stringtranslate.com

Закон Мура

см. заголовок
Полулогарифмический график количества транзисторов в микропроцессорах в зависимости от даты их выпуска, которое почти удваивается каждые два года

Закон Мура — это наблюдение, что количество транзисторов в интегральной схеме (ИС) удваивается примерно каждые два года. Закон Мура — это наблюдение и проекция исторической тенденции. Это не закон физики , а эмпирическое отношение . Это закон кривой опыта , тип закона, количественно определяющий прирост эффективности от опыта в производстве.

Наблюдение названо в честь Гордона Мура , соучредителя Fairchild Semiconductor и Intel (и бывшего генерального директора последней), который в 1965 году отметил, что количество компонентов на интегральную схему удваивается каждый год , [a] и спрогнозировал, что этот темп роста сохранится по крайней мере еще на десятилетие. В 1975 году, с нетерпением ожидая следующего десятилетия, он пересмотрел прогноз, установив удвоение каждые два года, что составляет среднегодовой темп роста (CAGR) в 41%. Эмпирические данные Мура напрямую не подразумевали, что историческая тенденция сохранится, тем не менее его предсказание остается верным с 1975 года и с тех пор стало известно как «закон».

Предсказание Мура использовалось в полупроводниковой промышленности для руководства долгосрочным планированием и постановки целей для исследований и разработок , таким образом, функционируя в некоторой степени как самоисполняющееся пророчество . Достижения в цифровой электронике , такие как снижение цен на микропроцессоры с поправкой на качество , увеличение емкости памяти ( ОЗУ и флэш-памяти ), улучшение датчиков и даже количество и размер пикселей в цифровых камерах , тесно связаны с законом Мура. Эти текущие изменения в цифровой электронике стали движущей силой технологических и социальных изменений, производительности и экономического роста.

Эксперты отрасли не пришли к единому мнению о том, когда именно закон Мура перестанет действовать. Архитекторы микропроцессоров сообщают, что развитие полупроводников замедлилось в отрасли примерно с 2010 года, что немного ниже темпов, предсказанных законом Мура. В сентябре 2022 года генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг посчитал закон Мура мертвым, [2] в то время как генеральный директор Intel Пэт Гелсингер придерживался противоположной точки зрения. [3]

История

В 1959 году Дуглас Энгельбарт изучил проектируемое уменьшение размера интегральных схем (ИС), опубликовав свои результаты в статье «Микроэлектроника и искусство подобия». [4] [5] [6] Энгельбарт представил свои выводы на Международной конференции по твердотельным схемам 1960 года , где Мур присутствовал в числе слушателей. [7]

В 1965 году Гордон Мур, который в то время работал директором по исследованиям и разработкам в Fairchild Semiconductor , получил приглашение выступить в выпуске журнала Electronics , посвященном тридцать пятой годовщине , с прогнозом относительно будущего отрасли полупроводниковых компонентов на ближайшие десять лет. [8] Его ответом стала краткая статья под названием «Впихивание большего количества компонентов в интегральные схемы». [1] [9] [b] В своей редакционной статье он предположил, что к 1975 году можно будет разместить до 65 000 компонентов на одном полупроводнике площадью четверть квадратного дюйма (~1,6 квадратного сантиметра).

Сложность минимальных затрат на компоненты увеличилась примерно в два раза в год. Конечно, в краткосрочной перспективе можно ожидать, что этот темп сохранится, если не увеличится. В долгосрочной перспективе темпы роста немного более неопределенны, хотя нет никаких оснований полагать, что они не останутся почти постоянными по крайней мере в течение 10 лет. [1]

Мур постулировал логарифмически линейную зависимость между сложностью устройства (более высокая плотность схемы при сниженной стоимости) и временем. [12] [13] В интервью 2015 года Мур заметил о статье 1965 года: «...Я просто сделал дикую экстраполяцию, сказав, что она будет продолжать удваиваться каждый год в течение следующих 10 лет». [14] Один историк права цитирует закон эпонимии Стиглера , чтобы представить тот факт, что регулярное удвоение компонентов было известно многим работающим в этой области. [13]

В 1974 году Роберт Х. Деннард из IBM распознал технологию быстрого масштабирования МОП-транзисторов и сформулировал то, что стало известно как масштабирование Деннарда , которое описывает, что по мере уменьшения размеров МОП-транзисторов их плотность мощности остается постоянной, так что потребление энергии остается пропорциональным площади. [15] [16] Данные из полупроводниковой промышленности показывают, что эта обратная зависимость между плотностью мощности и плотностью площади нарушилась в середине 2000-х годов. [17]

На Международном собрании IEEE по электронным приборам в 1975 году Мур пересмотрел свой прогноз скорости, [18] [19] предсказав, что сложность полупроводников будет продолжать удваиваться ежегодно примерно до 1980 года, после чего она снизится до скорости удвоения примерно каждые два года. [19] [20] [21] Он выделил несколько факторов, способствующих этому экспоненциальному поведению: [12] [13]

Вскоре после 1975 года профессор Калтеха Карвер Мид популяризировал термин «закон Мура». [22] [23] Закон Мура в конечном итоге стал широко принят как цель для полупроводниковой промышленности, и на него ссылались конкурирующие производители полупроводников, стремясь увеличить вычислительную мощность. Мур считал свой одноименный закон удивительным и оптимистичным: «Закон Мура — это нарушение закона Мерфи . Все становится лучше и лучше». [24] Это наблюдение даже рассматривалось как самоисполняющееся пророчество . [25] [26]

Период удвоения часто ошибочно цитируется как 18 месяцев из-за отдельного предсказания коллеги Мура, руководителя Intel Дэвида Хауса . [27] В 1975 году Хаус отметил, что пересмотренный закон Мура об удвоении количества транзисторов каждые 2 года в свою очередь подразумевал, что производительность компьютерного чипа будет примерно удваиваться каждые 18 месяцев [28] (без увеличения энергопотребления). [29] Математически закон Мура предсказывал, что количество транзисторов будет удваиваться каждые 2 года из-за уменьшения размеров транзисторов и других улучшений. [30] Вследствие уменьшения размеров масштабирование Деннарда предсказывало, что потребление энергии на единицу площади останется постоянным. Объединив эти эффекты, Дэвид Хаус пришел к выводу, что производительность компьютерного чипа будет примерно удваиваться каждые 18 месяцев. Также из-за масштабирования Деннарда это увеличение производительности не будет сопровождаться увеличением мощности, т. е. энергоэффективность компьютерных чипов на основе кремния примерно удваивается каждые 18 месяцев. Масштабирование Деннарда закончилось в 2000-х годах. [17] Позже Куми показал, что аналогичный темп повышения эффективности существовал до появления кремниевых чипов и закона Мура для таких технологий, как электронные лампы.

Большой ранний портативный компьютер рядом с современным смартфоном
Портативный компьютер Osborne Executive 1982 года с 8-битным процессором Zilog Z80 с тактовой частотой 4 МГц и Apple iPhone 2007 года с 32-битным процессором ARM11 с тактовой частотой 412 МГц; Executive весит в 100 раз больше, объем почти в 500 раз больше, стоит примерно в 10 раз дороже с учетом инфляции и имеет тактовую частоту, составляющую 1/100 от тактовой частоты смартфона .

Архитекторы микропроцессоров сообщают, что примерно с 2010 года развитие полупроводников в отрасли замедлилось ниже темпов, предсказанных законом Мура. [17] Брайан Кржанич , бывший генеральный директор Intel, сослался на пересмотр Мура 1975 года как на прецедент для текущего замедления, которое является результатом технических проблем и «естественной частью истории закона Мура». [31] [32] [33] Темпы улучшения физических измерений, известные как масштабирование Деннарда, также прекратились в середине 2000-х годов. В результате большая часть полупроводниковой промышленности переключила свое внимание на потребности основных вычислительных приложений, а не на масштабирование полупроводников. [25] [34] [17] Тем не менее, ведущие производители полупроводников TSMC и Samsung Electronics заявили, что следуют закону Мура [35] [36] [37] [38] [39] [40] с 10 , 7 и 5 нм узлами в массовом производстве. [35] [36] [41] [42] [43]

Второй закон Мура

По мере того, как стоимость мощности компьютера для потребителя падает, затраты производителей на выполнение закона Мура следуют противоположной тенденции: затраты на НИОКР, производство и тестирование неуклонно растут с каждым новым поколением чипов. Стоимость инструментов, в основном EUVL ( экстремальная ультрафиолетовая литография ), используемых для производства чипов, удваивается каждые 4 года. [44] Рост производственных затрат является важным фактором для поддержания закона Мура. [45] Это привело к формулировке второго закона Мура , также называемого законом Рока (названного в честь Артура Рока ), который заключается в том, что капитальные затраты на завод по производству полупроводников также увеличиваются экспоненциально с течением времени. [46] [47]

Основные благоприятствующие факторы

Полулогарифмический график размеров правил проектирования флэш-памяти NAND в нанометрах в зависимости от даты внедрения. Нисходящая линейная регрессия указывает на экспоненциальное уменьшение размеров функций с течением времени.
Тенденция масштабирования MOSFET для флэш-памяти NAND позволяет удвоить количество компонентов MOSFET с плавающим затвором, производимых на той же площади пластины, менее чем за 18 месяцев.

Многочисленные инновации ученых и инженеров поддерживали закон Мура с начала эры ИС. Некоторые из ключевых инноваций перечислены ниже как примеры прорывов, которые продвинули технологию производства интегральных схем и полупроводниковых приборов , позволив количеству транзисторов вырасти более чем на семь порядков менее чем за пять десятилетий.

