stringtranslate.com

Радиус кривизны

Радиус кривизны и центр кривизны

В дифференциальной геометрии радиус кривизны R является обратной величиной кривизны . Для кривой он равен радиусу дуги окружности , которая лучше всего аппроксимирует кривую в этой точке. Для поверхностей радиус кривизны — это радиус круга, который лучше всего соответствует нормальному сечению или их комбинации . [1] [2] [3]

Определение

В случае пространственной кривой радиус кривизны равен длине вектора кривизны .

В случае плоской кривой , то R является абсолютной величиной [ 3]

где sдлина дуги от фиксированной точки кривой, φкасательный угол , а κкривизна .

Формула

В двух измерениях

Если кривая задана в декартовых координатах как y ( x ) , т.е. как график функции , то радиус кривизны равен (при условии, что кривая дифференцируема до порядка 2)

где и | г | обозначает абсолютное значение z .

Если кривая задана параметрически функциями x ( t ) и y ( t ) , то радиус кривизны равен

где и

Эвристически этот результат можно интерпретировать как [2]

где

В n измерениях

Если γ  : ℝ → ℝ n — параметризованная кривая в n , то радиус кривизны в каждой точке кривой ρ  : ℝ → ℝ определяется выражением [3]

В качестве частного случая, если f ( t ) является функцией от до , то радиус кривизны ее графика γ ( t ) = ( t , f ( t )) равен

Вывод

Пусть γ будет таким же, как указано выше, и зафиксируем t . Мы хотим найти радиус ρ параметризованной окружности, которая соответствует γ в его нулевой, первой и второй производных в точке t . Очевидно, что радиус не будет зависеть от положения γ ( t ) , а только от скорости γ ′( t ) и ускорения γ ″( t ) . Есть только три независимых скаляра , которые можно получить из двух векторов v и w , а именно v · v , v · w и w · w . Таким образом, радиус кривизны должен быть функцией трех скаляров | γ ′( т ) | 2 , | γ ″( т ) | 2 и γ ′( т ) · γ ″( т ) . [3]

Общее уравнение параметризованной окружности в n :

где c ∈ ℝ n — центр окружности (не имеет значения, поскольку он исчезает в производных), a , b ∈ ℝ n — перпендикулярные векторы длины ρ (т. е. a · a = b · b = ρ 2 и a · b = 0 ), а h  : ℝ → ℝ — произвольная функция, дважды дифференцируемая в точке t .

Соответствующие производные от g получаются

Если теперь мы приравняем эти производные g к соответствующим производным γ в момент t , мы получим

Эти три уравнения с тремя неизвестными ( ρ , h ′( t ) и h ″( t ) ) можно решить относительно ρ , получив формулу для радиуса кривизны:

или, опуская параметр t для удобства чтения,

Примеры

Полукруги и круги

Для полукруга радиуса а в верхней полуплоскости с

Эллипс (красный) и его эволюция (синий). Точки — это вершины эллипса, точки наибольшей и наименьшей кривизны.

Для полукруга радиуса а в нижней полуплоскости

Круг радиуса а имеет радиус кривизны , равный а .

Эллипсы

В эллипсе с большой осью 2 a и малой осью 2 b вершины на большой оси имеют наименьший радиус кривизны из всех точек ; а вершины на малой оси имеют наибольший радиус кривизны среди всех точек, R =2 _/б.

Радиус кривизны эллипса в зависимости от параметра t равен [4]

где

Радиус кривизны эллипса как функция θ равен

где эксцентриситет эллипса e определяется выражением

Приложения

Напряжения в полупроводниковых структурах

Напряжение в полупроводниковой структуре, связанное с напыленными тонкими пленками, обычно возникает в результате теплового расширения (теплового напряжения) во время производственного процесса. Термический стресс возникает из-за того, что осаждение пленки обычно происходит при температуре выше комнатной. При охлаждении от температуры осаждения до комнатной температуры разница в коэффициентах теплового расширения подложки и пленки приводит к термическому напряжению. [5]

Внутреннее напряжение возникает из-за микроструктуры, создаваемой в пленке при осаждении атомов на подложку. Растягивающее напряжение возникает из-за микропустот (небольших отверстий, считающихся дефектами) в тонкой пленке из-за притягивающего взаимодействия атомов через пустоты.

Напряжение в тонкопленочных полупроводниковых структурах приводит к короблению пластин. Радиус кривизны напряженной конструкции связан с тензором напряжений в конструкции и может быть описан модифицированной формулой Стоуни. [6] Топографию напряженной конструкции, включая радиусы кривизны, можно измерить с помощью методов оптического сканирования. Современные сканеры имеют возможность измерять полную топографию подложки, а также измерять оба главных радиуса кривизны, обеспечивая при этом точность порядка 0,1% для радиусов кривизны 90 метров и более. [7]

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ Вайсстен, Эрик. "Радиус кривизны". Вольфрам Математический мир . Проверено 15 августа 2016 г.
  2. ^ Аб Кишан, Хари (2007). Дифференциальное исчисление. Atlantic Publishers & Dist. ISBN 9788126908202.
  3. ^ abcd Лав, Клайд Э .; Рейнвилл, Эрл Д. (1962). Дифференциальное и интегральное исчисление (Шестое изд.). Нью-Йорк: Макмиллан.
  4. ^ Вайсштейн, Эрик В. «Эллипс». mathworld.wolfram.com . Проверено 23 февраля 2022 г.
  5. ^ «Контроль стресса в тонких пленках». Flipchips.com . Проверено 22 апреля 2016 г.
  6. ^ «Об определении напряжения пленки при изгибе подложки: формула Стони и ее пределы» (PDF) . Qucosa.de . Проверено 22 апреля 2016 г.
  7. ^ Питер Валецкий. «Модель Х». Zebraoptical.com . Проверено 22 апреля 2016 г.

дальнейшее чтение

Внешние ссылки