Полупроводниковая память

Устройство хранения данных

Полупроводниковая память — это цифровое электронное полупроводниковое устройство , используемое для хранения цифровых данных , например, компьютерная память . Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой интегральной микросхеме памяти . ^{[1] [2] [3]} Существует множество различных типов, использующих различные полупроводниковые технологии. Два основных типа оперативной памяти (ОЗУ) — это статическая ОЗУ (SRAM), которая использует несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), которая использует транзистор и МОП-конденсатор на ячейку. Энергонезависимая память (например, EPROM , EEPROM и флэш-память ) использует ячейки памяти с плавающим затвором , которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа , ^[4] что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому доступ к данным может быть эффективным в любом случайном порядке. ^[5] Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски , которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным может быть получен только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа , чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или считан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд , в то время как время доступа для вращающегося хранилища, такого как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд. По этим причинам она используется в качестве первичного хранилища , для хранения программы и данных, над которыми в данный момент работает компьютер, среди прочего.

По состоянию на 2017 год ^[update]объем продаж полупроводниковых микросхем памяти составил 124 миллиарда долларов в год, что составляет 30% полупроводниковой промышленности . ^[6] Сдвиговые регистры , процессорные регистры , буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.

Описание

В полупроводниковой микросхеме памяти каждый бит двоичных данных хранится в крошечной схеме, называемой ячейкой памяти, состоящей из одного или нескольких транзисторов . Ячейки памяти расположены в прямоугольных массивах на поверхности микросхемы. 1-битные ячейки памяти сгруппированы в небольшие единицы, называемые словами , к которым осуществляется доступ вместе как к одному адресу памяти. Память изготавливается с длиной слова , которая обычно является степенью двойки, как правило, N = 1, 2, 4 или 8 бит.

Доступ к данным осуществляется с помощью двоичного числа, называемого адресом памяти , применяемого к адресным контактам чипа, который определяет, к какому слову в чипе необходимо получить доступ. Если адрес памяти состоит из M бит, количество адресов на чипе составляет 2 ^M , каждый из которых содержит N- битное слово. Следовательно, количество данных, хранящихся в каждом чипе, составляет N 2 ^M бит. ^[5] Емкость памяти для M адресных линий определяется как 2 ^M , что обычно является степенью двойки: 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256 и 512 и измеряется в килобитах , мегабитах , гигабитах или терабитах и ​​т. д. По состоянию на 2014 год ^[update]самые большие полупроводниковые чипы памяти хранят несколько гигабит данных, но постоянно разрабатываются более емкие запоминающие устройства. Объединив несколько интегральных схем, можно организовать память в большую длину слова и/или адресное пространство, чем то, что предлагает каждая микросхема, часто, но не обязательно, в степени двойки . ^[5]

Две основные операции, выполняемые микросхемой памяти, это « чтение », при котором содержимое слова памяти считывается (неразрушающим образом), и « запись », при которой данные сохраняются в слове памяти, заменяя любые ранее сохраненные там данные. Для увеличения скорости передачи данных в некоторых из последних типов микросхем памяти, таких как DDR SDRAM, при каждой операции чтения или записи осуществляется доступ к нескольким словам.

В дополнение к автономным чипам памяти, блоки полупроводниковой памяти являются неотъемлемой частью многих интегральных схем компьютеров и обработки данных. Например, микропроцессорные чипы, которые управляют компьютерами, содержат кэш-память для хранения инструкций, ожидающих выполнения.

Типы

Энергозависимая память

Чипы оперативной памяти для компьютеров обычно поставляются на съемных модулях памяти, таких как эти. Дополнительную память можно добавить к компьютеру, подключив дополнительные модули.

Энергозависимая память теряет сохраненные данные при отключении питания чипа памяти. Однако она может быть быстрее и дешевле энергонезависимой памяти. Этот тип используется в качестве основной памяти в большинстве компьютеров, поскольку данные хранятся на жестком диске , когда компьютер выключен. Основные типы: ^{[7] [8]}

RAM ( оперативная память ) – это стало общим термином для любой полупроводниковой памяти, в которую можно записывать, а также считывать данные, в отличие от ROM (ниже) , которую можно только считывать. Вся полупроводниковая память, а не только RAM, имеет свойство произвольного доступа .