В 2001 году дорожные карты развития компьютерной индустрии предсказывали, что закон Мура будет действовать в течение нескольких поколений полупроводниковых чипов. [71]

Последние тенденции

анимированный график, показывающий плотность электронов и ток при изменении напряжения на затворе
Моделирование плотности электронов при изменении напряжения затвора (Vg) в нанопроволочном МОП-транзисторе. Пороговое напряжение составляет около 0,45 В. Нанопроволочные МОП-транзисторы находятся в конце дорожной карты ITRS для масштабирования устройств с длиной затвора менее 10 нм.

Одной из ключевых технических проблем проектирования будущих нанотранзисторов является проектирование затворов. По мере уменьшения размеров устройства управление током в тонком канале становится все сложнее. Современные нанотранзисторы обычно имеют форму многозатворных МОП-транзисторов , причем наиболее распространенным нанотранзистором является FinFET . У FinFET затворный диэлектрик находится с трех сторон канала. Для сравнения, структура затвор-все-аround МОП-транзистора ( GAAFET ) имеет еще лучшее управление затвором.

Архитекторы микропроцессоров сообщают, что развитие полупроводников замедлилось в отрасли примерно с 2010 года, что ниже темпов, предсказанных законом Мура. [17] Брайан Кржанич, бывший генеральный директор Intel, заявил: «Сегодня наш темп ближе к двум с половиной годам, чем к двум». [103] В 2015 году Intel заявила, что усовершенствования в устройствах MOSFET замедлились, начавшись с ширины элемента 22 нм около 2012 года и продолжившись на 14 нм . [104] Пэт Гелсингер, генеральный директор Intel, заявил в конце 2023 года, что «мы больше не находимся в золотой эре закона Мура, сейчас это намного, намного сложнее, поэтому мы, вероятно, эффективно удваиваемся ближе к каждые три года, так что мы определенно увидели замедление». [105]

Физические пределы масштабирования транзистора были достигнуты из-за утечки от источника к стоку, ограниченных металлов затвора и ограниченных вариантов материала канала. Изучаются другие подходы, которые не полагаются на физическое масштабирование. К ним относятся спиновое состояние электронной спинтроники , туннельные переходы и расширенное ограничение материалов канала с помощью геометрии нанопроводов. [106] Логика и опции памяти на основе спина активно разрабатываются в лабораториях. [107] [108]

Альтернативные исследования материалов

Подавляющее большинство современных транзисторов на ИС состоят в основном из легированного кремния и его сплавов. Поскольку кремний изготавливается в виде однонанометровых транзисторов, эффекты короткого канала неблагоприятно изменяют желаемые материальные свойства кремния как функционального транзистора. Ниже приведены несколько некремниевых заменителей при изготовлении небольших нанометровых транзисторов.

Одним из предлагаемых материалов является арсенид галлия индия или InGaAs. По сравнению с их аналогами из кремния и германия транзисторы InGaAs более перспективны для будущих высокоскоростных, маломощных логических приложений. Из-за внутренних характеристик полупроводниковых соединений III-V , транзисторы с квантовыми ямами и туннельным эффектом на основе InGaAs были предложены в качестве альтернативы более традиционным конструкциям MOSFET.

Исследования в области биологических вычислений показывают, что биологический материал имеет более высокую плотность информации и энергоэффективность по сравнению с вычислениями на основе кремния. [116]

см. заголовок
Изображение графена в его гексагональной решетчатой ​​структуре, полученное с помощью сканирующего зондового микроскопа

Различные формы графена изучаются для графеновой электроники , например, транзисторы на основе графеновых нанолент показали себя многообещающими с момента их появления в публикациях в 2008 году. (Объемный графен имеет ширину запрещенной зоны , равную нулю, и поэтому не может использоваться в транзисторах из-за его постоянной проводимости, неспособности выключаться. Зигзагообразные края нанолент вводят локализованные энергетические состояния в зоны проводимости и валентную зону и, таким образом, ширину запрещенной зоны, которая позволяет переключаться при изготовлении в качестве транзистора. Например, типичная графеновая нанолента шириной 10 нм имеет желаемую энергию запрещенной зоны 0,4 эВ. [117] [118] ) Однако необходимо провести больше исследований на слоях графена толщиной менее 50 нм, поскольку его удельное сопротивление увеличивается, и, следовательно, подвижность электронов уменьшается. [117]

Прогнозы и дорожные карты

В апреле 2005 года Гордон Мур заявил в интервью, что прогноз не может поддерживаться бесконечно: «Это не может продолжаться вечно. Природа экспонент такова, что вы выталкиваете их, и в конечном итоге происходит катастрофа». Он также отметил, что транзисторы в конечном итоге достигнут пределов миниатюризации на атомном уровне:

С точки зрения размера [транзисторов] вы можете видеть, что мы приближаемся к размеру атомов, что является фундаментальным барьером, но пройдет два или три поколения, прежде чем мы доберемся до этого, но это самое далекое, что мы когда-либо могли видеть. У нас есть еще 10-20 лет, прежде чем мы достигнем фундаментального предела. К тому времени они смогут делать более крупные чипы и иметь бюджеты транзисторов в миллиарды. [119]

—  Гордон Мур в 2006 году

В 2016 году Международная технологическая дорожная карта для полупроводников , после использования закона Мура для управления отраслью с 1998 года, разработала свою окончательную дорожную карту. Она больше не сосредоточивала свой план исследований и разработок на законе Мура. Вместо этого она изложила то, что можно было бы назвать стратегией «Больше, чем Мур», в которой потребности приложений стимулируют разработку чипов, а не фокусируются на масштабировании полупроводников. Драйверы приложений варьируются от смартфонов до искусственного интеллекта и центров обработки данных. [120]

В 2016 году IEEE начал инициативу по составлению дорожной карты «Перезагрузка вычислений», названную Международной дорожной картой для устройств и систем (IRDS). [121]

Некоторые прогнозисты, включая Гордона Мура, [122] предсказывают, что закон Мура закончится примерно к 2025 году. [123] [120] [124] Хотя закон Мура достигнет физического предела, некоторые прогнозисты с оптимизмом смотрят на продолжение технологического прогресса в различных других областях, включая новые архитектуры микросхем, квантовые вычисления, а также искусственный интеллект и машинное обучение. [125] [126] Генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг объявил, что закон Мура умер в 2022 году; [2] несколько дней спустя генеральный директор Intel Пэт Гелсингер выступил с противоположным заявлением. [3]

Последствия

Цифровая электроника способствовала мировому экономическому росту в конце двадцатого и начале двадцать первого веков. [127] Основной движущей силой экономического роста является рост производительности , [128] который учитывается законом Мура. Мур (1995) ожидал, что «темп технологического прогресса будет контролироваться финансовыми реалиями». [129] Однако обратное могло произойти и произошло примерно в конце 1990-х годов, поскольку экономисты сообщали, что «Рост производительности является ключевым экономическим показателем инноваций». [130] Закон Мура описывает движущую силу технологических и социальных изменений, производительности и экономического роста. [131] [132] [128]

Ускорение темпов развития полупроводниковой промышленности способствовало резкому росту производительности труда в США, [133] [134] [135] который достиг 3,4% в год в 1997–2004 годах, превзойдя 1,6% в год в 1972–1996 и 2005–2013 годах. [136] Как отмечает экономист Ричард Г. Андерсон, «Многочисленные исследования прослеживают причину ускорения производительности в технологических инновациях в производстве полупроводников, которые резко снизили цены на такие компоненты и продукты, которые их содержат (а также расширили возможности таких продуктов)». [137]

Основное негативное последствие закона Мура заключается в том, что устаревание подталкивает общество к пределам роста . Поскольку технологии продолжают быстро «улучшаться», они делают предыдущие технологии устаревшими. В ситуациях, когда безопасность и живучесть оборудования или данных имеют первостепенное значение или когда ресурсы ограничены, быстрое устаревание часто создает препятствия для бесперебойной или непрерывной работы. [138]

Тенденция длины затвора транзистора Intel. Масштабирование транзистора

Другие формулировки и подобные наблюдения

Несколько показателей цифровой технологии улучшаются экспоненциально, в соответствии с законом Мура, включая размер, стоимость, плотность и скорость компонентов. Мур писал только о плотности компонентов, «компонентом является транзистор, резистор, диод или конденсатор», [129] при минимальной стоимости.

