Выпущенная на рынок в 2014 году [2] [3] [4], она представляет собой разновидность динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), некоторые из которых используются с начала 1970-х годов [5] и более скоростной преемник технологий DDR2 и DDR3 .
DDR4 несовместима ни с одним из более ранних типов оперативной памяти (ОЗУ) из-за различного напряжения сигнала и физического интерфейса, а также других факторов.
Память DDR4 SDRAM была выпущена на открытый рынок во втором квартале 2014 года, с упором на память ECC [ 6], в то время как модули DDR4 без ECC стали доступны в третьем квартале 2014 года, одновременно с запуском процессоров Haswell-E , которым требуется память DDR4. [7]
Функции
Основные преимущества DDR4 по сравнению с его предшественником DDR3 включают более высокую плотность модулей и более низкие требования к напряжению в сочетании с более высокой скоростью передачи данных . Стандарт DDR4 допускает DIMM емкостью до 64 ГБ по сравнению с максимальным объемом DDR3 в 16 ГБ на DIMM. [1] [8] [ не удалось проверить ]
В отличие от предыдущих поколений памяти DDR, предварительная выборка не была увеличена выше 8n, используемых в DDR3; [9] : 16 базовый размер пакета составляет восемь 64-битных слов, а более высокая пропускная способность достигается за счет отправки большего количества команд чтения/записи в секунду. Чтобы обеспечить это, стандарт делит банки DRAM на две или четыре выбираемые группы банков, [10] где передачи в различные группы банков могут выполняться быстрее.
Поскольку энергопотребление увеличивается со скоростью, пониженное напряжение обеспечивает более высокую скорость работы без необоснованных требований к мощности и охлаждению.
DDR4 RAM работает при напряжении 1,2 В и поддерживает частоты от 800 до 1600 МГц (DDR4-1600 через DDR4-3200). По сравнению с DDR3 , которая работает при 1,5 В с частотами от 400 до 1067 МГц (DDR3-800 через DDR3-2133), DDR4 обеспечивает лучшую производительность и энергоэффективность . Скорости DDR4 рекламируются как удвоенные базовые тактовые частоты из-за ее природы Double Data Rate ( DDR ), с распространенными скоростями, включая DDR4-2400 и DDR4-3200 , и более высокими скоростями, такими как DDR4-4266 и DDR4-5000 , доступными по более высокой цене. В отличие от DDR3 , DDR4 не имеет варианта с низким напряжением; он постоянно работает при 1,2 В. Кроме того, DDR4 превосходит DDR3 за счет более длинного пакета — 16 — и поддерживает больший объем памяти, что повышает как производительность, так и гибкость системы. [11] [12]
Хронология
Первый прототип модуля памяти DDR4 был изготовлен компанией Samsung и анонсирован в январе 2011 года. [a]Физическое сравнение DDR , DDR2 , DDR3 и DDR4 SDRAMПередняя и задняя части 8 ГБ [1] модулей памяти DDR4
2005: Организация по стандартизации JEDEC начала работу над преемником DDR3 примерно в 2005 году [14] , примерно за 2 года до запуска DDR3 в 2007 году. [15] [16] Высокоуровневую архитектуру DDR4 планировалось завершить в 2008 году. [17]
2007: Некоторая предварительная информация была опубликована в 2007 году, [18] а приглашенный докладчик из Qimonda предоставил дополнительные публичные подробности в презентации на форуме разработчиков Intel в Сан-Франциско (IDF) в августе 2008 года. [18] [19] [20] [21] DDR4 была описана как включающая 30-нм процесс при 1,2 вольта, с частотами шины 2133 МТ/с «обычной» скорости и 3200 МТ/с «энтузиастской» скорости, и поступившая на рынок в 2012 году, перед переходом на 1 вольт в 2013 году. [19] [21]
2009: В феврале Samsung утвердила 40-нм чипы DRAM, что считается «значительным шагом» на пути к разработке DDR4 [22], поскольку в 2009 году чипы DRAM только начинали переходить на 50-нм техпроцесс. [23]