• DRAM ( динамическая память с произвольным доступом ) — использует ячейки памяти , состоящие из одного MOSFET (полевой МОП-транзистор) и одного МОП-конденсатора для хранения каждого бита. Этот тип ОЗУ является самым дешевым и имеет самую высокую плотность, поэтому он используется в качестве основной памяти в компьютерах. Однако электрический заряд , который хранит данные в ячейках памяти, медленно утекает, поэтому ячейки памяти необходимо периодически обновлять (переписывать), что требует дополнительных схем. Процесс обновления выполняется внутри компьютера и прозрачен для его пользователя.
  • FPM DRAM ( Fast Page Mode DRAM ) – более старый тип асинхронной DRAM, который был усовершенствован по сравнению с предыдущими типами, позволяя повторять доступ к одной «странице» памяти с большей скоростью. Использовался в середине 1990-х годов.
  • EDO DRAM ( Extended data out DRAM ) – более старый тип асинхронной DRAM, который имел более быстрое время доступа, чем более ранние типы, поскольку мог инициировать новый доступ к памяти, пока данные из предыдущего доступа все еще передавались. Использовался в конце 1990-х годов.
  • VRAM ( видеопамять с произвольным доступом ) — устаревший тип двухпортовой памяти, когда-то использовавшийся для буферов кадров видеоадаптеров ( видеокарт ).
  • SDRAM ( синхронная динамическая память с произвольным доступом ) – это добавленная схема к чипу DRAM, которая синхронизирует все операции с тактовым сигналом, добавленным к шине памяти компьютера . Это позволило чипу обрабатывать несколько запросов памяти одновременно с помощью конвейеризации , чтобы увеличить скорость. Данные на чипе также разделены на банки , каждый из которых может работать над операцией памяти одновременно. Это стало доминирующим типом компьютерной памяти примерно к 2000 году.
    • DDR SDRAM ( Double data rate SDRAM ) – Это может передавать вдвое больше данных (два последовательных слова) за каждый тактовый цикл с помощью двойной накачки (передача данных как по восходящему, так и по нисходящему фронту тактового импульса). Расширения этой идеи – это текущая (2012) технология, используемая для увеличения скорости доступа к памяти и пропускной способности. Поскольку оказывается сложным дальнейшее увеличение внутренней тактовой частоты микросхем памяти, эти микросхемы увеличивают скорость передачи, передавая больше слов данных за каждый тактовый цикл
      • DDR2 SDRAM – передает 4 последовательных слова за один внутренний тактовый цикл
      • DDR3 SDRAM – передает 8 последовательных слов за один внутренний тактовый цикл.
      • DDR4 SDRAM – передает 16 последовательных слов за один внутренний тактовый цикл.
    • RDRAM ( Rambus DRAM ) — альтернативный стандарт памяти с удвоенной скоростью передачи данных, который использовался в некоторых системах Intel, но в конечном итоге уступил место DDR SDRAM.
      • XDR DRAM ( DRAM с экстремальной скоростью передачи данных )
    • SGRAM ( Synchronous graphics RAM ) – специализированный тип SDRAM, предназначенный для графических адаптеров (видеокарт). Он может выполнять графические операции, такие как битовое маскирование и блочная запись, а также может открывать две страницы памяти одновременно.
      • GDDR SDRAM ( графическая память DDR SDRAM )
        • GDDR2
        • GDDR3 SDRAM
        • GDDR4 SDRAM
        • GDDR5 SDRAM
        • GDDR6 SDRAM
    • HBM ( High Bandwidth Memory ) – Развитие SDRAM, используемое в графических картах, которое может передавать данные с большей скоростью. Оно состоит из нескольких чипов памяти, установленных друг на друга, с более широкой шиной данных.
  • PSRAM ( псевдостатическое ОЗУ ) – это DRAM, имеющая схему для выполнения обновления памяти на чипе, так что она действует как SRAM, позволяя отключать внешний контроллер памяти для экономии энергии. Используется в нескольких игровых консолях, таких как Wii .
• SRAM ( статическая память с произвольным доступом ) — хранит каждый бит данных в схеме, называемой триггером , состоящей из 4–6 транзисторов. SRAM менее плотная и более дорогая в расчете на бит, чем DRAM, но более быстрая и не требует обновления памяти . Используется для кэш-памяти меньшего объема в компьютерах.
• CAM ( Content-addressable memory ) – это специализированный тип, в котором вместо доступа к данным с использованием адреса применяется слово данных, а память возвращает местоположение, если слово сохранено в памяти. Он в основном встроен в другие чипы, такие как микропроцессоры , где он используется для кэш-памяти .