Транзисторы на интегральную схему – наиболее популярная формулировка – удвоение числа транзисторов на ИС каждые два года. В конце 1970-х годов закон Мура стал известен как предел для числа транзисторов на самых сложных чипах. График в верхней части этой статьи показывает, что эта тенденция сохраняется и сегодня. По состоянию на 2017 год коммерчески доступным процессором, обладающим наибольшим числом транзисторов, является 48-ядерный Centriq с более чем 18 миллиардами транзисторов. [139]

Плотность при минимальной стоимости транзистора – эта формулировка дана в статье Мура 1965 года. [1] Речь идет не только о плотности транзисторов, которая может быть достигнута, но и о плотности транзисторов, при которой стоимость транзистора будет наименьшей. [140]

По мере того, как на чип помещается больше транзисторов, стоимость производства каждого транзистора уменьшается, но увеличивается вероятность того, что чип не будет работать из-за дефекта. В 1965 году Мур исследовал плотность транзисторов, при которой стоимость минимальна, и заметил, что по мере того, как транзисторы уменьшались благодаря достижениям в области фотолитографии , это число увеличивалось «примерно в два раза в год». [1]

Масштабирование Деннарда – это постулирует, что потребление энергии будет уменьшаться пропорционально площади (и напряжение, и ток пропорциональны длине) транзисторов. В сочетании с законом Мура производительность на ватт будет расти примерно с той же скоростью, что и плотность транзисторов, удваиваясь каждые 1-2 года. Согласно масштабированию Деннарда размеры транзисторов будут масштабироваться на 30% (0,7x) с каждым поколением технологий, таким образом уменьшая их площадь на 50%. Это уменьшит задержку на 30% (0,7x) и, следовательно, увеличит рабочую частоту примерно на 40% (1,4x). Наконец, чтобы сохранить постоянное электрическое поле, напряжение будет уменьшено на 30%, что снизит энергию на 65% и мощность (при частоте 1,4x) на 50%. [c] Таким образом, в каждом поколении технологий плотность транзисторов будет удваиваться, схема станет на 40% быстрее, в то время как потребление энергии (при удвоенном количестве транзисторов) останется прежним. [141] Масштабирование Деннарда прекратилось в 2005–2010 годах из-за токов утечки. [17]

Экспоненциальный рост транзисторов процессора, предсказанный Муром, не всегда приводит к экспоненциальному росту практической производительности ЦП. Примерно с 2005–2007 годов масштабирование Деннарда прекратилось, поэтому, хотя закон Мура продолжал действовать и после этого, он не принес пропорциональных дивидендов в улучшении производительности. [15] [142] Основная причина, по которой был назван сбой, заключается в том, что при малых размерах утечка тока создает большие проблемы, а также вызывает нагрев чипа, что создает угрозу теплового разгона и, следовательно, еще больше увеличивает затраты на электроэнергию. [15] [142] [17]

Разрушение масштабирования Деннарда побудило больше сосредоточиться на многоядерных процессорах, но выигрыш, предлагаемый переключением на большее количество ядер, ниже, чем выигрыш, который был бы достигнут, если бы масштабирование Деннарда продолжалось. [143] [144] В другом отходе от масштабирования Деннарда микропроцессоры Intel приняли непланарный трехзатворный FinFET на 22 нм в 2012 году, который быстрее и потребляет меньше энергии, чем обычный планарный транзистор. [145] Темпы улучшения производительности одноядерных микропроцессоров значительно замедлились. [146] Производительность одноядерных процессоров улучшалась на 52% в год в 1986–2003 годах и на 23% в год в 2003–2011 годах, но замедлилась до всего семи процентов в год в 2011–2018 годах. [146]

Цена на ИТ-оборудование с поправкой на качество – Цена на информационные технологии (ИТ), компьютеры и периферийное оборудование, с поправкой на качество и инфляцию, снижалась в среднем на 16% в год за пять десятилетий с 1959 по 2009 год. [147] [148] Однако темпы роста ускорились до 23% в год в 1995–1999 годах, что было вызвано более быстрыми инновациями в области ИТ, [130] а затем замедлились до 2% в год в 2010–2013 годах. [147] [149]

В то время как улучшение цен на микропроцессоры с поправкой на качество продолжается, [150] скорость улучшения также варьируется и не является линейной в логарифмической шкале. Улучшение цен на микропроцессоры ускорилось в конце 1990-х годов, достигнув 60% в год (уменьшаясь вдвое каждые девять месяцев) по сравнению с типичным темпом улучшения в 30% (уменьшаясь вдвое каждые два года) в предыдущие и последующие годы. [151] [152] Микропроцессоры для ноутбуков, в частности, улучшались на 25–35% в год в 2004–2010 годах и замедлились до 15–25% в год в 2010–2013 годах. [153]

Количество транзисторов на чип не может полностью объяснить цены на микропроцессоры с поправкой на качество. [151] [154] [155] Статья Мура 1995 года не ограничивает закон Мура строгой линейностью или количеством транзисторов: «Определение «закона Мура» стало относиться почти ко всему, что связано с полупроводниковой промышленностью, что на полулогарифмическом графике приближается к прямой линии. Я не решаюсь пересматривать его происхождение и тем самым ограничивать его определение». [129]

Плотность записи на жестком диске – Аналогичное предсказание (иногда называемое законом Крайдера ) было сделано в 2005 году для плотности записи на жестком диске . [156] Позднее это предсказание было расценено как чрезмерно оптимистичное. Несколько десятилетий быстрого прогресса в плотности записи замедлились около 2010 года с 30–100% в год до 10–15% в год из-за шума, связанного с меньшим размером зерна дискового носителя, термостабильностью и возможностью записи с использованием доступных магнитных полей. [157] [158]

Оптоволоконная пропускная способность – количество бит в секунду, которое может быть отправлено по оптоволокну, увеличивается экспоненциально, быстрее, чем закон Мура. Закон Кека , в честь Дональда Кека . [159]

Пропускная способность сети – По словам Джеральда Баттерса, [160] [161] бывшего руководителя группы оптических сетей Lucent в Bell Labs, существует еще одна версия, называемая законом фотоники Баттерса, [162] формулировка, которая намеренно параллельна закону Мура. Закон Баттерса гласит, что объем данных, выходящих из оптического волокна, удваивается каждые девять месяцев. [163] Таким образом, стоимость передачи бита по оптической сети уменьшается вдвое каждые девять месяцев. Доступность мультиплексирования с разделением по длине волны (иногда называемого WDM) увеличила емкость, которую можно было разместить на одном волокне, в 100 раз. Оптические сети и плотное мультиплексирование с разделением по длине волны (DWDM) быстро снижают стоимость сетей, и дальнейший прогресс, похоже, гарантирован. В результате оптовая цена трафика данных рухнула в пузыре доткомов . Закон Нильсена гласит, что пропускная способность, доступная пользователям, увеличивается на 50% ежегодно. [164]

Пиксели на доллар – Аналогичным образом Барри Хенди из Kodak Australia построил график пикселей на доллар как базовую меру стоимости цифровой камеры, демонстрируя историческую линейность (в логарифмическом масштабе) этого рынка и возможность предсказать будущую тенденцию цен на цифровые камеры, ЖК- и светодиодные экраны, а также разрешение. [165] [166] [167] [168]

Великий компенсатор закона Мура (TGMLC) , также известный как закон Вирта , обычно называют раздуванием программного обеспечения и представляет собой принцип, согласно которому последующие поколения компьютерного программного обеспечения увеличиваются в размере и сложности, тем самым нивелируя прирост производительности, предсказанный законом Мура. В статье 2008 года в InfoWorld Рэндалл К. Кеннеди [169] , ранее работавший в Intel, вводит этот термин, используя в качестве предпосылки последовательные версии Microsoft Office между 2000 и 2007 годами. Несмотря на прирост вычислительной производительности за этот период времени согласно закону Мура, Office 2007 выполнил ту же задачу вдвое медленнее на прототипическом компьютере 2007 года по сравнению с Office 2000 на компьютере 2000 года.

Расширение библиотеки – было рассчитано в 1945 году Фремонтом Райдером, чтобы удваивать емкость каждые 16 лет, если будет достаточно места. [170] Он выступал за замену громоздких, ветшающих печатных работ миниатюрными микроформами аналоговых фотографий, которые можно было бы дублировать по требованию для посетителей библиотеки или других учреждений. Он не предвидел цифровую технологию, которая последует десятилетия спустя, чтобы заменить аналоговую микроформу цифровыми изображениями, хранением и средствами передачи. Автоматизированные, потенциально без потерь цифровые технологии позволили значительно увеличить скорость роста информации в эпоху, которую теперь иногда называют Информационным веком .

Кривая Карлсона – термин, введенный журналом The Economist [171] для описания биотехнологического эквивалента закона Мура и названный в честь автора Роба Карлсона. [172] Карлсон точно предсказал, что время удвоения технологий секвенирования ДНК (измеренное по стоимости и производительности) будет по крайней мере таким же быстрым, как закон Мура. [173] Кривые Карлсона иллюстрируют быстрое (в некоторых случаях гиперэкспоненциальное) снижение стоимости и увеличение производительности различных технологий, включая секвенирование ДНК, синтез ДНК и ряд физических и вычислительных инструментов, используемых для экспрессии белков и определения структур белков.

Закон Эрума – это наблюдение за разработкой фармацевтических препаратов, которое было намеренно записано как закон Мура, написанный наоборот, чтобы противопоставить его экспоненциальному прогрессу других форм технологий (например, транзисторов) с течением времени. Он гласит, что стоимость разработки нового препарата примерно удваивается каждые девять лет.

Эффект кривой опыта гласит, что каждое удвоение совокупного производства практически любого продукта или услуги сопровождается приблизительным постоянным процентным снижением себестоимости единицы продукции. Признанное первое документированное качественное описание этого датируется 1885 годом. [174] [175] Для описания этого явления в обсуждении стоимости самолетов в 1936 году использовалась кривая мощности. [176]

Закон Эдхольма – Фил Эдхольм заметил, чтопропускная способность телекоммуникационных сетей (включая Интернет) удваивается каждые 18 месяцев. [177] Пропускная способность сетей онлайн -коммуникаций выросла с бит в секунду до терабит в секунду . Быстрый рост пропускной способности онлайн во многом обусловлен тем же масштабированием MOSFET, которое позволило реализовать закон Мура, поскольку телекоммуникационные сети построены на MOSFET. [178]

Закон Хайтца предсказывает, что яркость светодиодов увеличивается по мере снижения себестоимости их производства.