2010: Впоследствии на MemCon 2010 в Токио (мероприятие индустрии компьютерной памяти) были раскрыты дополнительные подробности , на котором директор JEDEC представил презентацию под названием «Время переосмыслить DDR4» [24] со слайдом под названием «Новая дорожная карта: более реалистичная дорожная карта — 2015 год» и некоторые веб-сайты сообщили, что внедрение DDR4, вероятно [25] или определенно [26] [27] , отложено до 2015 года. Однако в начале 2011 года были анонсированы тестовые образцы DDR4 в соответствии с первоначальным графиком, и тогда производители начали сообщать, что крупномасштабное коммерческое производство и выпуск на рынок запланированы на 2012 год. [2]
2011: В январе Samsung объявила о завершении и выпуске для тестирования 2 ГБ [1] модуля DDR4 DRAM на основе процесса от 30 до 39 нм . [28] Он имеет максимальную скорость передачи данных 2133 МТ/с при 1,2 В, использует технологию псевдооткрытого стока (адаптированную из графической памяти DDR [29] ) и потребляет на 40% меньше энергии, чем эквивалентный модуль DDR3. [28] [30] В апреле Hynix объявила о производстве 2 ГБ [1] модулей DDR4 со скоростью 2400 МТ/с, также работающих при напряжении 1,2 В по технологическому процессу от 30 до 39 нм (точный процесс не указан), [2] добавив, что она ожидает начала массового производства во второй половине 2012 года. [2] Ожидалось, что полупроводниковые процессы для DDR4 перейдут на уровень менее 30 нм в какой-то момент между концом 2012 и 2014 годами. [31] [32]
2012: В мае Micron объявила [3], что она планирует начать производство модулей 30 нм в конце 2012 года. В июле Samsung объявила, что начнет отбор образцов первых в отрасли 16 ГБ [1] зарегистрированных модулей памяти с двухрядным расположением выводов (RDIMM) с использованием DDR4 SDRAM для корпоративных серверных систем. [33] [34] В сентябре JEDEC выпустила окончательную спецификацию DDR4. [35]
2013: Ожидалось, что DDR4 составит 5% рынка DRAM в 2013 году [2] и достигнет массового принятия на рынке и 50% проникновения на рынок около 2015 года; [2] однако по состоянию на 2013 год принятие DDR4 было отложено, и больше не ожидалось, что она достигнет большинства рынка до 2016 года или позже. [36] Таким образом, переход от DDR3 к DDR4 займет больше времени, чем примерно пять лет, необходимых для того, чтобы DDR3 достигла массового перехода на рынок DDR2. [31] Отчасти это связано с тем, что изменения, требуемые для других компонентов, повлияют на все другие части компьютерных систем, которые необходимо будет обновить для работы с DDR4. [37]
2014: В апреле Hynix объявила о разработке первого в мире модуля с самой высокой плотностью 128 ГБ на основе 8 Гбит DDR4 с использованием технологии 20 нм. Модуль работает на частоте 2133 МГц, с 64-битным вводом-выводом и обрабатывает до 17 ГБ данных в секунду.
2016: В апреле Samsung объявила, что начала массовое производство DRAM по технологии «10 нм класса», под которой они подразумевают режим узла 1x нм от 16 нм до 19 нм, который поддерживает на 30% более высокую скорость передачи данных — 3200 Мбит/с. [38] Ранее использовался размер 20 нм. [39] [40]
2020: ОЗУ DDR5 была официально представлена Ассоциацией твердотельных технологий JEDEC в июле 2020 года в качестве преемника DDR4. JEDEC, мировой лидер в разработке открытых стандартов для микроэлектронной промышленности, возглавила разработку DDR5 для удовлетворения растущих потребностей в более высокой производительности и эффективности современных вычислений. Стандарт DDR5 основывается на достижениях DDR4 с заметными улучшениями в пропускной способности, эффективности и емкости, предлагая базовую скорость передачи данных 4800 МТ/с и поддерживая более высокие скорости по мере развития технологии. DDR5 также отличается улучшенным управлением питанием, увеличенной длиной пакета и улучшенными возможностями предварительной выборки, что делает его подходящим для широкого спектра приложений: от высокопроизводительных игр до вычислительных задач с интенсивным использованием данных.