Энергонезависимая память

Энергонезависимая память (NVM) сохраняет данные, хранящиеся в ней, в периоды, когда питание чипа отключено. Поэтому она используется для памяти в портативных устройствах, которые не имеют дисков, и для сменных карт памяти среди других применений. Основные типы: ^{[7] [8]}

• ПЗУ ( постоянное запоминающее устройство ) — предназначено для хранения постоянных данных и при нормальной работе только считывается, но не записывается. Хотя многие типы могут быть записаны, процесс записи медленный, и обычно все данные в чипе должны быть перезаписаны одновременно. Обычно оно используется для хранения системного программного обеспечения , которое должно быть немедленно доступно компьютеру, например, программа BIOS , которая запускает компьютер, и программное обеспечение ( микрокод ) для портативных устройств и встроенных компьютеров, таких как микроконтроллеры .
  • MROM ( Mask programmed ROM или Mask ROM ) – В этом типе данные программируются в чип при его изготовлении, поэтому он используется только для крупных производственных партий. Его нельзя перезаписать новыми данными.
  • PROM ( программируемое постоянное запоминающее устройство ) – В этом типе данные записываются в существующий чип PROM до его установки в схему, но они могут быть записаны только один раз. Данные записываются путем подключения чипа к устройству, называемому программатором PROM.
  • EPROM ( стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство или UVEPROM) – в этом типе данные в нем могут быть перезаписаны путем извлечения чипа из печатной платы, подвергания его воздействию ультрафиолетового света для стирания существующих данных и подключения его к программатору PROM. Корпус ИС имеет небольшое прозрачное «окно» в верхней части для пропускания ультрафиолетового света. Его часто используют для прототипов и мелкосерийных устройств, где программу в нем, возможно, придется менять на заводе.

    

    4M EPROM, показано прозрачное окно, используемое для стирания чипа

  • EEPROM ( электрически стираемая программируемая постоянная память ) – в этом типе данные могут быть перезаписаны электрически, пока чип находится на плате, но процесс записи медленный. Этот тип используется для хранения прошивки , низкоуровневого микрокода, который управляет аппаратными устройствами, такими как программа BIOS в большинстве компьютеров, так что его можно обновлять.
• NVRAM ( энергонезависимая память с произвольным доступом )
  • FRAM ( ферроэлектрическое ОЗУ ) — один из типов энергонезависимой памяти.
• Флэш-память – в этом типе процесс записи занимает промежуточное положение по скорости между EEPROM и RAM-памятью; запись возможна, но недостаточно быстро, чтобы служить основной памятью. Часто используется как полупроводниковая версия жесткого диска для хранения файлов. Используется в портативных устройствах, таких как КПК, USB-флеш-накопители и съемные карты памяти , используемые в цифровых камерах и сотовых телефонах .

История

Ранняя компьютерная память состояла из памяти на магнитном сердечнике , поскольку ранние твердотельные электронные полупроводники , включая транзисторы, такие как биполярный транзистор (BJT), были непрактичны для использования в качестве цифровых элементов хранения ( ячеек памяти ). Самая ранняя полупроводниковая память датируется началом 1960-х годов, с биполярной памятью, которая использовала биполярные транзисторы. ^[9] Биполярная полупроводниковая память, изготовленная из дискретных устройств, была впервые отправлена ​​Texas Instruments в ВВС США в 1961 году. В том же году концепция твердотельной памяти на кристалле интегральной схемы (ИС) была предложена инженером по приложениям Бобом Норманом из Fairchild Semiconductor . ^[10] Первой однокристальной ИС памяти была 16-битная BJT IBM SP95, изготовленная в декабре 1965 года, спроектированная Полом Каструччи. ^{[9] [10]} Хотя биполярная память предлагала улучшенную производительность по сравнению с памятью на магнитном сердечнике, она не могла конкурировать с более низкой ценой памяти на магнитном сердечнике, которая оставалась доминирующей вплоть до конца 1960-х годов. ^[9] Биполярная память не смогла заменить память на магнитных сердечниках, поскольку биполярные триггерные схемы были слишком большими и дорогими. ^[11]

МОП-память

В 1957 году Фрош и Дерик смогли изготовить первые полевые транзисторы на основе диоксида кремния в Bell Labs, первые транзисторы, в которых сток и исток были расположены рядом на поверхности, ^[12] После этого в Bell Labs был создан работающий МОП-транзистор. ^{[13] [14]}

