\right)^{2}}$

Сложные полупроводники

Хотя кремний является преобладающим материалом для пластин, используемых в электронной промышленности , также использовались другие материалы соединений III-V или II-VI . Арсенид галлия (GaAs), полупроводник III-V , производимый методом Чохральского, нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC) также являются распространенными материалами пластин, при этом GaN и сапфир широко используются в производстве светодиодов . ^[8] Тонкие пленки из твердого углерода повышают стойкость кремния к воздействию высоких контактных нагрузок. ^[53]

Смотрите также

• Подготовка матрицы
• Эпитаксиальная пластина
• Эпитаксия
• Монокристаллический кремний
• Поликристаллический кремний
• Быстрая термическая обработка
• RCA чистый
• SEMI шрифт
• Пластины кремния на изоляторе (SOI)
• Солнечная батарея
• Солнечная панель
• Склеивание пластин

Рекомендации

1. Лапланте, Филипп А. (2005). «Вафля». Большой словарь по электротехнике (2-е изд.). Бока-Ратон, Флорида: CRC Press . п. 739. ИСБН 978-0-8493-3086-5.
2. Райнхард Фелькель (2012). «Изготовление микрооптики в масштабе пластины». Передовые оптические технологии . 1 (3): 135. Бибкод : 2012AdOT....1..135В. дои : 10.1515/aot-2012-0013 . S2CID  137606531.
3. Т. Дой; И.Д. Маринеску; Сюхей Курокава (2012). Достижения в технологиях полировки CMP, Глава 6 – Прогресс полупроводниковой и кремниевой промышленности – растущие рынки и сферы производства полупроводников . Эльзевир. стр. 297–304. дои : 10.1016/B978-1-4377-7859-5.00006-5.
4. «Эпитаксиальный аппарат и метод высокой производительности». гугл.com .
5. «Часть 3: От 20 мм до 450 мм: прогресс в узлах диаметра кремниевых пластин | Серия отчетов 04: Полупроводниковые технологии сегодня» .
6. SemiSource 2006: Приложение к Semiconductor International. Декабрь 2005 г. Справочный раздел: Как сделать чип. Адаптировано из «Новостей дизайна». Группа Рид Электроникс.
7. Леви, Роланд Альберт (1989). Микроэлектронные материалы и процессы. Спрингер. стр. 1–2. ISBN 978-0-7923-0154-7. Проверено 23 февраля 2008 г.
8. Гровенор, К. (1989). Микроэлектронные материалы. ЦРК Пресс. стр. 113–123. ISBN 978-0-85274-270-9. Проверено 25 февраля 2008 г.
9. Ниси, Ёсио (2000). Справочник по технологии производства полупроводников. ЦРК Пресс. стр. 67–71. ISBN 978-0-8247-8783-7. Проверено 25 февраля 2008 г.
10. «Параметры кремниевых солнечных батарей» . Проверено 27 июня 2019 г.
11. «Эволюция кремниевой пластины». Ф450С .
12. «Мокрый процесс». Промышленная автоматизация Omron . Архивировано из оригинала 4 февраля 2009 года . Проверено 26 ноября 2008 г.
13. «Эволюция кремниевых пластин | F450C». Ф450С . Проверено 17 декабря 2015 г.
14. "Силиконовая пластина". Архивировано из оригинала 20 февраля 2008 г. Проверено 23 февраля 2008 г.
15. «Intel, Samsung и TSMC достигли соглашения о технологии 450 мм» . intel.com .
16. Презентации/PDF/FEP.pdf Презентация ITRS (PDF) ^{[ постоянная мертвая ссылка ]}
17. ЛаПедус, Марк (14 января 2009 г.). «Потрясающие поверхности для дебатов высотой 450 мм». ЭЭ Таймс . Аспенкор . Проверено 9 мая 2021 г. Как сообщалось, Intel, TSMC и Samsung по отдельности добиваются появления 450-мм прототипных заводов к 2012 году.
18. «Системы обработки пластин 450 мм». 7 декабря 2013 г. Архивировано из оригинала 7 декабря 2013 г.
19. ЛаПедус, Марк. «Промышленность согласовала первый стандарт пластин диаметром 450 мм». ЭТаймс .
20. «Эволюция AMHS». www.daifuku.com . Архивировано из оригинала 08 апреля 2019 г. Проверено 2 декабря 2018 г.
21. Неразвитый. «semiconductor.net – Доменное имя на продажу». Неразвитый . Архивировано из оригинала 21 августа 2018 г. Проверено 20 августа 2018 г.
22. О'Мара, Уильям К. (1990). Справочник по полупроводниковой кремниевой технологии. Уильям Эндрю Инк., стр. 349–352. ISBN 978-0-8155-1237-0. Проверено 24 февраля 2008 г.
23. Ниси, Ёсио (2000). Справочник по технологии производства полупроводников. Бока-Ратон, Флорида: CRC Press. стр. 108–109. ISBN 978-0-8247-8783-7. Проверено 25 февраля 2008 г.
24. Фёлль, Хельмут (октябрь 2019 г.). «Вафельные квартирки». Кильский университет . Проверено 23 февраля 2008 г.
25. Видманн, Дитрих (2000). Технология интегральных микросхем. Спрингер. п. 39. ИСБН 978-3-540-66199-3. Проверено 24 февраля 2008 г.
26. Леви, Роланд Альберт (1989). Микроэлектронные материалы и процессы. Спрингер. стр. 6–7, 13. ISBN. 978-0-7923-0154-7. Проверено 23 февраля 2008 г.
27. Рокетт, Ангус (2008). Материаловедение полупроводников . Спрингер. п. 13. ISBN 978-0-387-25653-5.