Восприятие и принятие рынком
В апреле 2013 года журналист из International Data Group (IDG) — американской компании по исследованию технологий, изначально входившей в состав IDC — провел анализ своих представлений о DDR4 SDRAM. [41] Выводы заключались в том, что растущая популярность мобильных вычислений и других устройств, использующих более медленную, но маломощную память, замедление роста в секторе традиционных настольных вычислений и консолидация рынка производства памяти привели к тому, что маржа на ОЗУ была низкой.
В результате желаемую цену премиума для новой технологии было сложнее достичь, и мощности переместились в другие сектора. Производители SDRAM и создатели чипсетов оказались в некоторой степени « между молотом и наковальней », где «никто не хочет платить премию за продукты DDR4, а производители не хотят производить память, если они не получат премию», по словам Майка Ховарда из iSuppli. [41] Изменение потребительских настроений в сторону настольных компьютеров и выпуск процессоров с поддержкой DDR4 компаниями Intel и AMD , таким образом, может потенциально привести к «агрессивному» росту. [41]
В дорожной карте Intel Haswell на 2014 год было показано первое использование компанией DDR4 SDRAM в процессорах Haswell-EP . [42]
Процессоры AMD Ryzen , представленные в 2016 году и поставленные в 2017 году, используют DDR4 SDRAM. [43]
Операция
DDR4 RAM работает с основным напряжением питания 1,2 В и вспомогательным напряжением 2,5 В для усиления словарной линии (VPP). Это контрастирует с DDR3 , которая работает при 1,5 В и имела варианты с более низким напряжением при 1,35 В, представленные в 2013 году. DDR4 была представлена с минимальной скоростью передачи данных 2133 МТ/с , под влиянием приближающегося предела DDR3 на аналогичных скоростях, и, как ожидается, достигнет 4266 МТ/с . Заметные улучшения в DDR4 включают повышенную скорость передачи данных и повышенную эффективность. Ранние образцы DDR4, такие как образцы от Samsung в январе 2011 года, показали задержку CAS в 13 тактовых циклов , что сопоставимо с переходом с DDR2 на DDR3. Кроме того, DDR4 отличается большей длиной пакета — 16, большей поддержкой емкости и улучшенной целостностью сигнала за счет более тесного расположения контактов (0,85 мм против 1,0 мм), немного увеличенной высотой (31,25 мм против 30,35 мм) и увеличенной толщиной (1,2 мм против 1,0 мм) для лучшей маршрутизации сигнала и производительности.
Внутренние банки увеличены до 16 (4 бита выбора банка), до 8 рангов на модуль DIMM. [9] : 16
Независимое программирование отдельных DRAM-модулей на модуле DIMM для лучшего контроля терминации на кристалле .