МОП-память была разработана Джоном Шмидтом в Fairchild Semiconductor в 1964 году. ^{[15] [16]} Помимо более высокой производительности, МОП-память была дешевле и потребляла меньше энергии, чем память на магнитных сердечниках. ^[15] Это привело к тому, что МОП-транзисторы в конечном итоге заменили магнитные сердечники в качестве стандартных элементов хранения в компьютерной памяти. ^[17]

В 1965 году Дж. Вуд и Р. Болл из Королевского радиолокационного института предложили цифровые системы хранения данных, которые используют ячейки памяти КМОП (комплементарные МОП), в дополнение к силовым устройствам МОП-транзисторов для источника питания , коммутируемым перекрестным связям, переключателям и запоминающим устройствам с линией задержки . ^[18] Разработка технологии интегральных схем МОП с кремниевым затвором (ИС МОП) Федерико Фаггином в Fairchild в 1968 году позволила производить микросхемы памяти МОП . ^{[19] Память} NMOS была коммерциализирована IBM в начале 1970-х годов. ^[20] Память МОП обогнала память на магнитных сердечниках в качестве доминирующей технологии памяти в начале 1970-х годов. ^[15]

Термин «память» при использовании по отношению к компьютерам чаще всего относится к энергозависимой памяти с произвольным доступом (RAM). Два основных типа энергозависимой памяти с произвольным доступом — это статическая память с произвольным доступом (SRAM) и динамическая память с произвольным доступом (DRAM). Биполярная SRAM была изобретена Робертом Норманом в Fairchild Semiconductor в 1963 году, ^[9] за ней последовала разработка MOS SRAM Джоном Шмидтом в Fairchild в 1964 году. ^[15] SRAM стала альтернативой памяти на магнитных сердечниках, но требовала шести MOS-транзисторов для каждого бита данных. ^[21] Коммерческое использование SRAM началось в 1965 году, когда IBM представила свой чип SP95 SRAM для System/360 Model 95. [ ^9]

Toshiba представила биполярные ячейки памяти DRAM для своего электронного калькулятора Toscal BC-1411 в 1965 году. ^{[22] [23]} Хотя она предлагала улучшенную производительность по сравнению с памятью на магнитном сердечнике, биполярная DRAM не могла конкурировать с более низкой ценой доминирующей тогда памяти на магнитном сердечнике. ^[24] Технология MOS является основой для современной DRAM. В 1966 году доктор Роберт Х. Деннард в исследовательском центре IBM Thomas J. Watson работал над памятью MOS. Изучая характеристики технологии MOS, он обнаружил, что она способна создавать конденсаторы , и что сохранение заряда или его отсутствие на конденсаторе MOS может представлять 1 и 0 бита, в то время как транзистор MOS может управлять записью заряда на конденсатор. Это привело к разработке им ячейки памяти DRAM с одним транзистором. ^[21] В 1967 году Деннард подал патент в IBM на ячейку памяти DRAM с одним транзистором, основанную на технологии MOS. ^[25] Это привело к появлению первой коммерческой микросхемы DRAM, Intel 1103 , в октябре 1970 года. ^{[26] [27] [28]} Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) позже дебютировала с микросхемой Samsung KM48SL2000 в 1992 году. ^{[29] [30]}

Термин «память» также часто используется для обозначения энергонезависимой памяти , в частности флэш-памяти . Он берет свое начало в постоянном запоминающем устройстве (ПЗУ). Программируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗУ) было изобретено Вэнь Цин Чжоу в 1956 году, когда он работал в Arma Division американской корпорации Bosch Arma. ^{[31] [32]} В 1967 году Давон Канг и Саймон Сзе из Bell Labs предположили, что плавающий затвор полупроводникового устройства МОП может быть использован для ячейки перепрограммируемой постоянной памяти (ПЗУ), что привело к тому, что Дов Фроман из Intel изобрел EPROM (стираемое ПЗУ) в 1971 году. ^[33] EEPROM (электрически стираемое ПЗУ) было разработано Ясуо Таруи, Ютакой Хаяси и Киёко Нага в Электротехнической лаборатории Министерства международной торговли и промышленности Японии (MITI) в 1972 году. ^[34] Флэш-память была изобретена Фудзио Масуокой в ​​Toshiba в начале 1980-х годов. ^{[35] [36]} Масуока и его коллеги представили изобретение флэш-памяти NOR в 1984 году, ^[37] а затем флэш-памяти NAND в 1987 году. ^[38] Toshiba вывела флэш-память NAND на рынок в 1987 году. ^{[39] [40]}