Закон Свонсона — это наблюдение, что цена солнечных фотоэлектрических модулей имеет тенденцию падать на 20 процентов при каждом удвоении совокупного объема поставок. При нынешних темпах стоимость снижается на 75% примерно каждые 10 лет.

Смотрите также

Пояснительные записки

  1. ^ Тенденция берет свое начало с изобретением интегральной схемы в 1958 году. См. график внизу страницы 3 оригинального представления Муром этой идеи. [1]
  2. ^ В апреле 2005 года Intel предложила 10 000 долларов США за покупку копии оригинального выпуска журнала Electronics , в котором появилась статья Мура. [10] Инженер, живущий в Великобритании, был первым, кто нашел копию и предложил ее Intel. [11]
  3. ^ Активная мощность = CV 2 f

Ссылки

  1. ^ abcde Мур, Гордон Э. (19 апреля 1965 г.). «Впихивание большего количества компонентов в интегральные схемы» (PDF) . intel.com . Electronics Magazine . Архивировано (PDF) из оригинала 27 марта 2019 г. . Получено 1 апреля 2020 г. .
  2. ^ ab Witkowski, Wallace (22 сентября 2022 г.). «Закон Мура мертв», — говорит генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг, оправдывая повышение цен на игровые карты». MarketWatch . Получено 23 сентября 2022 г. .
  3. ^ ab Machkovech, Sam (27 сентября 2022 г.). "Intel: 'закон Мура не умер', поскольку графический процессор Arc A770 продается по цене $329". Ars Technica . Получено 28 сентября 2022 г. .
  4. ^ Энгельбарт, Дуглас К. (12 февраля 1960 г.). «Микроэлектроника и искусство подобия». Международная конференция IEEE по твердотельным схемам 1960 г. Сборник технических документов . Том III. IEEE. стр. 76–77. doi :10.1109/ISSCC.1960.1157297. Архивировано из оригинала 20 июня 2018 г.
  5. ↑ Маркофф, Джон (18 апреля 2005 г.). «Это закон Мура, но кто-то другой первым придумал идею». The New York Times . Архивировано из оригинала 4 марта 2012 г. Получено 4 октября 2011 г.
  6. ^ Маркофф, Джон (31 августа 2009 г.). «После транзистора, прыжок в микрокосм». The New York Times . Получено 31 августа 2009 г.
  7. ^ Маркофф, Джон (27 сентября 2015 г.). «Меньше, быстрее, дешевле, больше: будущее компьютерных чипов». The New York Times . Получено 28 сентября 2015 г.
  8. ^ Ковачич, Джеральд Л. (2016). Руководство для сотрудников службы безопасности информационных систем: создание и управление программой кибербезопасности (3-е изд.). Оксфорд: Butterworth-Heinemann. стр. 72. ISBN 978-0-12-802190-3.
  9. ^ «Выдержки из беседы с Гордоном Муром: Закон Мура» (PDF) . Корпорация Intel . 2005. стр. 1. Архивировано из оригинала (PDF) 29 октября 2012 г. . Получено 1 апреля 2020 г. .
  10. ^ Канеллос, Майкл (11 апреля 2005 г.). «Intel предлагает 10 000 долларов за журнал Moore's Law». ZDNET News.com . Получено 21 июня 2013 г.
  11. ^ "Найден оригинальный выпуск закона Мура". BBC News Online . 22 апреля 2005 г. Получено 26 августа 2012 г.
  12. ^ ab Schaller, Bob (26 сентября 1996 г.). «Происхождение, природа и последствия «ЗАКОНА МУРА»». Microsoft . Получено 10 сентября 2014 г. .
  13. ^ abc Tuomi, I. (2002). "Жизнь и смерть закона Мура". Первый понедельник . 7 (11). doi : 10.5210/fm.v7i11.1000 .
  14. ^ Мур, Гордон (30 марта 2015 г.). «Гордон Мур: Человек, чье имя означает прогресс. Инженер-визионер размышляет о 50 годах закона Мура». IEEE Spectrum: Специальный отчет: 50 лет закона Мура (интервью). Интервью вела Рейчел Кортленд. У нас не будет той скорости прогресса, которая была в последние несколько десятилетий. Я думаю, это неизбежно с любой технологией; она в конечном итоге насыщается. Думаю, я вижу, что закон Мура умрет здесь в следующем десятилетии или около того, но это неудивительно.
  15. ^ abc McMenamin, Adrian (15 апреля 2013 г.). "Конец масштабирования Деннарда" . Получено 23 января 2014 г.
  16. ^ Streetman, Ben G. ; Banerjee, Sanjay Kumar (2016). Твердотельные электронные приборы . Бостон: Pearson. стр. 341. ISBN 978-1-292-06055-2. OCLC  908999844.
  17. ^ abcdefg Джон Л. Хеннесси; Дэвид А. Паттерсон (4 июня 2018 г.). «Новый золотой век компьютерной архитектуры: доменно-специфическое аппаратное/программное совместное проектирование, улучшенная безопасность, открытые наборы инструкций и гибкая разработка чипов». Международный симпозиум по компьютерной архитектуре – ISCA 2018. В конце 1990-х и 2000-х годов архитектурные инновации снизились, поэтому производительность в основном обеспечивалась более высокими тактовыми частотами и большими кэшами. Окончание масштабирования Деннарда и закона Мура также замедлило этот путь; производительность одного ядра улучшилась всего на 3% в прошлом году!
  18. ↑ Такахаси, Дин (18 апреля 2005 г.). «Сорок лет закона Мура». Seattle Times . Сан-Хосе, Калифорния . Получено 7 апреля 2015 г. Десять лет спустя он пересмотрел то, что стало известно как закон Мура: количество транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые два года.
  19. ^ ab Moore, Gordon (1975). "IEEE Technical Digest 1975" (PDF) . Intel Corp. Архивировано (PDF) из оригинала 9 октября 2022 г. . Получено 7 апреля 2015 г. . ... можно ожидать, что скорость увеличения сложности изменит наклон в ближайшие несколько лет, как показано на рисунке 5. Новый наклон может приближаться к удвоению каждые два года, а не каждый год к концу десятилетия.
  20. ^ Мур, Гордон (2006). "Глава 7: Закон Мура в 40 лет" (PDF) . В Брок, Дэвид (ред.). Понимание закона Мура: Четыре десятилетия инноваций . Фонд химического наследия. стр. 67–84. ISBN 978-0-941901-41-3. Архивировано из оригинала (PDF) 4 марта 2016 г. . Получено 22 марта 2018 г. .
  21. ^ "Более 6 десятилетий непрерывного сокращения транзисторов, инноваций" (PDF) (пресс-релиз). Корпорация Intel . Май 2011 г. Архивировано из оригинала 17 июня 2012 г. Получено 25 марта 2023 г. 1965: Закон Мура родился, когда Гордон Мур предсказал, что количество транзисторов на кристалле будет удваиваться примерно каждый год (десятилетие спустя, в 1975 году, Мур опубликовал обновление, пересмотрев период удвоения до каждых 2 лет)
  22. ^ Брок, Дэвид С., ред. (2006). Понимание закона Мура: четыре десятилетия инноваций . Филадельфия, Пенсильвания: Chemical Heritage Foundation. ISBN 978-0941901413.
  23. ^ в отношении заявлений Гордона Э. Мура в IEEE. «Закон Мура – ​​гений жив». Информационный бюллетень общества твердотельных схем IEEE. Сентябрь 2006 г. Архивировано из оригинала 13 июля 2007 г. Получено 22 ноября 2006 г.
  24. ^ "Закон Мура в 40 лет – С днем ​​рождения". The Economist . 23 марта 2005 г. Получено 24 июня 2006 г.
  25. ^ аб Дискотека, Корнелиус; ван дер Мейлен, Баренд (1998). Объединение новых технологий. Вальтер де Грюйтер. стр. 206–7. ISBN 978-3-11-015630-0. OCLC  39391108 . Получено 23 августа 2008 г. .
  26. ^ "Гордон Мур говорит Алоха Закону Мура". Inquirer. 13 апреля 2005 г. Архивировано из оригинала 6 ноября 2009 г. Получено 2 сентября 2009 г.
  27. ^ Мидор, Дэн; Голдсмит, Кевин (2022). Создание решений в области науки о данных с помощью Anaconda: всеобъемлющее руководство для начинающих по созданию надежных и полных моделей . Бирмингем, Великобритания: Packt Publishing Limited. стр. 9. ISBN 978-1-80056-878-5.
  28. ^ «Неизменная связь между законом Мура и искусственным интеллектом». Журнал Technowize . Май 2017 г. Получено 24 августа 2018 г.
  29. ^ "Закон Мура будет действовать еще десять лет" . Получено 27 ноября 2011 г. Мур также подтвердил, что никогда не говорил, что количество транзисторов будет удваиваться каждые 18 месяцев, как это обычно говорят. Первоначально он сказал, что количество транзисторов на чипе будет удваиваться каждый год. Затем в 1975 году он перекалибровал его на каждые два года. Дэвид Хаус, в то время руководитель Intel, отметил, что изменения приведут к тому, что производительность компьютеров будет удваиваться каждые 18 месяцев.