Ожидается увеличение плотности памяти, возможно, с использованием TSV (« сквозной кремниевый переход ») или других процессов 3D-укладки . [31] [37] [44] [45] Спецификация DDR4 будет включать стандартизированную 3D-укладку «с самого начала» согласно JEDEC, [45] с возможностью установки до 8 стековых кристаллов. [9] : 12 X-bit Labs предсказала, что «в результате микросхемы памяти DDR4 с очень высокой плотностью станут относительно недорогими». [37]
Переключаемые банки памяти также являются ожидаемой опцией для серверов. [31] [44]
В 2008 году книга Wafer Level 3-D ICs Process Technology выдвинула на первый план опасения по поводу увеличения потребления площади кристалла из-за немасштабируемых аналоговых элементов, таких как зарядовые насосы , регуляторы напряжения и дополнительные схемы. Эти компоненты, включая обнаружение ошибок CRC , терминацию на кристалле , пакетное оборудование, программируемые конвейеры, низкий импеданс и большую потребность в усилителях считывания (обусловленную уменьшением количества бит на битовую линию из-за более низкого напряжения), значительно увеличили пропускную способность, но за счет занятия большей площади кристалла. Следовательно, доля кристалла, выделенная самому массиву памяти, со временем уменьшилась: с 70–78% для SDRAM и DDR1 до 47% для DDR2, 38% для DDR3 и потенциально менее 30% для DDR4. [46]
Спецификация определила стандарты для устройств памяти ×4, ×8 и ×16 емкостью 2, 4, 8 и 16 Гбит. [1] [47]
Помимо вариантов пропускной способности и емкости, модули DDR4 могут опционально реализовывать:
ECC , который является дополнительной полосой байтов данных, используемой для исправления незначительных ошибок и обнаружения серьезных ошибок для повышения надежности. Модули с ECC идентифицируются дополнительным ECC в их обозначении. PC4-19200 ECC или PC4-19200E — это модуль PC4-19200 с ECC. [48]
Регистрируемая (или буферизованная) RAM улучшает целостность сигнала, что может улучшить тактовую частоту и обеспечить большую физическую емкость слота, буферизируя сигналы электрически. Это происходит за счет дополнительного тактового цикла задержки. Эти модули идентифицируются по «R» в их обозначении, например, PC4-19200R . Обычно модули с таким обозначением также являются ECC ( Error-Correcting Code ) Registered, хотя «E» для ECC не всегда может быть включено в обозначение. И наоборот, незарегистрированная RAM, также известная как небуферизованная RAM, идентифицируется по «U» в обозначении, например, PC4-19200U. [48]
Модули с уменьшенной нагрузкой , которые обозначаются как LR и похожи на зарегистрированную/буферизованную память, таким образом, что модули LRDIMM буферизуют как линии управления, так и линии данных, сохраняя при этом параллельную природу всех сигналов. Таким образом, память LRDIMM обеспечивает большую общую максимальную емкость памяти, одновременно решая некоторые проблемы производительности и энергопотребления памяти FB, вызванные требуемым преобразованием между последовательными и параллельными формами сигнала. [48]
Кодировка команд
Хотя DDR4 по-прежнему работает в основном так же, он вносит одно существенное изменение в форматы команд, используемые предыдущими поколениями SDRAM . Новый командный сигнал, ACT , имеет низкий уровень, чтобы указать на команду активации (открыть строку).
Команда активации требует больше адресных битов, чем любая другая (18 бит адреса строки в 16-гигабитной части), поэтому стандартные активные низкие сигналы RAS , CAS и WE используются совместно с адресными битами высокого порядка, которые не используются, когда ACT имеет высокий уровень. Комбинация RAS = L и CAS = WE = H, которая ранее кодировала команду активации, не используется.
Как и в предыдущих кодировках SDRAM, A10 используется для выбора вариантов команд: автопредзаряда для команд чтения и записи, а также одного банка против всех банков для команды предзаряда. Он также выбирает два варианта команды калибровки ZQ.
Как и в DDR3, A12 используется для запроса burst chop : усечение 8-передачи burst после четырех передач. Хотя банк все еще занят и недоступен для других команд, пока не истечет восемь времен передачи, можно получить доступ к другому банку.
Также значительно увеличено количество адресов банков. Есть четыре бита выбора банка для выбора до 16 банков в каждой DRAM: два бита адреса банка (BA0, BA1) и два бита группы банков (BG0, BG1). Существуют дополнительные временные ограничения при доступе к банкам в пределах одной группы банков; доступ к банку в другой группе банков осуществляется быстрее.