Приложения

Смотрите также

• Электронная промышленность
• Полупроводниковая промышленность

Ссылки

1. "The MOS Memory Market" (PDF) . Integrated Circuit Engineering Corporation . Smithsonian Institution . 1997 . Получено 16 октября 2019 .
2. "Тенденции рынка памяти МОП" (PDF) . Integrated Circuit Engineering Corporation . Smithsonian Institution . 1998 . Получено 16 октября 2019 .
3. Veendrick, Harry JM (2017). Нанометровые КМОП-ИС: от основ до ASIC. Springer. стр. 314–5. ISBN 9783319475974.
4. Лин, Вэнь С. (1990). Справочник CRC по проектированию цифровых систем, второе издание. CRC Press. стр. 225. ISBN 0849342724. Архивировано из оригинала 27 октября 2016 . Получено 4 января 2016 .
5. Dawoud, Dawoud Shenouda; R. Peplow (2010). Проектирование цифровых систем — использование микроконтроллера. River Publishers. стр. 255–258. ISBN 978-8792329400. Архивировано из оригинала 2014-07-06.
6. "Годовой объем продаж полупроводников увеличился на 21,6 процента, впервые превысив 400 миллиардов долларов". Ассоциация полупроводниковой промышленности . 5 февраля 2018 г. Получено 29 июля 2019 г.
7. Godse, AP; D.A.Godse (2008). Основы вычислений и программирования. Индия: Технические публикации. стр. 1.35. ISBN 978-8184315097. Архивировано из оригинала 2014-07-06.
8. Arora, Ashok (2006). Основы компьютерной науки. Laxmi Publications. стр. 39–41. ISBN 8170089719. Архивировано из оригинала 2014-07-06.
9. "1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростном хранении". Музей истории компьютеров . Получено 19 июня 2019 г.
10. "Semiconductor Memory Timeline Notes" (PDF) . Computer History Museum . 8 ноября 2006 г. . Получено 2 августа 2019 г. .
11. Ортон, Джон В. (2009). Полупроводники и информационная революция: Волшебные кристаллы, которые сделали ИТ возможным. Academic Press . стр. 104. ISBN 978-0-08-096390-7.
12. Frosch, CJ; Derick, L (1957). «Защита поверхности и селективная маскировка во время диффузии в кремнии». Журнал электрохимического общества . 104 (9): 547. doi :10.1149/1.2428650.
13. KAHNG, D. (1961). «Устройство на основе поверхности кремния-диоксида кремния». Технический меморандум Bell Laboratories : 583–596. doi :10.1142/9789814503464_0076. ISBN 978-981-02-0209-5.
14. Лойек, Бо (2007). История полупроводниковой инженерии . Берлин, Гейдельберг: Springer-Verlag Berlin Heidelberg. стр. 321. ISBN 978-3-540-34258-8.
15. "1970: MOS Dynamic RAM конкурирует с памятью на магнитных сердечниках по цене". Computer History Museum . Получено 29 июля 2019 г. .
16. Проектирование твердотельных устройств. Том 6. Horizon House. 1965.
17. "Транзисторы – обзор". ScienceDirect . Получено 8 августа 2019 .
18. Вуд, Дж.; Болл, Р. (февраль 1965 г.). Использование полевых транзисторов с изолированным затвором в цифровых системах хранения данных . Международная конференция IEEE по твердотельным схемам 1965 г. Сборник технических статей. Том VIII. С. 82–83. doi :10.1109/ISSCC.1965.1157606.
19. "1968: Разработана технология кремниевых затворов для микросхем". Computer History Museum . Получено 10 августа 2019 .
20. Critchlow, DL (2007). «Воспоминания о масштабировании MOSFET». Информационный бюллетень IEEE Solid-State Circuits Society . 12 (1): 19–22. doi : 10.1109/N-SSC.2007.4785536 .
21. "DRAM". IBM100 . IBM . 9 августа 2017 . Получено 20 сентября 2019 .
22. "Spec Sheet for Toshiba "TOSCAL" BC-1411". Old Calculator Web Museum . Архивировано из оригинала 3 июля 2017 года . Получено 8 мая 2018 года .
23. Настольный калькулятор Toshiba "Toscal" BC-1411. Архивировано 20 мая 2007 г. на Wayback Machine.
