stringtranslate.com

Радиус кривизны

Радиус кривизны и центр кривизны

В дифференциальной геометрии радиус кривизны , R , является обратной величиной кривизны . Для кривой он равен радиусу дуги окружности , которая наилучшим образом аппроксимирует кривую в этой точке. Для поверхностей радиус кривизны — это радиус окружности, которая наилучшим образом соответствует нормальному сечению или их комбинациям . [1] [2] [3]

Определение

В случае пространственной кривой радиус кривизны равен длине вектора кривизны .

В случае плоской кривой R является абсолютным значением [ 3]

где sдлина дуги от фиксированной точки на кривой, φтангенциальный угол , а κкривизна .

Формула

В двух измерениях

Если кривая задана в декартовых координатах как y ( x ) , т.е. как график функции , то радиус кривизны равен (предполагая, что кривая дифференцируема до порядка 2)

где и | z | обозначает абсолютное значение z .

Если кривая задана параметрически функциями x ( t ) и y ( t ) , то радиус кривизны равен

где и

Эвристически этот результат можно интерпретировать как [2]

где

Внразмеры

Если γ  : ℝ → ℝ n — параметризованная кривая в n , то радиус кривизны в каждой точке кривой, ρ  : ℝ → ℝ , ​​определяется как [3]

В частном случае, если f ( t ) является функцией от до , то радиус кривизны ее графика γ ( t ) = ( t , f ( t )) равен

Вывод

Пусть γ будет таким, как указано выше, и зафиксируем t . Мы хотим найти радиус ρ параметризованной окружности, которая соответствует γ в ее нулевой, первой и второй производных в t . Очевидно, что радиус не будет зависеть от положения γ ( t ) , а только от скорости γ ′( t ) и ускорения γ ″( t ) . Есть только три независимых скаляра , которые можно получить из двух векторов v и w , а именно v · v , v · w , и w · w . Таким образом, радиус кривизны должен быть функцией трех скаляров | γ ′( t ) | 2 , | γ ″( t ) | 2 и γ ′( t ) · γ ″( t ) . [3]

Общее уравнение для параметризованной окружности в n имеет вид

где c ∈ ℝ n — центр окружности (не имеет значения, так как исчезает в производных), a , b ∈ ℝ n — перпендикулярные векторы длины ρ (то есть a · a = b · b = ρ 2 и a · b = 0 ), а h  : ℝ → ℝ — произвольная функция, дважды дифференцируемая в точке t .

Соответствующие производные g получаются следующими:

Если теперь приравнять эти производные g к соответствующим производным γ в точке t, то получим

Эти три уравнения с тремя неизвестными ( ρ , h ′( t ) и h ″( t ) ) можно решить относительно ρ , получив формулу для радиуса кривизны:

или, опуская параметр t для удобства чтения,

Примеры

Полукруги и круги

Для полукруга радиуса a в верхней полуплоскости с

Эллипс (красный) и его эволюта (синий). Точки — вершины эллипса, в точках наибольшей и наименьшей кривизны.

Для полукруга радиуса a в нижней полуплоскости

Окружность радиуса a имеет радиус кривизны , равный a .

Эллипсы

В эллипсе с большой осью 2a и малой осью 2b вершины на большой оси имеют наименьший радиус кривизны среди всех точек, а вершины на малой оси имеют наибольший радиус кривизны среди всех точек , R = а 2/б .

Радиус кривизны эллипса, как функция параметра t ( амплитуда Якоби ), равен [4]

где

Радиус кривизны эллипса, как функция θ , равен

где эксцентриситет эллипса , e , определяется выражением

Приложения

Напряжение в полупроводниковых структурах

Напряжение в полупроводниковой структуре, включающей напыленные тонкие пленки, обычно возникает из-за термического расширения (термического напряжения) в процессе производства. Термическое напряжение возникает, поскольку осаждение пленки обычно производится при температуре выше комнатной. При охлаждении от температуры осаждения до комнатной температуры разница в коэффициентах термического расширения подложки и пленки вызывает термическое напряжение. [5]

Внутреннее напряжение возникает из-за микроструктуры, созданной в пленке, когда атомы осаждаются на подложке. Растягивающее напряжение возникает из-за микропустот (небольших отверстий, считающихся дефектами) в тонкой пленке из-за притягивающего взаимодействия атомов через пустоты.

Напряжение в тонкопленочных полупроводниковых структурах приводит к короблению пластин. Радиус кривизны напряженной структуры связан с тензором напряжений в структуре и может быть описан модифицированной формулой Стоуни. [6] Топография напряженной структуры, включая радиусы кривизны, может быть измерена с помощью методов оптического сканирования. Современные инструменты сканера имеют возможность измерять полную топографию подложки и измерять оба главных радиуса кривизны, обеспечивая при этом точность порядка 0,1% для радиусов кривизны 90 метров и более. [7]

Смотрите также

Ссылки

  1. ^ Weisstien, Eric. "Радиус кривизны". Wolfram Mathworld . Получено 15 августа 2016 г. .
  2. ^ ab Kishan, Hari (2007). Дифференциальное исчисление. Atlantic Publishers & Dist. ISBN 9788126908202.
  3. ^ abcd Лав, Клайд Э .; Рейнвилл, Эрл Д. (1962). Дифференциальное и интегральное исчисление (шестое изд.). Нью-Йорк: MacMillan.
  4. ^ Weisstein, Eric W. "Эллипс". mathworld.wolfram.com . Получено 2022-02-23 .
  5. ^ "Управление напряжением в тонких пленках". Flipchips.com . Получено 22.04.2016 .
  6. ^ "Определение напряжения пленки при изгибе подложки: формула Стоуни и ее пределы" (PDF) . Qucosa.de . Архивировано из оригинала (PDF) 2017-08-08 . Получено 2016-04-22 .
  7. ^ Питер Валецки. "Model X". Zebraoptical.com . Получено 22.04.2016 .

Дальнейшее чтение

Внешние ссылки