Стандартные скорости передачи данных составляют 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933 и 3200 МТ/с [49] [50] ( тактовые частоты 12 ⁄ 15 , 14 ⁄ 15 , 16 ⁄ 15 , 18 ⁄ 15 , 20 ⁄ 15 , 22 ⁄ 15 и 24 ⁄ 15 ГГц, удвоенная скорость передачи данных), со скоростями до DDR4-4800 (тактовая частота 2400 МГц) в продаже. [51]
Соображения по дизайну
Команда разработчиков DDR4 в Micron Technology определила некоторые ключевые моменты для проектирования ИС и печатных плат: [52]
Проектирование ИС: [52]
Калибровка VrefDQ (DDR4 «требует, чтобы калибровка VrefDQ выполнялась контроллером»);
Новые схемы адресации («группировка банков», ACT для замены команд RAS , CAS и WE , PAR и Alert для проверки ошибок и DBI для инверсии шины данных);
Новые функции энергосбережения (автоматическое самообновление с низким энергопотреблением, обновление с контролем температуры, обновление с мелкой детализацией, инверсия шины данных и задержка CMD/ADDR).
Проектирование печатной платы: [52]
Новые источники питания (VDD/VDDQ на 1,2 В и усиление словарной линии, известное как VPP, на 2,5 В);
VrefDQ должен подаваться изнутри DRAM, тогда как VrefCA подается извне с платы;
Контакты DQ заканчиваются высоким уровнем, используя ввод-вывод с псевдооткрытым стоком (это отличается от контактов CA в DDR3, которые подключены к VTT в центре). [52]
Методы смягчения последствий Rowhammer включают в себя более крупные накопительные конденсаторы, изменение адресных линий для использования рандомизации компоновки адресного пространства и двухвольтовые линии ввода-вывода, которые дополнительно изолируют потенциальные граничные условия, которые могут привести к нестабильности на высоких скоростях записи/чтения.
Модули
Упаковка модуля
Модуль памяти DDR4 SO-DIMM объемом 16 ГБ [1] от Micron
Память DDR4 поставляется в 288-контактных двухрядных модулях памяти (DIMM), по размеру схожих с 240-контактными модулями DDR3 DIMM. Модули ОЗУ DDR4 имеют контакты, которые расположены ближе друг к другу на расстоянии 0,85 мм по сравнению с расстоянием 1,0 мм в DDR3, что позволяет обеспечить более высокую плотность контактов при той же стандартной длине DIMM 133,35 мм (5¼ дюйма). Высота модулей DDR4 немного увеличена до 31,25 мм (1,23 дюйма) с 30,35 мм (1,2 дюйма) для облегчения маршрутизации сигналов. Кроме того, толщина модулей DDR4 была увеличена до 1,2 мм с 1,0 мм для поддержки большего количества сигнальных слоев, что повышает общую производительность и надежность. [53] Модули DIMM DDR4 имеют слегка изогнутый краевой разъем , поэтому не все контакты задействуются одновременно во время вставки модуля, что снижает усилие вставки. [13]
Модули DDR4 SO-DIMM имеют 260 контактов вместо 204 контактов DDR3 SO-DIMM, расположены на расстоянии 0,5, а не 0,6 мм и на 2,0 мм шире (69,6 против 67,6 мм), но остаются такими же 30 мм в высоту. [54]
Для своей микроархитектуры Skylake компания Intel разработала пакет SO-DIMM под названием UniDIMM , который может быть заполнен чипами DDR3 или DDR4. В то же время было объявлено, что интегрированный контроллер памяти (IMC) процессоров Skylake способен работать с любым типом памяти. Цель UniDIMM — помочь в переходе рынка с DDR3 на DDR4, где цены и доступность могут сделать нежелательным переключение типа оперативной памяти. UniDIMM имеют те же размеры и количество контактов, что и обычные DDR4 SO-DIMM, но выемка краевого разъема расположена по-другому, чтобы избежать случайного использования в несовместимых гнездах DDR4 SO-DIMM. [55]
Тактовые циклы между отправкой адреса столбца в память и началом данных в ответе
tRCD
Тактовые циклы между активацией строки и чтением/записью
тРП
Тактовые циклы между предварительной зарядкой и активацией строки
DDR4-xxxx обозначает скорость передачи данных по битам и обычно используется для описания чипов DDR. PC4-xxxxx обозначает общую скорость передачи в мегабайтах в секунду и применяется только к модулям (собранным DIMM). Поскольку модули памяти DDR4 передают данные по шине шириной 8 байт (64 бита данных), пиковая скорость передачи модуля рассчитывается путем умножения числа передач в секунду на восемь. [56]
Преемник
На Форуме разработчиков Intel 2016 обсуждалось будущее DDR5 SDRAM . Спецификации были окончательно утверждены в конце 2016 года, но до 2020 года модули не будут доступны. [57] Также были предложены другие технологии памяти, а именно HBM в версиях 3 и 4 [58] , призванные заменить DDR4.