  30. ^ Сандхи, Зарин Тасним; Ахмед, Фарид Уддин; Чоудхури, Масуд Х. (2022). Beyond Binary Memory Circuits: Multiple-Valued Logic . Cham, Швейцария: Springer Nature. стр. 1. ISBN 978-3-031-16194-0.
  31. ↑ Брэдшоу, Тим (16 июля 2015 г.). «Глава Intel сомневается в законе Мура». Financial Times . Получено 16 июля 2015 г.
  32. ↑ Уотерс, Ричард (16 июля 2015 г.). «Поскольку закон соучредителя Intel замедляется, необходимо переосмысление чипа». Financial Times .
  33. ^ Niccolai, James (15 июля 2015 г.). «Intel переносит 10-нм процесс производства чипов на 2017 г., замедляя закон Мура». Infoworld . Получено 16 июля 2015 г. Официально : закон Мура замедляется. ... «Эти переходы являются естественной частью истории закона Мура и побочным продуктом технических проблем, связанных с уменьшением размеров транзисторов при обеспечении возможности их массового производства», — сказал Кржанич.
  34. ^ Conte, Thomas M.; Track, Elie; DeBenedictis, Erik (декабрь 2015 г.). «Перезагрузка вычислений: новые стратегии масштабирования технологий». Computer . 48 (12): 10–13. doi :10.1109/MC.2015.363. S2CID  43750026. Годовое экспоненциальное масштабирование производительности компьютеров закончилось. Усложняет ситуацию грядущее разрушение «технологического эскалатора», лежащего в основе отрасли: закон Мура.
  35. ^ ab Шилов, Антон (23 октября 2019 г.). «TSMC: 5 нм на пути к Q2 2020 HVM, будет расти быстрее, чем 7 нм». www.anandtech.com . Получено 1 декабря 2019 г. .
  36. ^ abc Шилов, Антон (31 июля 2019 г.). "Главная>Полупроводники Агрессивные планы Samsung в области EUV: 6 нм производство в H2, 5 нм и 4 нм на ходу". www.anandtech.com . Получено 1 декабря 2019 г.
  37. ^ Ченг, Годфри (14 августа 2019 г.). «Закон Мура не умер». Блог TSMC . TSMC . Получено 18 августа 2019 г. .
  38. ^ Мартин, Эрик (4 июня 2019 г.). «Закон Мура жив и здоров — диаграммы показывают, что в Intel он, возможно, умирает, но другие подхватывают его». Medium . Архивировано из оригинала 25 августа 2019 г. . Получено 19 июля 2019 г. .
  39. ^ "5 нм против 3 нм". Semiconductor Engineering . 24 июня 2019 г. Получено 19 июля 2019 г.
  40. ^ Лилли, Пол (17 июля 2019 г.). «Intel заявляет, что слишком агрессивно продвигалась по 10 нм, в 2021 году появятся 7 нм чипы». PC Gamer .
  41. ^ Шилов, Антон. «Samsung завершила разработку 5-нм технологии EUV-процесса». anandtech.com . Получено 31 мая 2019 г. .
  42. ^ Партнеры TSMC и OIP Ecosystem предоставляют первую в отрасли полную инфраструктуру проектирования для 5-нм технологического процесса (пресс-релиз), TSMC, 3 апреля 2019 г., архивировано из оригинала 14 мая 2020 г. , извлечено 19 июля 2019 г.
  43. ^ Катресс, д-р Ян. «Выход годных на 5 нм выше, чем на 7 нм»: обновление TSMC по уровню дефектов для N5. www.anandtech.com . Получено 27 марта 2023 г. .
  44. ^ VerWey, John (июль 2019 г.). Здоровье и конкурентоспособность полупроводниковой производственной промышленности США (PDF) (отчет). Комиссия по международной торговле США. стр. 17. Получено 30 апреля 2024 г. Расходы , необходимые для изготовления микросхем, предсказуемо возросли, действуя в соответствии со вторым законом Мура или «законом Рока», который гласит, что стоимость полупроводниковых инструментов удваивается каждые четыре года.
  45. ↑ Лемон, Самнер; Кразит, Том (19 апреля 2005 г.). «С чипсами закон Мура не является проблемой». Infoworld . Получено 22 августа 2011 г.
  46. ^ Дорш, Джефф. «Закон Мура все еще действует?» (PDF) . EDA Vision. Архивировано из оригинала (PDF) 6 мая 2006 г. . Получено 22 августа 2011 г. .
  47. ^ Шаллер, Боб (26 сентября 1996 г.). «Происхождение, природа и последствия «закона Мура»». Research.microsoft.com . Получено 22 августа 2011 г. .
  48. ↑ Килби, Джек, «Миниатюрные электронные схемы», US 3138743  , выдан 23 июня 1964 г. (подан 6 февраля 1959 г.).
  49. ↑ Нойс, Роберт, «Полупроводниковый прибор и структура выводов», US 2981877 , выдан 25 апреля 1961 г. (подан 30 июля 1959 г.). 
  50. ^ "1963: Изобретена конфигурация дополнительной МОП-схемы". Музей истории компьютеров . Получено 6 июля 2019 г.
  51. ^ Sah, Chih-Tang ; Wanlass, Frank (1963). Нановаттная логика с использованием полевых металлооксидных полупроводниковых триодов . Международная конференция IEEE по твердотельным схемам 1963 года. Сборник технических статей. Т. VI. С. 32–33. doi :10.1109/ISSCC.1963.1157450.
  52. ↑ Wanlass, F., «Комплементарная полевая схема с низким энергопотреблением в режиме ожидания», US 3356858 , выдан 5 декабря 1967 г. (подан 18 июня 1963 г.). 
  53. ↑ Деннард, Роберт Х., «Память на полевых транзисторах», US 3387286 , выдан 4 июня 1968 г. (подан 14 июля 1967 г.) 
  54. ^ Патент США 4,491,628 , «Позитивные и негативные рабочие резистивные композиции с кислотообразующим фотоинициатором и полимером с кислотолабильными группами, прикрепленными к полимерной основе» JMJ Fréchet, H. Ito и CG Willson 1985.[1], Архивировано 2 февраля 2019 г. на Wayback Machine .
  55. ^ Ито, Х.; Уилсон, К. Г. (1983). «Химическое усиление в разработке материала резиста сухого проявления». Polymer Engineering & Science . 23 (18): 204. doi :10.1002/pen.760231807.
  56. ^ Ито, Хироши; Уилсон, К. Грант; Фреше, Жан HJ (1982). «Новые УФ-резисты с негативным или позитивным тоном». Технология СБИС, 1982. Сборник технических статей. Симпозиум по .
  57. ^ Брок, Дэвид С. (1 октября 2007 г.). «Паттернирование мира: расцвет химически усиленных фоторезистов». Журнал Chemical Heritage . Фонд Chemical Heritage . Получено 27 марта 2018 г.
  58. ^ Ламола, AA; Шманда, CR; Теккерей, JW (август 1991 г.). «Химически усиленные резисты». Solid State Technology . 34 (8) . Получено 1 ноября 2017 г.
  59. ^ Ито, Хироши (2000). «Химическое усиление резистов: история и развитие в IBM» (PDF) . IBM Journal of Research and Development . Архивировано (PDF) из оригинала 9 октября 2022 г. . Получено 20 мая 2014 г. .
  60. ^ 4458994 Патент США US 4458994 A, Кантилал Джейн, Карлтон Г. Уилсон, «Метод и устройство оптической литографии высокого разрешения с источником света эксимерного лазера и стимулированным рамановским смещением», выдан 10 июля 1984 г. 
  61. ^ Jain, K.; Willson, CG; Lin, BJ (1982). «Сверхбыстрая литография в глубоком УФ-диапазоне с использованием эксимерных лазеров». IEEE Electron Device Letters . 3 (3): 53–55. Bibcode : 1982IEDL....3...53J. doi : 10.1109/EDL.1982.25476. S2CID  43335574.
  62. ^ Джейн, К. (1990). Эксимерная лазерная литография. Беллингхэм, Вашингтон: SPIE Press. ISBN 978-0-8194-0271-4. OCLC  20492182.
  63. ^ Лафонтен, Бруно (октябрь 2010 г.). «Лазеры и закон Мура». SPIE Professional . стр. 20.
  64. ^ Басов Н.Г. и др., Журн. Эксп. Физ. и Тех. Письма. Красный. 12, 473 (1970).
  65. ^ Бернхэм, Р.; Джеу, Н. (1976). "Лазеры с накачкой разрядом с ультрафиолетовой предыонизацией в XeF, KrF и ArF". Appl. Phys. Lett . 29 (11): 707. Bibcode : 1976ApPhL..29..707B. doi : 10.1063/1.88934.
  66. ^ Лазеры в нашей жизни / 50 лет воздействия (PDF) , Исследовательский совет по инжинирингу и физическим наукам Великобритании, архивировано из оригинала (PDF) 13 сентября 2011 г. , извлечено 22 августа 2011 г.
  67. ^ "50 Years Advancing the Laser" (PDF) . SPIE. Архивировано (PDF) из оригинала 9 октября 2022 г. . Получено 22 августа 2011 г. .
  68. ^ Мур, Гордон Э. (10 февраля 2003 г.). "транскрипция пленарного выступления Гордона Мура на 50-й годовщине ISSCC" (PDF) . транскрипция "Мур о Муре: никакая экспонента не вечна" . Международная конференция IEEE по твердотельным схемам 2003 г. Сан-Франциско, Калифорния: ISSCC. Архивировано из оригинала (PDF) 31 марта 2010 г.