24. «1966: Полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростном хранении». Музей истории компьютеров .
25. "Роберт Деннард". Encyclopedia Britannica . Получено 8 июля 2019 г.
26. "Intel: 35 лет инноваций (1968–2003)" (PDF) . Intel. 2003. Архивировано из оригинала (PDF) 4 ноября 2021 г. . Получено 26 июня 2019 г. .
27. Память DRAM Роберта Деннарда. history-computer.com.
28. Лойек, Бо (2007). История полупроводниковой инженерии. Springer Science & Business Media . С. 362–363. ISBN 9783540342588. i1103 был изготовлен по технологии P-MOS с 6 масками на кремниевом затворе и минимальными характеристиками 8 мкм. Полученный продукт имел размер 2400 мкм, 2 ячейки памяти, размер кристалла чуть меньше 10 мм ² и продавался по цене около 21 доллара.
29. "KM48SL2000-7 Datasheet". Samsung . Август 1992. Получено 19 июня 2019 .
30. "Electronic Design". Electronic Design . 41 (15–21). Hayden Publishing Company. 1993. Первая коммерческая синхронная DRAM, Samsung 16-Mbit KM48SL2000, использует однобанковую архитектуру, которая позволяет разработчикам систем легко переходить от асинхронных к синхронным системам.
31. Хан-Вэй Хуан (5 декабря 2008 г.). Проектирование встроенных систем с использованием C805. Cengage Learning. стр. 22. ISBN 978-1-111-81079-5. Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.
32. Мари-Од Офор; Эстебан Зимани (17 января 2013 г.). Бизнес-аналитика: Вторая европейская летняя школа, eBISS 2012, Брюссель, Бельгия, 15–21 июля 2012 г., Учебные лекции. Springer. стр. 136. ISBN 978-3-642-36318-4. Архивировано из оригинала 27 апреля 2018 года.
33. "1971: Представлено повторно используемое полупроводниковое ПЗУ". Computer History Museum . Получено 19 июня 2019 .
34. Tarui, Y.; Hayashi, Y.; Nagai, K. (1972). «Электрически перепрограммируемая энергонезависимая полупроводниковая память». IEEE Journal of Solid-State Circuits . 7 (5): 369–375. Bibcode : 1972IJSSC...7..369T. doi : 10.1109/JSSC.1972.1052895. ISSN  0018-9200.
35. Фулфорд, Бенджамин (24 июня 2002 г.). «Невоспетый герой». Forbes . Архивировано из оригинала 3 марта 2008 г. Получено 18 марта 2008 г.
36. США 4531203  Фудзио Масуока.
37. "Toshiba: Изобретатель флэш-памяти". Toshiba . Получено 20 июня 2019 .
38. Масуока, Ф.; Момодоми, М.; Ивата, И.; Широта, Р. (1987). «Новые сверхвысокоплотные EPROM и флэш-EEPROM с ячейкой структуры NAND». Electron Devices Meeting, 1987 International . IEDM 1987. IEEE . doi :10.1109/IEDM.1987.191485.
39. "1987: Toshiba запускает NAND Flash". eWeek . 11 апреля 2012 г. Получено 20 июня 2019 г.
40. "1971: Представлено повторно используемое полупроводниковое ПЗУ". Computer History Museum . Получено 19 июня 2019 .
41. Виндрик, Гарри (2000). Глубоко-субмикронные КМОП-ИС: от основ до ASIC (PDF) (2-е изд.). Kluwer Academic Publishers . стр. 267–8. ISBN 9044001116. Архивировано из оригинала (PDF) 2020-12-06 . Получено 2019-11-14 .
42. Veendrick, Harry JM (2017). Нанометровые КМОП-ИС: от основ до ASIC (2-е изд.). Springer. стр. 315. ISBN 9783319475974.
43. Veendrick, Harry JM (2017). Нанометровые КМОП-ИС: от основ до ASIC (2-е изд.). Springer. стр. 264. ISBN 9783319475974.
44. Ричард Шоуп (2001). "SuperPaint: ранняя графическая система кадрового буфера" (PDF) . Анналы истории вычислений . IEEE. Архивировано из оригинала (PDF) 2004-06-12.
45. Goldwasser, SM (июнь 1983). Архитектура компьютера для интерактивного отображения сегментированных изображений. Архитектура компьютера для пространственно распределенных данных. Springer Science & Business Media . стр. 75–94 (81). ISBN 9783642821509.
46. Виндбахер, Томас (июнь 2010 г.). «Флэш-память». TU Wien . Получено 20 декабря 2019 г.