В 2011 году JEDEC представил стандарт Wide I/O 2 , который включает в себя стекированные кристаллы памяти, размещенные непосредственно поверх ЦП в одном корпусе. Эта конфигурация обеспечивает более высокую пропускную способность и улучшенную энергоэффективность по сравнению с DDR4 SDRAM благодаря широкому интерфейсу и короткой длине сигнала. Wide I/O 2 нацелен на замену различных мобильных стандартов DDRX SDRAM , используемых в высокопроизводительных встроенных и мобильных устройствах, таких как смартфоны.
Параллельно Hynix разработала High Bandwidth Memory (HBM) , стандартизированную как JEDEC JESD235. И Wide I/O 2, и HBM используют очень широкий параллельный интерфейс памяти — до 512 бит для Wide I/O 2 по сравнению с 64 битами для DDR4 — хотя они работают на более низких частотах, чем DDR4. Wide I/O 2 предназначен для высокопроизводительных компактных устройств, часто интегрируемых в процессоры или пакеты систем на кристалле (SoC). Напротив, HBM нацелена на графическую память и общие вычисления, в то время как Hybrid Memory Cube (HMC) нацелен на высокопроизводительные серверы и корпоративные приложения. [59]
Стекированная память Hybrid Memory Cube (HMC) компании Micron Technology использует последовательный интерфейс. Многие другие компьютерные шины перешли к замене параллельных шин на последовательные, например, в результате эволюции Serial ATA, заменившего Parallel ATA , PCI Express, заменившего PCI , и последовательных портов, заменивших параллельные порты. В целом, последовательные шины легче масштабировать и имеют меньше проводов/дорожек, что упрощает проектирование печатных плат с их использованием. [60] [61] [62]
^ В качестве прототипа этот модуль памяти DDR4 имеет плоский краевой разъем в нижней части, в то время как серийные модули DDR4 DIMM имеют слегка изогнутый краевой разъем, поэтому не все контакты задействуются одновременно во время вставки модуля, что снижает усилие вставки. [13]
^ 1 MT = один миллион переводов
^ 1 ГБ = один миллиард байт
Ссылки
^ abcdefgh Здесь K , M , G или T относятся к двоичным префиксам, основанным на степенях числа 1024.
^ abcdef Марк (2011-04-05). "Hynix производит свои первые модули DDR4". Be hardware . Архивировано из оригинала 2012-04-15 . Получено 2012-04-14 .
^ ab Micron дразнит рабочей DDR4 RAM, Engadget, 2012-05-08 , получено 2012-05-08
^ "Samsung производит массово DDR4" . Получено 2013-08-31 .
^ История DRAM (PDF) , IEEE, 2008, стр. 10, заархивировано из оригинала (PDF) 4 июня 2011 г. , извлечено 23 января 2012 г.
^ "Crucial DDR4 Server Memory Now Available". Globe newswire . 2 июня 2014 г. Получено 12 декабря 2014 г.
^ btarunr (14 сентября 2014 г.). «Как Intel планирует перейти с DDR3 на DDR4 для массового рынка». TechPowerUp . Получено 28 апреля 2015 г.
^ Ванг, Дэвид (12 марта 2013 г.). «Зачем переходить на DDR4?». Inphi Corp. – через EE Times.
^ abcd Jung, JY (2012-09-11), «Как достижения DRAM влияют на инфраструктуру серверов», Форум разработчиков Intel 2012, Intel, Samsung; Активные события, заархивировано из оригинала 2012-11-27 , извлечено 2012-09-15
^ "DDR4 – Преимущества перехода с DDR3", Products , получено 20 августа 2014 г..