  69. ^ Steigerwald, JM (2008). «Химическая механическая полировка: технология, дающая возможность». 2008 IEEE International Electron Devices Meeting . С. 1–4. doi :10.1109/IEDM.2008.4796607. ISBN 978-1-4244-2377-4. S2CID  8266949."Таблица 1: 1990 год, обеспечивший многоуровневую металлизацию; 1995 год, обеспечивший компактную изоляцию STI, формирование поликремния и снижение выхода годных изделий/дефектов"
  70. ^ "IBM100 – Copper Interconnects: The Evolution of Microprocessors". 7 марта 2012 г. Архивировано из оригинала 3 апреля 2012 г. Получено 17 октября 2012 г.
  71. ^ "Международная технологическая дорожная карта для полупроводников". Архивировано из оригинала 25 августа 2011 г. Получено 22 августа 2011 г.
  72. ^ Масуока, Фудзио ; Такато, Х.; Суноучи, К.; Окабе, Н.; Нитаяма, А.; Хиеда, К.; Хоригучи, Ф. (декабрь 1988 г.). «Высокопроизводительный КМОП-транзистор с окружающим затвором (SGT) для сверхвысокой плотности БИС». Технический сборник, Международная встреча по электронным приборам . стр. 222–225. doi :10.1109/IEDM.1988.32796. S2CID  114148274.
  73. ^ Брожек, Томаш (2017). Микро- и наноэлектроника: новые проблемы и решения для устройств. CRC Press . стр. 117. ISBN 9781351831345.
  74. ^ "Профиль компании". Unisantis Electronics . Архивировано из оригинала 22 февраля 2007 г. Получено 17 июля 2019 г.
  75. ^ "Still Room at the Bottom. (нанометровый транзистор, разработанный Ян-кю Чоем из Корейского передового института науки и технологий)", Nanoparticle News , 1 апреля 2006 г., архивировано из оригинала 6 ноября 2012 г.
  76. ^ Ли, Хёнджин и др. (2006). «FinFET с круговым затвором суб-5 нм для максимального масштабирования». Симпозиум 2006 года по технологии СБИС, 2006. Сборник технических статей . стр. 58–59. doi :10.1109/VLSIT.2006.1705215. hdl : 10203/698 . ISBN 978-1-4244-0005-8. S2CID  26482358.
  77. ^ Джонсон, Декстер (22 февраля 2010 г.). «Безпереходный транзистор, изготовленный из нанопроволок». IEEE Spectrum . Получено 20 апреля 2010 г.
  78. ^ Ченг, Гуанглей; Сайлс, Пабло Ф.; Би, Фэн; Цен, Ченг; Богорин, Даниэла Ф.; Барк, Чунг Вунг; Фолкман, Чад М.; Пак, Джэ-Ван; Эом, Чанг-Бом; Медейрос-Рибейро, Жилберту; Леви, Джереми (19 апреля 2011 г.). «Создан сверхмаленький транзистор: искусственный атом, питаемый одним электроном». Природные нанотехнологии . 6 (6): 343–347. Бибкод : 2011NatNa...6..343C. дои : 10.1038/nnano.2011.56. ПМИД  21499252 . Проверено 22 августа 2011 г.
  79. ^ Каку, Мичио (2010). Физика будущего . Doubleday. стр. 173. ISBN 978-0-385-53080-4.
  80. ^ Yirka, Bob (2 мая 2013 г.). «Новые нанопроводные транзисторы могут помочь сохранить закон Мура в силе». Nanoscale . 5 (6): 2437–2441. Bibcode :2013Nanos...5.2437L. doi :10.1039/C3NR33738C. PMID  23403487 . Получено 8 августа 2013 г.
  81. ^ «Омоложение закона Мура с помощью нанотехнологий». Forbes . 5 июня 2007 г. Получено 8 августа 2013 г.
  82. ^ Фюксле, М.; Мива, Дж.А.; Махапатра, С.; Рю, Х.; Ли, С.; Варшкоу, О.; Холленберг, ЛК; Климек, Г.; Симмонс, штат Мичиган (16 декабря 2011 г.). «Одноатомный транзистор». Нат Нанотехнол . 7 (4): 242–246. Бибкод : 2012NatNa...7..242F. дои : 10.1038/nnano.2012.21. PMID  22343383. S2CID  14952278.
  83. ^ "IBM Reports Advance in Shrinking Chip Circuitry". The Wall Street Journal . 9 июля 2015 г. Получено 9 июля 2015 г.
  84. ^ Армасу, Лучиан (11 января 2019 г.), «Samsung планирует массовое производство 3-нм чипов GAAFET в 2021 г.», www.tomshardware.com
  85. ^ Паттерсон, Алан (2 октября 2017 г.), «TSMC стремится построить первую в мире 3-нм фабрику», www.eetimes.com
  86. ^ Гарру, Филипп (6 августа 2008 г.). "Введение в 3D-интеграцию" (PDF) . Справочник по 3D-интеграции: технология и применение 3D-интегральных схем . Wiley-VCH . стр. 4. doi :10.1002/9783527623051.ch1. ISBN 9783527623051. Архивировано (PDF) из оригинала 9 октября 2022 г.
  87. ^ Имото, Т.; Мацуи, М.; Такубо, К.; Акедзима, С.; Кария, Т.; Нишикава, Т.; Эномото, Р. (2001). «Разработка трехмерного модульного пакета, «модуль системного блока»». Конференция по электронным компонентам и технологиям (51). Институт инженеров электротехники и электроники : 552–557.
  88. ^ "TOSHIBA COMMERCIALISES INDUSTRY'S HIGH-CAPACITY EMBEDDED NAND FLASH MEMORY FOR MOBILE CONSUMER PRODUCTS". Toshiba . 17 апреля 2007 г. Архивировано из оригинала 23 ноября 2010 г. Получено 23 ноября 2010 г.
  89. ^ "Hynix удивляет индустрию чипов NAND". Korea Times . 5 сентября 2007 г. Получено 8 июля 2019 г.
  90. ^ "Toshiba анонсирует новую технологию флэш-памяти "3D" NAND". Engadget . 12 июня 2007 г. Получено 10 июля 2019 г.
  91. ^ «Samsung представляет первый в мире твердотельный накопитель на базе 3D V-NAND для корпоративных приложений | Samsung | Глобальный веб-сайт Samsung Semiconductor». www.samsung.com .
  92. ^ Кларк, Питер. «Samsung подтверждает 24 слоя в 3D NAND». EETimes .
  93. ^ "Samsung Electronics начинает массовое производство первой в отрасли 3-битной флэш-памяти 3D V-NAND". news.samsung.com .
  94. ^ Струков, Дмитрий Б.; Снайдер, Грегори С.; Стюарт, Дункан Р.; Уильямс, Стэнли Р. (2008). «Найден пропавший мемристор». Nature . 453 (7191): 80–83. Bibcode :2008Natur.453...80S. doi :10.1038/nature06932. PMID  18451858. S2CID  4367148.
  95. ^ «Биоинженеры Стэнфорда создают печатную плату по образцу человеческого мозга – Пресс-релиз Стэнфорда». news.stanford.edu . 28 апреля 2014 г. Архивировано из оригинала 22 января 2019 г. Получено 4 мая 2014 г.
  96. ^ Келион, Лео (28 июля 2015 г.). «3D Xpoint memory: Faster-than-flash storage presented» (Память 3D Xpoint: Представлена ​​память, которая быстрее флэш-памяти). BBC News .
  97. ^ «Новые чипы памяти Intel быстрее и хранят гораздо больше данных». WIRED . 28 июля 2015 г.
  98. ↑ Bright, Peter (19 марта 2017 г.). «Первый SSD-накопитель Optane от Intel: 375 ГБ, который можно также использовать как ОЗУ». Ars Technica . Получено 31 марта 2017 г.
  99. ^ Шилов, Антон (5 декабря 2017 г.). "Samsung начинает производство 512 ГБ флэш-памяти UFS NAND: 64-слойная V-NAND, скорость чтения 860 МБ/с". AnandTech . Получено 23 июня 2019 г. .
  100. ^ Мэннерс, Дэвид (30 января 2019 г.). «Samsung производит модуль флэш-памяти eUFS емкостью 1 ТБ». Electronics Weekly . Получено 23 июня 2019 г.
  101. ^ Таллис, Билли (17 октября 2018 г.). «Samsung делится планом развития SSD для QLC NAND и 96-слойной 3D NAND». AnandTech . Получено 27 июня 2019 г. .
  102. ^ IBM (6 мая 2021 г.). «IBM представляет первую в мире технологию 2-нанометровых чипов, открывающую новые горизонты для полупроводников». Архивировано из оригинала 6 мая 2021 г. . Получено 14 мая 2021 г. .
  103. ^ Кларк, Дон (15 июля 2015 г.). «Intel переделывает планшет по закону Мура». Wall Street Journal Digits Tech News and Analysis . Получено 16 июля 2015 г. Последние два технологических перехода дали понять, что наш сегодняшний темп ближе к двум с половиной годам, чем к двум
  104. ^ "INTEL CORP, ФОРМА 10-K (Годовой отчет), поданная 12.02.16 за период, заканчивающийся 26.12.15" (PDF) . Архивировано из оригинала (PDF) 4 декабря 2018 г. . Получено 24 февраля 2017 г. .
  105. ^ Connatser, Matthew (24 декабря 2023 г.). «Генеральный директор Intel заявил, что закон Мура замедляется до трехлетнего периода, но он еще не умер». Tom's Hardware . Future US . Получено 30 апреля 2024 г. ... генеральный директор заявил, что транзисторы теперь удваиваются ближе к трем годам, что на самом деле значительно отстает от темпов закона Мура, который предписывал двухлетний период.