28. Стив Шульц. «Преимущество сотрудничества: влияние на дизайн перехода 450 мм». ЭТаймс . Проверено 8 марта 2022 г.
29. "Литогуру | Размышления джентльмена-ученого" . life.lithoguru.com . Проверено 4 января 2018 г.
30. «Nikon назначает главу подразделения точного оборудования новым президентом» (пресс-релиз). Япония: Полупортал Nikon Corp. 20 мая 2014 г. Компания Nikon планирует представить системы литографии на пластинах диаметром 450 мм для массового производства в 2017 году.
31. ЛаПедус, Марк (13 сентября 2013 г.). «Дорожная карта литографии остается туманной». Semiengineering.com . ООО «Сперлинг Медиа Групп» . Проверено 14 июля 2014 г. Компания Nikon планировала выпустить «инструменты раннего обучения» к 2015 году. «Как мы уже говорили, мы будем осуществлять поставки для удовлетворения заказов клиентов в 2015 году», — сказал Хамид Заррингалам, исполнительный вице-президент Nikon Precision.
32. «Форма годового отчета ASML за 2013 год (20-F)» (XBRL) . Комиссия США по ценным бумагам и биржам. 11 февраля 2014 г. В ноябре 2013 г. по решению наших клиентов компания ASML решила приостановить разработку систем литографии диаметром 450 мм до тех пор, пока не станет ясна потребность клиентов и сроки, связанные с таким спросом.
33. «G450C: Глобальный консорциум 450 мм» . Исследования СБИС . Проверено 26 июля 2021 г.
34. «Ухабистая дорога на 450 мм» . Полупроводниковая техника . 17 мая 2013 г. Проверено 26 июля 2021 г.
35. «Первые в мире 450-миллиметровые пластины с полным рисунком представлены в SEMICON West | Политехнический институт SUNY» . sunypoly.edu . Проверено 26 июля 2021 г.
36. «450 мм официально приостановлено | 450mm.com» . 450 мм . 17 января 2017 г. Архивировано из оригинала 26 июля 2021 г. Проверено 26 июля 2021 г.
37. Рулисон, Ларри (10 января 2017 г.). «Будущее программы 450 мм SUNY Poly под вопросом». Таймс Юнион . Проверено 26 июля 2021 г.
38. Рулисон, Ларри (14 января 2017 г.). «Нью-Йорк: Кончина G450C произошла не из-за денег». Таймс Юнион . Проверено 26 июля 2021 г.
39. «450 мм официально приостановлено…» . 17 января 2017 года. Архивировано из оригинала 26 июля 2021 года . Проверено 26 июля 2021 г.
40. Дилан МакГрат. «Первая 450-мм фабрика будет запущена в эксплуатацию в 2017 году, — говорит аналитик». ЭТаймс . Проверено 8 марта 2022 г.
41. «Строительство 450-мм скважины идет полным ходом» . ЭТаймс. 15 августа 2013 г. Проверено 8 марта 2022 г.
42. Маннерс, Дэвид (11 февраля 2014 г.). «450 мм может никогда не случиться, — говорит генеральный директор Micron». Еженедельник электроники . Проверено 3 февраля 2022 г.
43. «450 мм может никогда не случиться, - говорит генеральный директор Micron» . Electronicsweekly.com . 11 февраля 2014 г.
44. «Intel сообщает, что 450 мм будет развернуто позднее в этом десятилетии» . 18 марта 2014 г. Проверено 31 мая 2014 г.
45. ЛаПедус, Марк (15 мая 2014 г.). «450 мм мертвы в воде?». Semiengineering.com . Калифорния: ООО «Сперлинг Медиа Груп». Архивировано из оригинала 5 июня 2014 г. Проверено 4 июня 2014 г. Intel и остальная часть отрасли отложили переход на 450-мм заводы на обозримое будущее, заставив многих задуматься над следующим вопросом: мертва ли технология 450 мм? Ответ: 450 мм в настоящее время топчутся на месте.
46. "MW 300GT | Вафельные корпуса | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd" . www.shinpoly.co.jp .
47. "SMIF Pod-Chung King Enterprise Co., Ltd" . www.ckplas.com .
48. "Вафельная кассета-Chung King Enterprise Co., Ltd" . www.ckplas.com .
49. «Выделение из толпы на 450 мм | 450 мм Новости и анализ» . Архивировано из оригинала 27 мая 2019 г. Проверено 27 мая 2019 г.
50. "Подъемные тележки Ergolift для чистых помещений H-Square" . www.h-square.com . Архивировано из оригинала 27 мая 2019 г. Проверено 27 мая 2019 г.
51. Неразработано. «semiconductor.net – Доменное имя на продажу». Неразвитый . Архивировано из оригинала 21 августа 2018 г. Проверено 20 августа 2018 г.
52. Дирк К. де Врис (2005). «Исследование формул валового штампа на пластину». Транзакции IEEE по производству полупроводников . 18 (февраль 2005 г.): 136–139. дои : 10.1109/TSM.2004.836656. S2CID  32016975.
53. Усман, Мухаммед; Чжоу, Чжифэн; Зия, Абдул Васи; Ли, Квок Ян (март 2023 г.). «Кремниевая пластина как возможный кандидат для трибологической характеристики тонких покрытий в условиях высоких контактных напряжений?». Носить . 524–525: 204839. doi :10.1016/j.wear.2023.204839. S2CID  257674099.

Внешние ссылки

• Эволюция кремниевой пластины от F450C — инфографика об истории кремниевой пластины.