^ «Corsair выпускает самую быструю в мире оперативную память DDR4, а 16 ГБ стоят дороже, чем ваш игровой ПК (вероятно) | TechRadar». www.techradar.com .
^ ab "Разъемы Molex DDR4 DIMM, без галогенов". Arrow Europe . Molex . 2012 . Получено 22.06.2015 .
^ Соболев, Вячеслав (2005-05-31). "JEDEC: стандарты памяти на подходе". Digitimes . Через tech. Архивировано из оригинала 2013-12-03 . Получено 2011-04-28 . Первоначальные исследования уже начались в области технологий памяти за пределами DDR3. JEDEC всегда имеет около трех поколений памяти на разных стадиях процесса стандартизации: текущее поколение, следующее поколение и будущее.
^ "DDR3: Часто задаваемые вопросы" (PDF) . Kingston Technology . Архивировано из оригинала (PDF) 2011-07-28 . Получено 2011-04-28 . Память DDR3 выпущена в июне 2007 г.
^ Valich, Theo (2007-05-02). "Запуск DDR3 назначен на 9 мая". The Inquirer . Архивировано из оригинала 5 февраля 2010 года . Получено 28 апреля 2011 года .{{cite news}}: CS1 maint: неподходящий URL ( ссылка )
^ Хаммершмидт, Кристоф (29.08.2007). «Энергонезависимая память — секретная звезда на встрече JEDEC». EE Times . Получено 28.04.2011 .
^ ab "DDR4 – преемник памяти DDR3". The "H" (онлайн-ред.). 2008-08-21. Архивировано из оригинала 26 мая 2011 г. Получено 2011-04-28 . Комитет по стандартизации JEDEC привел похожие цифры примерно год назад
^ ab Graham-Smith, Darien (2008-08-19). "IDF: DDR3 не догонит DDR2 в 2009 году". PC Pro . Архивировано из оригинала 2011-06-07 . Получено 2011-04-28 .
^ Volker, Rißka (2008-08-21). "IDF: DDR4 als Hauptspeicher ab 2012" [Форум разработчиков Intel: DDR4 как основная память с 2012 года]. Computerbase (на немецком языке). DE . Получено 2011-04-28 .(Английский)
^ ab Novakovic, Nebojsa (2008-08-19). "Qimonda: DDR3 moving forward". The Inquirer . Архивировано из оригинала 25 ноября 2010 года . Получено 28 апреля 2011 года .{{cite web}}: CS1 maint: неподходящий URL ( ссылка )
^ Грюнер, Вольфганг (4 февраля 2009 г.). «Samsung намекает на DDR4 с первым проверенным 40 нм DRAM». TG daily. Архивировано из оригинала 24 мая 2009 г. Получено 2009-06-16 .
^ Jansen, Ng (20 января 2009 г.). «DDR3 будет дешевле и быстрее в 2009 году». Dailytech. Архивировано из оригинала 22 июня 2009 г. Получено 17 июня 2009 г.
^ Джерваси, Билл. "Время переосмыслить DDR4" (PDF) . Июль 2010 г. Discobolus Designs . Получено 29.04.2011 г.
^ «DDR4-Speicher kommt wohl später als bisher geplant» [Память DDR4, вероятно, появится позже, чем планировалось ранее]. Хейзе (на немецком языке). ДЭ. 17 августа 2010 г. Проверено 29 апреля 2011 г.(Английский)
^ Нильссон, Ларс-Йоран (16.08.2010). "DDR4 не ожидается до 2015 года". Полуточно . Получено 29.04.2011 .
^ annihilator (2010-08-18). "DDR4 память в разработке, будет достигать 4,266 ГГц". WCCF tech . Получено 2011-04-29 .
^ ab "Samsung разрабатывает первую в отрасли память DDR4 DRAM с использованием технологии класса 30 нм". Samsung . 2011-04-11. Архивировано из оригинала 2011-07-16.