  106. ^ Никонов, Дмитрий Э.; Янг, Ян А. (1 февраля 2013 г.). Обзор устройств Beyond-CMOS и единая методология их сравнительного анализа . Библиотека Корнелльского университета. arXiv : 1302.0244 . Bibcode : 2013arXiv1302.0244N.
  107. ^ Манипатруни, Сасикант ; Никонов, Дмитрий Э.; Янг, Ян А. (2016). «Материальные цели для масштабирования всей спиновой логики». Physical Review Applied . 5 (1): 014002. arXiv : 1212.3362 . Bibcode : 2016PhRvP...5a4002M. doi : 10.1103/PhysRevApplied.5.014002. S2CID  1541400.
  108. ^ Бехин-Айн, Бехташ; Датта, Дипанджан; Салахуддин, Саиф; Датта, Суприё (28 февраля 2010 г.). «Предложение о создании логического устройства со всеми спинами и встроенной памятью». Nature Nanotechnology . 5 (4): 266–270. Bibcode :2010NatNa...5..266B. doi :10.1038/nnano.2010.31. PMID  20190748.
  109. ^ Dewey, G.; Kotlyar, R.; Pillarisetty, R.; Radosavljevic, M.; Rakshit, T.; Then, H.; Chau, R. (7 декабря 2009 г.). "Оценка производительности логики и физика переноса транзисторов с квантовыми ямами и затвором Шоттки III–V для напряжений питания (V CC ) в диапазоне от 0,5 В до 1,0 В". 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) . IEEE. стр. 1–4. doi :10.1109/IEDM.2009.5424314. ISBN 978-1-4244-5639-0. S2CID  41734511.
  110. ^ Радосавлевич Р. и др. (5 декабря 2011 г.). «Улучшение электростатики в 3-D tri-gate по сравнению с ультратонкими плоскими квантовыми ямой InGaAs полевых транзисторах с диэлектриком затвора high-K и масштабированным разделением затвор-сток/затвор-исток». Международная встреча по электронным приборам 2011 г. IEEE. стр. 33.1.1–33.1.4. doi :10.1109/IEDM.2011.6131661. ISBN 978-1-4577-0505-2. S2CID  37889140.
  111. ^ Кютресс, Ян (22 февраля 2015 г.). "Intel на ISSCC 2015: пожинаем преимущества 14 нм и выходим за рамки 10 нм". Anandtech . Получено 15 августа 2016 г. .
  112. ^ Энтони, Себастьян (23 февраля 2015 г.). «Intel продвигается вперед к 10 нм, отойдет от кремния на 7 нм». Ars Technica . Получено 15 августа 2016 г.
  113. ^ Кук, Майк (апрель–май 2011 г.). «InGaAs туннельный FET с током включения, увеличенным на 61%» (PDF) . Том 6, № 6. Semiconductor Today . Получено 15 августа 2016 г. .
  114. ^ Чжао, Хань и др. (28 февраля 2011 г.). «Улучшение тока включения туннельных полевых транзисторов In0.7Ga0.3As с помощью туннельного перехода p++/n+». Applied Physics Letters . 98 (9): 093501. Bibcode : 2011ApPhL..98i3501Z. doi : 10.1063/1.3559607.
  115. ^ Найт, Хелен (12 октября 2012 г.). «Крошечный составной полупроводниковый транзистор может бросить вызов доминированию кремния». MIT News . Получено 15 августа 2016 г.
  116. ^ Кэвин, Р. К.; Лугли, П.; Жирнов, В. В. (1 мая 2012 г.). «Наука и инженерия за пределами закона Мура». Труды IEEE . 100 (Специальный выпуск к столетию): 1720–1749. doi : 10.1109/JPROC.2012.2190155 .
  117. ^ ab Avouris, Phaedon; Chen, Zhihong ; Perebeinos, Vasili (30 сентября 2007 г.). "Carbon-based electronics" (PDF) . Nature Nanotechnology . 2 (10): 605–615. Bibcode : 2007NatNa...2..605A. doi : 10.1038/nnano.2007.300. PMID  18654384. Получено 15 августа 2016 г.
  118. ^ Швирц, Франк (1–4 ноября 2011 г.). Графеновые транзисторы – новый претендент на будущую электронику . 10-я международная конференция IEEE 2010: Технология твердотельных и интегральных схем (ICSICT). Шанхай. doi :10.1109/ICSICT.2010.5667602.
  119. ^ Dubash, Manek (13 апреля 2005 г.). «Закон Мура мертв, говорит Гордон Мур». Techworld . Получено 24 июня 2006 г.
  120. ^ ab Waldrop, M. Mitchell (9 февраля 2016 г.). «The chips are down for Moore's law» (Закон Мура закрыт). Nature . 530 (7589): 144–147. Bibcode :2016Natur.530..144W. doi : 10.1038/530144a . ISSN  0028-0836. PMID  26863965.
  121. ^ "IRDS launch announcement 4 MAY 2016" (PDF) . Архивировано (PDF) из оригинала 27 мая 2016 года.
  122. ^ Кросс, Тим. "После закона Мура". The Economist Technology Quarterly . Получено 13 марта 2016 г. . диаграмма: "Faith no Moore" Избранные прогнозы об окончании действия закона Мура
  123. ^ Кумар, Сухас (2012). «Фундаментальные пределы закона Мура». arXiv : 1511.05956 [cond-mat.mes-hall].
  124. ^ «Меньше, быстрее, дешевле, больше: будущее компьютерных чипов». New York Times . Сентябрь 2015 г.
  125. ^ «Конец большего – смерть закона Мура». 6 марта 2020 г.
  126. ^ «Эти 3 вычислительные технологии превзойдут закон Мура». Forbes .
  127. ^ Раух, Джонатан (январь 2001 г.). «Новая старая экономика: нефть, компьютеры и переосмысление Земли». The Atlantic Monthly . Получено 28 ноября 2008 г.
  128. ^ ab Кендрик, Джон У. (1961). Тенденции производительности в Соединенных Штатах . Princeton University Press для NBER. стр. 3.
  129. ^ abc Мур, Гордон Э. (1995). «Литография и будущее закона Мура» (PDF) . SPIE . Архивировано (PDF) из оригинала 9 октября 2022 г. . Получено 27 мая 2014 г. .
  130. ^ ab Jorgenson, Dale W. ; Ho, Mun S.; Samuels, Jon D. (2014). «Долгосрочные оценки производительности и роста в США» (PDF) . Всемирная конференция KLEMS. Архивировано (PDF) из оригинала 9 октября 2022 г. . Получено 27 мая 2014 г. .
  131. ^ Киз, Роберт В. (сентябрь 2006 г.). «Влияние закона Мура». Solid State Circuits Newsletter . Том 11, № 3. С. 25–27. doi :10.1109/N-SSC.2006.4785857.
  132. ^ Liddle, David E. (сентябрь 2006 г.). «The Wider Impact of Moore's Law». Solid State Circuits Newsletter . 11 (3): 28–30. doi :10.1109/N-SSC.2006.4785858. S2CID  29759395. Архивировано из оригинала 13 июля 2007 г. Получено 25 марта 2023 г.
  133. ^ Йоргенсон, Дейл В. (2000). Информационные технологии и экономика США: Президентское обращение к Американской экономической ассоциации . Американская экономическая ассоциация . CiteSeerX 10.1.1.198.9555 . 
  134. ^ Йоргенсон, Дейл В .; Хо, Мун С.; Стирох, Кевин Дж. (2008). «Ретроспективный взгляд на возрождение роста производительности в США». Журнал экономических перспектив . 22 : 3–24. doi : 10.1257/jep.22.1.3 . hdl : 10419/60598 .
  135. ^ Гримм, Брюс Т.; Молтон, Брент Р.; Вассхаузен, Дэвид Б. (2002). «Оборудование и программное обеспечение для обработки информации в национальных счетах» (PDF) . Бюро экономического анализа Министерства торговли США. Архивировано (PDF) из оригинала 9 октября 2022 г. . Получено 15 мая 2014 г. .
  136. ^ «Несельскохозяйственный сектор: реальный выпуск продукции в час всех лиц». Экономические данные Федерального резервного банка Сент-Луиса. 2014. Получено 27 мая 2014 г.
  137. ^ Андерсон, Ричард Г. (2007). «Насколько хорошо заработная плата следует за ростом производительности?» (PDF) . Федеральный резервный банк Сент-Луиса Economic Synopses. Архивировано (PDF) из оригинала 9 октября 2022 г. . Получено 27 мая 2014 г. .
  138. ^ Сэндборн, Питер (апрель 2008 г.). «В ловушке на переднем крае технологий». IEEE Spectrum . Получено 27 ноября 2011 г.
  139. ^ "Процессор Qualcomm". Qualcomm . 8 ноября 2017 г.
  140. ↑ Стоукс, Джон (27 сентября 2008 г.). «Понимание закона Мура». Ars Technica . Получено 22 августа 2011 г.
  141. ^ Боркар, Шекхар; Чиен, Эндрю А. (май 2011 г.). «Будущее микропроцессоров». Communications of the ACM . 54 (5): 67. CiteSeerX 10.1.1.227.3582 . doi :10.1145/1941487.1941507. S2CID  11032644. Получено 27 ноября 2011 г. 
  142. ^ ab Bohr, Mark (январь 2007 г.). "30-летняя ретроспектива масштабирования MOSFET Деннарда" (PDF) . Solid-State Circuits Society. Архивировано (PDF) из оригинала 11 ноября 2013 г. . Получено 23 января 2014 г. .
  143. ^ Эсмаилзеда, Хади; Блем, Эмили; Сент-Амант, Рене; Санкаралингам, Картикеян; Бургер, Дуг. «Темный кремний и конец многоядерного масштабирования» (PDF) . Архивировано (PDF) из оригинала 9 октября 2022 г.