^ Проталински, Эмиль (2011-01-04), Samsung разрабатывает память DDR4, на 40% более эффективную, Techspot , получено 2012-01-23
^ abcd後藤, 弘茂 [Гото Сигехиро] (16 августа 2010 г.). «メモリ4Gbps時代へと向かう次世代メモリDDR4» [На пути к памяти DDR4 следующего поколения со скоростью 4 Гбит/с]. 16 августа 2010 г. (на японском языке). ДП : Компьютерные часы . Проверено 25 апреля 2011 г.(перевод на английский)
^ "Samsung представляет образцы первых в отрасли модулей памяти DDR4 для серверов" (пресс-релиз). Samsung. Архивировано из оригинала 2013-11-04.
^ «Samsung представляет образцы первых в отрасли 16-гигабайтных серверных модулей на базе технологии памяти DDR4» (пресс-релиз). Samsung.
↑ Эмили Дежарденс (25 сентября 2012 г.). «JEDEC объявляет о публикации стандарта DDR4». JEDEC . Получено 5 апреля 2019 г. .
↑ Шах, Агам (12 апреля 2013 г.), «Внедрение памяти DDR4 сталкивается с задержками», TechHive , IDG, заархивировано из оригинала 11 января 2015 г. , извлечено 30 июня 2013 г..
^ abc Шилов, Антон (2010-08-16), Память DDR4 следующего поколения достигнет частоты 4,266 ГГц, Xbit labs, заархивировано из оригинала 2010-12-19 , извлечено 2011-01-03
^ 1 Мбит = один миллион бит
^ "Samsung начинает производство 10-нанометровой DRAM-памяти". Официальный блог новостей о технологии памяти DDR4 . 2016-05-21. Архивировано из оригинала 2016-06-04 . Получено 2016-05-23 .
^ abc Shah, Agam (2013-04-12). "Внедрение памяти DDR4 сталкивается с задержками". IDG News . Получено 22 апреля 2013 г.
^ "Haswell-E – первый 8-ядерный процессор Intel для настольных ПК". TechPowerUp .
^ «Процессоры AMD Zen будут иметь до 32 ядер и 8-канальную память DDR4».
^ ab Swinburne, Richard (2010-08-26). "DDR4: Что мы можем ожидать". Bit tech . Получено 2011-04-28 .Страница 1, 2, 3.
^ ab "JEDEC объявляет о разработке широкого спектра стандартов 3D-IC" (пресс-релиз). JEDEC . 2011-03-17 . Получено 26 апреля 2011 г. .
^ Тан, Гутманн; Тан, Рейф (2008). Технология обработки ИС 3-D на уровне пластин. Springer. стр. 278 (разделы 12.3.4–12.3.5). ISBN978-0-38776534-1.
^ JESD79-4 – Стандарт JEDEC DDR4 SDRAM, сентябрь 2012 г. (PDF) , X devs, заархивировано из оригинала (PDF) 2016-03-04 , извлечено 2015-09-19.
^ abc Бланд, Род. «Каковы различные типы памяти (RAM)?».
^ ab Стандарт JEDEC JESD79-4: DDR4 SDRAM, Ассоциация твердотельных технологий JEDEC, сентябрь 2012 г. , получено 11 октября 2012 г.. Имя пользователя « cypherpunks » и пароль «cypherpunks» позволят загрузить файл.
^ Стандарт JEDEC JESD79-4B: DDR4 SDRAM (PDF) , Ассоциация твердотельных технологий JEDEC, июнь 2017 г. , получено 18 августа 2017 г.. Имя пользователя « cypherpunks » и пароль «cypherpunks» позволят загрузить файл.
↑ Линч, Стивен (19 июня 2017 г.). «G.Skill привезла на Computex свою молниеносную DDR4-4800». Tom's Hardware .
^ abcd "Хотите узнать последние новости о DDR4 DRAM? Вот несколько технических ответов от команды Micron, которые будут интересны разработчикам ИС, систем и печатных плат". Denali Memory Report, сайт с отчетами о рынке памяти. 2012-07-26. Архивировано из оригинала 2013-12-02 . Получено 22 апреля 2013 г.