  144. ^ Hruska, Joel (1 февраля 2012 г.). «Смерть масштабирования ЦП: от одного ядра ко многим — и почему мы все еще застряли». ExtremeTech . Получено 23 января 2014 г.
  145. ^ Mistry, Kaizad (2011). «Tri-Gate Transistors: Enabling Moore's Law at 22nm and Beyond» (PDF) . Intel Corporation at semiconwest.org. Архивировано из оригинала (PDF) 23 июня 2015 г. . Получено 27 мая 2014 г. .
  146. ^ ab Hennessy, John L. ; Patterson, David A. (4 июня 2018 г.). «Новый золотой век компьютерной архитектуры: совместное проектирование оборудования и программного обеспечения для конкретных областей, повышенная безопасность, открытые наборы инструкций и гибкая разработка микросхем» (PDF) . Международный симпозиум по компьютерной архитектуре – ISCA 2018. Архивировано (PDF) из оригинала 9 октября 2022 г. Конец роста скорости выполнения отдельных программ?
  147. ^ ab "Частные инвестиции в основной капитал, цепной индекс цен: Нежилое: Оборудование: Оборудование для обработки информации: Компьютеры и периферийное оборудование". Федеральный резервный банк Сент-Луиса . 2014. Получено 12 мая 2014 г.
  148. ^ Намбиар, Рагхунат; Поесс, Майкель (2011). «Производительность транзакций против закона Мура: анализ тенденций». Оценка производительности, измерение и характеристика сложных систем . Конспект лекций по информатике. Том 6417. Springer . С. 110–120. doi :10.1007/978-3-642-18206-8_9. ISBN 978-3-642-18205-1. S2CID  31327565.
  149. ^ Фероли, Майкл (2013). "US: is IT over?" (PDF) . JPMorgan Chase Bank NA Economic Research. Архивировано (PDF) из оригинала 17 мая 2014 г. . Получено 15 мая 2014 г. .
  150. ^ Бирн, Дэвид М.; Олинер, Стивен Д.; Сичел, Дэниел Э. (март 2013 г.). Закончилась ли революция в области информационных технологий? (PDF) . Серия обсуждений по финансам и экономике Подразделения исследований и статистики и денежно-кредитных отношений Федерального резервного совета. Вашингтон, округ Колумбия: Серия обсуждений по финансам и экономике Федерального резервного совета (FEDS). Архивировано (PDF) из оригинала 9 июня 2014 г. технический прогресс в полупроводниковой промышленности продолжает идти быстрыми темпами... Достижения в области полупроводниковых технологий привели к быстрому снижению цен на микропроцессоры и другие микросхемы постоянного качества за последние несколько десятилетий.
  151. ^ ab Aizcorbe, Ana; Oliner, Stephen D.; Sichel, Daniel E. (2006). «Изменение тенденций в ценах на полупроводники и темпы технологического прогресса». Серия дискуссий Совета управляющих Федеральной резервной системы по финансам и экономике . Получено 15 мая 2014 г.
  152. ^ Aizcorbe, Ana (2005). «Почему индексы цен на полупроводники падают так быстро? Оценки отрасли и их значение для измерения производительности» (PDF) . Бюро экономического анализа Министерства торговли США. Архивировано из оригинала (PDF) 9 августа 2017 г. . Получено 15 мая 2014 г. .
  153. ↑ Sun, Liyang (25 апреля 2014 г.). «За что мы платим: индекс цен на микропроцессоры для ноутбуков с поправкой на качество». Wellesley College. Архивировано из оригинала 11 ноября 2014 г. . Получено 7 ноября 2014 г. . ... по сравнению с −25% до −35% в год в течение 2004–2010 гг., ежегодное снижение стабилизируется на уровне около −15% до −25% в течение 2010–2013 гг.
  154. ^ Aizcorbe, Ana; Kortum, Samuel (2004). «Закон Мура и полупроводниковая промышленность: старинная модель» (PDF) . Бюро экономического анализа Министерства торговли США. Архивировано (PDF) из оригинала 5 июня 2007 г. . Получено 27 мая 2014 г. .
  155. ^ Маркофф, Джон (2004). «Большой сдвиг Intel после столкновения с технической стеной». New York Times . Получено 27 мая 2014 г.
  156. ↑ Уолтер, Чип (25 июля 2005 г.). «Закон Крайдера». Научный американец . (Верлагсгруппе Георг фон Хольцбринк ГмбХ) . Проверено 29 октября 2006 г.
  157. ^ Plumer, Martin L.; et al. (март 2011 г.). «Новые парадигмы в магнитной записи». Physics in Canada . 67 (1): 25–29. arXiv : 1201.5543 . Bibcode : 2012arXiv1201.5543P.
  158. ^ Меллор, Крис (10 ноября 2014 г.). «Закон Крайдера не работает: гонка за СВЕРХДЕШЕВЫМИ ХРАНИЛИЩАМИ ЗАВЕРШЕНА». theregister.co.uk . Великобритания: The Register . Получено 12 ноября 2014 г. . В настоящее время 2,5-дюймовые диски имеют емкость 500 ГБ/пластину, а некоторые — 600 ГБ или даже 667 ГБ/пластину — это очень далеко от 20 ТБ/пластину. Чтобы достичь 20 ТБ к 2020 году, дискам емкостью 500 ГБ/пластину придется увеличить плотность записи в 44 раза за шесть лет. Этого не произойдет. ... Розенталь пишет: «Технические трудности перехода с PMR на HAMR привели к тому, что уже в 2010 году скорость Крайдера значительно замедлилась и, как ожидается, не вернется к своей тенденции в ближайшем будущем. Наводнения это подтвердили».
  159. ^ Хехт, Джефф (2016). «Закон Кека подходит к концу? – IEEE Spectrum». IEEE . Получено 16 июня 2023 г. .
  160. ^ "Джеральд Баттерс — ветеран индустрии коммуникаций". Forbes.com . Архивировано из оригинала 12 октября 2007 г.
  161. ^ "Совет директоров". LAMBDA OpticalSystems . Получено 22 августа 2011 г.
  162. ^ Tehrani, Rich. "As We May Communicate". Tmcnet.com . Получено 22 августа 2011 г.
  163. ^ Робинсон, Гейл (26 сентября 2000 г.). «Ускорение сетевого трафика с помощью крошечных зеркал». EE Times . Архивировано из оригинала 7 января 2010 г. Получено 22 августа 2011 г.
  164. ^ Нильсен, Якоб (5 апреля 1998 г.). «Закон Нильсена о пропускной способности Интернета». Alertbox . Получено 22 августа 2011 г. .
  165. ^ Свитковски, Зигги (9 апреля 2009 г.). «Доверьтесь силе технологий». The Australian . Получено 2 декабря 2013 г. .
  166. ^ Сирер, Эмин Гюн ; Фэрроу, Рик. Некоторые малоизвестные законы компьютерной науки (PDF) . Архивировано (PDF) из оригинала 9 октября 2022 г. Получено 2 декабря 2013 г.
  167. ^ «Использование закона Мура для прогнозирования будущих тенденций памяти». 21 ноября 2011 г. Получено 2 декабря 2013 г.
  168. ^ Myhrvold, Nathan (7 июня 2006 г.). "Следствие из закона Мура: сила пикселей". The New York Times . Получено 27 ноября 2011 г.
  169. ^ Кеннеди, Рэндалл С. (14 апреля 2008 г.). «Толстый, еще толще, самый толстый: короли раздувания Microsoft». InfoWorld . Получено 22 августа 2011 г.
  170. ^ Райдер, Фремонт (1944). Ученый и будущее исследовательской библиотеки . Hadham Press. OCLC  578215272.
  171. ↑ Жизнь 2.0. (31 августа 2006 г.). The Economist
  172. ^ Карлсон, Роберт Х. (2010). Биология — это технология: обещание, опасность и новый бизнес инженерной жизни. Издательство Гарвардского университета. ISBN 978-0-674-05362-5.
  173. ^ Карлсон, Роберт Х. (сентябрь 2003 г.). «Темпы и распространение биологических технологий». Биобезопасность и биотерроризм: стратегия, практика и наука биологической защиты . 1 (3): 203–214. doi :10.1089/153871303769201851. PMID  15040198. S2CID  18913248.
  174. ^ Эббингауз, Герман (1913). Память: вклад в экспериментальную психологию. Колумбийский университет. стр. 42, рисунок 2. ISBN 9780722229286.
  175. ^ Холл, Грэнвилл Стэнли; Титчен, Эдвард Брэдфорд (1903). «Американский журнал психологии».
  176. ^ Райт, TP (1936). «Факторы, влияющие на стоимость самолетов». Журнал аэронавтических наук . 3 (4): 122–128. doi :10.2514/8.155.
  177. ^ Черри, Стивен (2004). «Закон Эдхольма о пропускной способности». IEEE Spectrum . 41 (7): 58–60. doi :10.1109/MSPEC.2004.1309810. S2CID  27580722.
  178. ^ Джиндал, РП (2009). «От миллибит до терабит в секунду и выше — более 60 лет инноваций». 2009 2-й Международный семинар по электронным приборам и полупроводниковым технологиям . С. 1–6. doi :10.1109/EDST.2009.5166093. ISBN 978-1-4244-3831-0. S2CID  25112828.

Дальнейшее чтение

Внешние ссылки

В Wikibooks есть книга на тему: Информационный век